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The diffusion of N adatoms on a Ga-rich GaN(O001) surface has been studied using density-functional theory.The configuration of Ga adatoms on a Ga-rich GaN surface has been identified. The first adlayer Ga adatoms are on top of the terminating substrate Ga atoms, and the outmost adlayer Ga adatoms exist randomly at the T4 or H3 sites. A very different diffusivity of N adatoms on a Ga-rich GaN(0001) surface has been found. The excess Ga adatoms on a GaN(0001) surface reduce the diffusion barrier by 0.75eV and influence the migration path. It seems that bilayer Ga adatoms are helpful for N atom diffusion. 相似文献
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本文通过计算机验证,给出了十六行三列不同结构的正交设计与均匀设计的极大最小距离和平均冒尖性的比较结果。 相似文献
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20 0 2年 1月号问题解答(解答由问题提供人给出 )1 3 5 1 求证 2 0 0 2 2 0 0 0 +1为合数(山东聊城三中 王章琪 2 5 2 0 0 0 )证明 因为 2 0 0 2 2 0 0 0 =(2 0 0 2 4 0 0 ) 5设x=2 0 0 2 4 0 0所以 2 0 0 2 2 0 0 0 +1 =x5+1=x5+x4 +x3+x2 +x+1 -(x4 +x3+x2+x)=(x-1 ) (x5+x4 +x3+x2 +x +1 )x-1 -(x4 +x3+x2 +x)=x6 -1x-1 -(x4 +x3+x2 +x)=(x3+1 ) (x3-1 )x -1 -(x4 +x3+x2 +x)=(x+1 ) (x2 -x+1 ) (x2 +x+1 ) -x(x+1 ) (x2 +1 )=(x+1 ) [(x2 -x+1 ) (x2 +x+1 ) -x(x2+1 ) ]=(… 相似文献
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题 1 (2 0 0 3年安徽省春季高考试题 )设α、β为 x2 - x - 1=0的根 ,且α>β,令 cn =αn -βn (n∈ N+) .(1)求 c1 ,c2 ,c3 ;(2 )证明 :1α2 n-1 +1α2 n >1c2 n-1 +1c2 n;(3)证明 :∑nk=11ck <α.命题溯源 数列与不等式相结合的题型是高考命题中的一个“热点”,在全国各地的综合测试卷中出现的频率较高 .1998年及2 0 0 2年高考都是以这类题型作为压轴题 ,它能很好的考查学生知识转化为能力的水平层次 .原题思路 (1)解方程 x2 - x - 1=0得α =1+52 , β =1- 52 ,则c1 =α-β=5 ,c2 =α2 -β2 =5 ,c3 =α3 -β3 =2 5 .(2 )易得α+… 相似文献
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分区混合有限元法除用于计算应力强度因子获得成功以外,最近又有人把它用于计算弹性薄板及水坝,均得到了良好的效果,可见这一新的方法已经引起一些同志的重视。谢定一同志对奇异元提出新的看法来进行讨论,我们觉得这种讨论有益于更深入的理解和更有效的运用分区混合有限元法。下面谈谈我们对这个问题的看法。 相似文献
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