γ-CuI超快闪烁转换屏的制备与性能表征

以石英基片为衬底,采用真空热蒸发法,通过调控衬底温度制备出了具有微柱结构、柱径在μm量级、厚度约17 μm的γ-CuI超快闪烁转换屏。在X射线激发下,所制备的γ-CuI超快转换屏具有峰位在430 nm的快成分发射峰和峰位在700 nm的慢成分发射带,其中快成分发射峰占总发光的主要部分;随着衬底温度由170 ℃升高至210 ℃,转换屏430 nm发射峰的强度会逐渐减弱,而700 nm发射带的强度则逐渐增强,这可能是由于较高的衬底温度会造成碘流失从而引起转换屏中碘空位增加、铜空位减少所致(Cu/I增大),碘流失的假设得到了卢瑟福背散射实验的验证。γ-CuI超快转换屏的晶体结构呈(111)晶面择优取向,且不随衬底温度而变化,当衬底温度升高至210 ℃时,由于CuI分子获得的动能增加,转换屏还会出现微弱的(220)和(420)晶面的取向。当衬底温度由170℃增至190 ℃时,转换屏的微柱结构会随之优化,微柱结构明显,但当衬底温度进一步增至210 ℃时,由于表面扩散和体扩散效应加剧,微柱结构会随之退化。最后,采用刃边法测量了所制备γ-CuI转换屏的空间分辨率,结果显示170,190和210 ℃衬底温度条件下所制备的转换屏,其空间分辨率分别为：4.5,7.2和5.6 lp·mm-1,微柱结构有助于提高转换屏的空间分辨率。     

长距离分布式光纤传感中基于STM32的遗传算法偏振控制

基于STM32微处理器采用偏振控制器反馈技术并结合遗传算法对50km长距离分布式光纤振动传感系统中偏振衰落进行抑制.结合STM32与PCD-M02型偏振控制模块特性,优化遗传算法相关参量,在STM32微处理器上实现了遗传算法对传感系统的偏振控制.实验结果表明,基于STM32微处理器的遗传算法在短时间内能得到全局近似最优解,有效实现偏振控制,该方案适用于对实时性和集成度要求较高的长距离分布式光纤传感系统.     

脱除柴油里碱性氮固相配位萃取剂的制备及其性能研究

根据Lewis酸碱理论制备了苯乙烯磺化金属阳离子型树脂。以该树脂吸附柴油里碱性氮的吸附量为考察指标,选定Sr2 型阳离子树脂为最佳萃取剂,并对Sr2 型阳离子树脂吸附性能进行了详细研究。在最佳吸附温度为25℃,8h就达吸附平衡实验条件下,此树脂静态饱和吸附量达9.10mg/g,吸附速率常数为9.28×10-5/s,主要受液膜扩散控制,树脂的物理结构对其吸附性能有很大的影响。     

有机电致红光材料 4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃的合成新方法

设计全新的路线合成了红光材料4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)。采用具有烯烃骨架的β-苯基丙烯酸酯为中间体先引入双键,再经过三酮合环制备乙烯基吡喃。     

双酚大环配体硝酸铕三元配合物的合成、晶体结构与荧光性质

在硝酸铕模板下用丙二胺和2,6-二甲酰基-4-甲基苯酚通过[2＋2]缩合反应, 合成了一个新的双酚亚胺大环配体硝酸铕三元配合物[Eu(H2L)(NO3)3] (L表示大环配体), 并进行了系统的物理表征. 晶体结构研究表明: 配合物为中性分子, 由一个Eu3＋, 一个中性大环配体(H2L)和三个配位硝酸根组成. 晶体结构属单斜晶系, P21/c 空间群, 晶胞参数a＝1.57296(11) nm, b＝0.96957(7) nm, c＝1.91196(13) nm, β＝104.445(1)°, V＝2.8237(3) nm3, Z＝4, R＝0.0507, wR＝0.1168, Eu3＋为10配位, 呈扭曲的双冠四方反棱柱配位构型. 在低温下(77 K), 配合物在甲醇溶液中以紫外光激发产生了Eu3＋离子特征的荧光发射.     

非亲核镁硫电池电解液的研究进展

自从Muldoon课题组在2011年首次报道以[Mg₂(μ-Cl)₃(THF)₆]⁺为阳离子电化学活性中心的非亲核有机铝镁盐用于镁硫电池以来,非亲核镁电解液便引起了人们的广泛关注.本文综述了非亲核镁电解质的合成、阳离子结构及其镁硫电池电解液电化学性能的研究进展.最后对非亲核镁硫电池电解液未来的发展方向进行了前瞻性的探讨,指出要推动镁硫电池的产业化,除了要开发高性能、低成本、结构简单的非亲核电解质材料以外,深入研究电解质盐及电解液组分与正/负电极材料最优匹配机制也至关重要.     

Mode Structures and Damping of Quantized Spin Waves in Ferromagnetic Nanowires

Magnonic devices based on spin waves are considered as a new generation of energy-efficient and high-speed devices for storage and processing of information. Here we experimentally demonstrate that three distinct dominated magneto-dynamic modes are excited simultaneously and coexist in a transversely magnetized ferromagnetic wire by the ferromagnetic resonance(FMR) technique. Besides the uniform FMR mode, the spin-wave well mode, the backward volume magnetostatic spin-wave mode, and the perpendi...     

Sb3+对Tb3+激活硅酸盐玻璃发光性能的影响

利用高温熔融法分别制备了Sb3 ,Tb3 单掺和共掺的硅酸盐发光玻璃,并分析了它们的光谱性质。根据对Sb3 和Tb3 掺杂硅酸盐玻璃的激发光谱、发射光谱和发光衰减时间等特性的分析,研究了澄清剂Sb2O3的加入对Tb3 激活硅酸盐玻璃发光性能的影响。结果表明,在紫外光激发下,Tb3 激活硅酸盐玻璃中存在Sb3 离子至Tb3 离子的能量传递,但能量传递效率较低,能量传递表现为Sb3 离子的3P1能级与Tb3 离子的5D3能级之间的能量无辐射共振转移。同时Sb3 离子的加入将在Sb3 离子和Tb3 离子的激发重叠区域(200～350nm)对Tb3 离子的激发产生不小的负面影响,尚不足以通过Sb3 离子至Tb3 离子的能量传递得以弥补。因此在使用Sb2O3作为Tb3 激活硅酸盐发光玻璃的澄清剂时,应当注意权衡Sb3 离子对Tb3 离子发光性能的影响。     

相变型半导体存储器研究进展

文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品.     

级联马赫-曾德尔干涉仪光学梳状滤波的理论研究

提出一种级联马赫-曾德尔光纤进一步仪，它是采用多个3dB耦合器串联而成的。模拟与分析表明，当光纤进一步臂长度差ΔL按顺序取一系列定值时，将得到性能良好的梳状出射谱图。其进一步峰的边模抑制比随干涉臂数目的增多而变大。