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151.
The structure and magnetic properties of Nd0.5Pb0.5-xSrxMnO3 (0≤x≤0.4) manganites were systematically investigated. Significant changes in Curie temperature and metal-insulator (MI) transition temperature of the samples were observed. All samples exhibited a transition from paramagnetic semiconducting to ferromagnetic metallic state.Curie temperature Tc and the MI transition temperature Tp increased with increasing Sr content. We attributed these behaviours to the enhancing of both the double exchange mechanism and the Jahn-Teller electron-phonon coupling. 相似文献
152.
报道了一种以N-甲基苯肼和3-甲基-2-丁酮为原料一步合成1,3,3-三甲基-2-亚甲基吲哚啉的新工艺。讨论了影响产品收率的各种因素。该新工艺具有原料易得,工艺路线较短,减少环境污染等特点。 相似文献
153.
154.
La0.67Ca0.33MnO3 and La0.67Ca0.33Mn0.96Fe0.04O3单晶的磁性和磁电阻特性。由于缺少晶粒间界,磁场对于自旋涨落的抑制作用更加明显,所以单晶中的磁电阻率比多晶的提高了两个数量级。通过Fe的掺杂,在40×105A/m的磁场下,磁电阻率从3400%进一步提高到了17600%。通过对居里温度以上电阻率的小极化子模型拟和的结果,我们看到随着Fe的掺杂,激活能被提高。磁极化子激活能的增大可以更加局域电子,这可能是在Fe掺杂单晶中本征磁电阻率进一步提高的主要原因。 相似文献
155.
本文提出了Tb3+和Tm3+的交叉弛豫机理,计算了交叉弛豫几率,研究了Tm3+对Tb3+离子发光性质的影响,结果指出Tm3+对Tb3+离子的5D3能级的荧光有很强的猝灭作用,对5D4能级的荧光有增强作用,并且给出Tb的荧光强度和Tb3+,Tm3+离子浓度之间的依赖关系。 相似文献
156.
157.
Yuanjie Chen 《中国物理 B》2021,30(12):128501-128501
We report on the transport study of a double quantum dot (DQD) device made from a freestanding, single crystalline InSb nanosheet. The freestanding nanosheet is grown by molecular beam epitaxy and the DQD is defined by the top gate technique. Through the transport measurements, we demonstrate how a single quantum dot (QD) and a DQD can be defined in an InSb nanosheet by tuning voltages applied to the top gates. We also measure the charge stability diagrams of the DQD and show that the charge states and the inter-dot coupling between the two individual QDs in the DQD can be efficiently regulated by the top gates. Numerical simulations for the potential profile and charge density distribution in the DQD have been performed and the results support the experimental findings and provide a better understanding of fabrication and transport characteristics of the DQD in the InSb nanosheet. The achieved DQD in the two-dimensional InSb nanosheet possesses pronounced benefits in lateral scaling and can thus serve as a new building block for the developments of quantum computation and quantum simulation technologies. 相似文献
158.
159.
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了空位和B替位掺杂对Si在石墨烯上吸附的影响. 结果表明: 对完整的石墨烯结构, Si吸附在桥位最稳定, Si吸附改变了石墨烯中C原子的自旋性质; 空位和B替位掺杂均加强了Si在缺陷处的吸附, 空位对Si在石墨烯上吸附的影响相对较大; B掺杂改变了Si的稳定吸附位置(由桥位移到顶位); Si在空位和B掺杂石墨烯上吸附, 体系不具有磁性; B掺杂提高了石墨烯体系的导电性能; 单空位缺陷不易形成, 结构不稳定, B掺杂结构相对较稳定. 相似文献
160.
薄膜晶体管-液晶显示行业(TFT-LCD)高精细产品需求越来越多,尤其当8.5代及以上大世代线生产手机等小尺寸产品时,彩膜曝光机的曝光均一性及叠层(Overlay)精度难以保证的问题突出,影响大世代线高精细产品的开发及生产。通过对彩膜曝光机自动补偿功能的研究,发现使用曝光机的间距(Gap)自动补偿,将差值自动补正到每个区域(Shot)中,使每个区域曝光间距更接近实际间距,使区域间间距差异变小,可以保证曝光均一性;另外,通过使用曝光机的新型光路自动补偿系统,根据每枚基板整体形变和黑矩阵(BM)工艺的区域形变的实际形变量进行更有效的补偿,得到更匹配BM的区域形状,可以提高叠层精度。当彩膜曝光机可以保证曝光均一性和叠层精度,则可为大世代线开发和生产更多小尺寸高精细产品提供支持。 相似文献