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41.
利用高里德堡态氢原子飞行时间探测技术, 在224~248 nm激发波长研究了间-吡啶基紫外光化学中的氢原子解离通道的动力学过程.氢原子光解碎片产率谱显示在234 nm附近有较宽的吸收.产物的平动能释放较小;在224~248 nm激发波长区间平均〈 fT〉是0.12~0.19.产物的平动能分布显示产物是H+HC≡C-CH=CH-C≡N,H 3,4-吡啶和H 2,3-吡啶,以H HC≡C-CH=CH-C≡N为主要的氢原子生成通道.氢原子碎片具有各向同性的角度分布.研究结果表明,在紫外电子态激发以后,间-吡啶基经过内转换到电子基态,再经由单分子解离到H HC≡C-CH=CH-C≡N,H 3,4-吡啶和H 2,3-吡啶产物.间-吡啶基的紫外光解机理和以前报道过的邻-吡啶基的紫外光解机理相似. 相似文献
42.
为了解决坦克火控炮长视场稳定激光测距瞄准镜光学系统总装过程中稳像系统Z轴精度不高、校靶范围超差、装表范围超差、三轴平行性差的问题,提出炮瞄镜光学系统总装方法,通过采用光学自准直方法,将前置镜、高精度的平面反射镜工装、长焦距平行光管以及零位仪等设备调校建立瞄准轴零位基准,使三轴(瞄准轴、激光发射轴和激光接收轴)平行性的调校达标,并保证装表、校靶等有活动范围要求的光机部件的活动范围偏差合格,实现产品一次交检合格率由原来的60%提高到95%以上,产品的稳定性和可靠性得到提升,从而确保坦克火炮的首发命中率。 相似文献
43.
Numerical investigation on broadband mid-infrared supercontinuum generation in chalcogenide suspended-core fibers
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As_2S_3 and As_2Se_3 chalcogenide 3-bridges suspended-core fibers(SCFs) are designed with shifted zero-dispersion wavelengths(ZDWs) at around 1.5 μm, 2 μm, and 2.8 μm, respectively. A generalized nonlinear Schr ¨odinger equation is used to numerically compare supercontinuum(SC) generation in these SCFs pumped at an anomalous dispersion region nearby their ZDWs. Evolutions of the long-wavelength edge(LWE), the power proportion in the long-wavelength region(PPL), and spectral flatness(SF) are calculated and analyzed. Meanwhile, the optimal pump parameters and fiber length are given with LWE, PPL, and SF taken into account. For As_2S_3 SCFs, SC from a 14 mm-long fiber with a ZDW of 2825 nm pumped at 2870 nm can achieve the longest LWE of ~ 13 μm and PPL up to ~72%. For As_2Se_3 SCFs, the LWE of 15.5 μm and the highest PPL of ~ 87% can be achieved in a 10 mm-long fiber with ZDW of 1982 nm pumped at 2000 nm. Although the As_2Se_3 SCFs can achieve much longer LWE than the As_2S_3 SCFs, the core diameter of As_2Se_3 SCFs will be much smaller to obtain a similar ZDW, leading to lower damage threshold and output power. Finally, the optimal parameters for generating SC spanning over different mid-IR windows are given. 相似文献
44.
45.
46.
47.
Effect of micro-dimple patterns on capillary pull-off force and friction force of silicon surface
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A microtribometer is used to measure and compare pull-off forces and
friction forces exerted on (a) micro-dimpled silicon surfaces, (b)
bare silicon surfaces, and (c) octadecyltrichlorosilane (OTS)
treated silicon surfaces at different relative humidity (RH) levels
separately. It is found that above a critical RH level, the
capillary pull-off force increases abruptly and that the
micro-dimple textured surface has a lower critical RH value as well
as a higher pull-off force value than the other two surfaces. A
micro topography parameter, namely sidewall area ratio, is found to
play a major role in controlling the capillary pull-off force.
Furthermore, micro-dimpled silicon surface is also proved to be not
sensitive to variation in RH level, and can realize a stable and
decreased friction coefficient compared with un-textured silicon
surfaces. The reservoir-like function of micro dimples is considered
to weaken or avoid the breakage effect of liquid bridges at
different RH levels, thereby maintaining a stable frictional
behaviour. 相似文献
48.
用网络分析仪对HL-2A装置LHCD天线阵列子波导间的相位差,子波导间的相对功率和各主波导的电压驻波比等参数进行了测量。用测量值代入程序计算得到的波谱与理论计算的结果进行比较,表明天线发射的波谱与数值计算基本一致,能满足将要在HL-2A进行的LHCD实验。 相似文献
49.
微波复合直流等离子体转化天然气制乙炔的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用微波复合直流等离子体对天然气转化制乙炔反应进行了研究. 考察了氢烷比、气体流量、功率等参数对装置的能量利用率以及天然气转化反应的影响, 并考核了微波复合直流等离子体转化天然气制乙炔工艺的稳定性. 实验结果表明: 微波复合直流等离子体装置的能量利用率随等离子体工作气体的流量的增加而提高; 由于微波的作用使传统直流柱状等离子体分化为多根丝状等离子体, 从而使得电极的烧蚀方式由传统的点烧蚀变为面烧蚀, 并大幅度提高等离子体转化天然气工艺的稳定性和电极寿命; 甲烷的转化率和乙炔的收率随功率的增加而提高, 随CH4/H2比和气体流量的增加而降低, 在氢烷比为0.9、总气体流量为760 L/min、微波源输出电功率6 kW、直流电源输出功率90 kW时, 甲烷转化率可达84.4%, 乙炔选择性为75.6%, 乙炔收率为63.8%, 乙炔能耗达10.8 kWh•kg-1; 电极寿命超过200 h. 相似文献
50.
A novel reverse-conducting insulated-gate bipolar transistor(RC-IGBT) featuring a floating P-plug is proposed. The P-plug is embedded in the n-buffer layer to obstruct the electron current from flowing directly to the n-collector, which achieves the hole emission from the p-collector at a small collector size and suppresses the snapback effectively. Moreover, the current is uniformly distributed in the whole wafer at both IGBT mode and diode mode, which ensures the high temperature reliability of the RC-IGBT. Additionally, the P-plug acts as the base of the N-buffer/P-float/N-buffer transistor, which can be activated to extract the excessive carriers at the turn-off process. As the the simulation results show, for the proposed RC-IGBT, it achieves almost snapback-free output characteristics with a uniform current density and a uniform temperature distribution, which can greatly increase the reliability of the device. 相似文献