综合题新编选登

题170已知两个二次函数:y=f(x)=ax2 bx 1与y=g(x)=a2x2 bx 1,函数y=g(x)的图象与x轴有两个交点,其交点横坐标分别为x1,x2(x11时,设x3,x4是方程ax2 bx 1=0的两实根,且x31时,试判断x1,x2,x3,x4的大小关系;解1)由于函数y=g(x)的图象与x轴有两个交点,其交点横坐标分别为x1,x2(x10,∴|b2a|>1,即b2a>1或b2a<-1,∴-b2a<-1或-b2a>1成立,于是得抛物线y=f(x)的对称轴x=-b2a在(-1,1)的左侧或右侧,故y=f(x)在(-1,1)上是单调函数.2)由于x1…     

数学问题解答

20 0 3年 6月号问题解答(解答由问题提供人给出 )1 4 36　如图 .⊙O1 与⊙O2内切于P ,⊙O1 的弦AB切⊙O2 于C .若⊙O1 和⊙O2的半径分别为R、r.求证 :AC2AP2 =R-rR .(安徽省肥西中学　刘运谊　 2 31 2 0 0 )证明　设PA、PB交⊙O2 于E、F ,连结EF ,过P作⊙O1 与⊙O2 的外公切线MN ,延长PC交⊙O1 于Q ,再连BQ、CF .因为MN是⊙O1 与⊙O2 的外公切线所以∠EFP =∠APM =∠ABP所以EF∥AB ,所以CE =CF所以∠APC=∠BPC又因为∠A =∠Q所以△APC ∽△QPB、△APC∽△QBC所以 ACAP =BQPQ ( 1 )　　 ACAP =CQBQ (…     

相律应用于电位—PH图的讨论

电位 pH 图亦称 Pourbaix 图,是一种表示水溶液体系的热力学平衡和电化学平衡图,既能说明水溶液中某元素在一定电位和 pH 时的稳定状态,又能说明元素不同价态离子的变化倾向。在湿法冶金,金属腐蚀,矿物地质,分析化学等学科领域均有广泛的应用。人们已经绘制了各种各样的元素-H_2O,金属-非金属-H_2O,金属Ⅰ-金属Ⅱ-非金属-H_2O 等体系的电位-pH 图。     

直流弧光放电化学气相沉积(CVD)法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量

应用直流弧光放电分解CH₄和H₂混合气体成功地实现了高速生长多晶金刚石膜,应用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、Raman谱仪对所得样品进行检测和分析,为了弄清楚金刚石膜的生长机理,在实际生长环境下“原位”测量了不同条件下直流弧光等离子体的光发射谱,结果发现:高速生长金刚石膜的关键是该气相反应中有大量的原子H存在。     

1,3,3-三甲基-2-亚甲基吲哚啉合成新工艺

报道了一种以N－甲基苯肼和3－甲基－2－丁酮为原料一步合成1，3，3－三甲基－2－亚甲基吲哚啉的新工艺。讨论了影响产品收率的各种因素。该新工艺具有原料易得，工艺路线较短，减少环境污染等特点。     

TbxTmyY1-x-yP5O14晶体中Tb3+和Tm3+间的能量转移

本文提出了Tb3+和Tm3+的交叉弛豫机理,计算了交叉弛豫几率,研究了Tm3+对Tb3+离子发光性质的影响,结果指出Tm3+对Tb3+离子的5D3能级的荧光有很强的猝灭作用,对5D4能级的荧光有增强作用,并且给出Tb的荧光强度和Tb3+,Tm3+离子浓度之间的依赖关系。     

聚合物中产生双激子的新通道

由于聚合物中的双激子能产生新奇的光致极化反转现象,如何在聚合物中产生双激子变成为一个重要的研究课题.在现在已知的产生双激子的通道以外,提出了一条新的通道:双电子激发,并用动力学方法研究了此通道产生双激子的弛豫过程(包括键结构畸变和电子态的方面),确定了双激子形成和极化反转所需要的时间. 关键词： 聚合物 双激子 通道     

A double quantum dot defined by top gates in a single crystalline InSb nanosheet

We report on the transport study of a double quantum dot (DQD) device made from a freestanding, single crystalline InSb nanosheet. The freestanding nanosheet is grown by molecular beam epitaxy and the DQD is defined by the top gate technique. Through the transport measurements, we demonstrate how a single quantum dot (QD) and a DQD can be defined in an InSb nanosheet by tuning voltages applied to the top gates. We also measure the charge stability diagrams of the DQD and show that the charge states and the inter-dot coupling between the two individual QDs in the DQD can be efficiently regulated by the top gates. Numerical simulations for the potential profile and charge density distribution in the DQD have been performed and the results support the experimental findings and provide a better understanding of fabrication and transport characteristics of the DQD in the InSb nanosheet. The achieved DQD in the two-dimensional InSb nanosheet possesses pronounced benefits in lateral scaling and can thus serve as a new building block for the developments of quantum computation and quantum simulation technologies.     

不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光的影响研究

本文制备了几种含不同磨料(SiC、Al2O3不同粒径SiO2)的抛光液,通过纳米粒度仪分析磨料粒径分布,采用原子力显微镜观察磨料的粒径大小.研究了不同磨料对蓝宝石晶片化学机械抛光(CMP)的影响,利用原子力显微镜检测抛光前后蓝宝石晶片表面粗糙度.实验结果表明,在相同的条件下,采用SiC、Al2O3作为磨料时,材料去除速率与表面粗糙度均不理想;而采用含1;粒径为110 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率最高为41.6 nm/min,表面粗糙度Ra=2.3 nm;采用含1;粒径为80 nm SiO2的抛光液,材料的去除速率为36.5 nm/min,表面粗糙度最低Ra=1.2 nm.