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We present a model of passively Q-switched Raman lasers by utilizing the rate equations. The intracavity fun-damental photon density, Raman photon density and the initial population-inversion density of the gain medium are assumed to be of Gaussian spatial distributions. These rate equations are normalized by introducing some synthetic parameters and solved numerically, and a group of general curves are generated. Prom these curves we can understand the dependence of the Raman laser pulse characteristics on the parameters about the pumping, the gain medium, the Raman medium and the resonator. An illustrative calculation for a passively Q-switched Nd^3+:GdVO4 self-Raman laser is presented to demonstrate the usage of the curves and related formulas.[第一段] 相似文献
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本文讨论了非晶态Nd_xT_(1-x)(T=Fe,Co,Ni)薄膜为滋结构,以及在低温下磁化强度随温度变化的反常特性,在20K附近观测到磁化强度有陡降现象,并且在较大的成份范围内所对应的温度基本不变,我们认为,在这类非晶态合金中,当Nd含量超过一定值后,其磁中性态(通称基态)可能同时是散反铁磁性和散铁磁性的共存态,在20K附近的磁化强度发生陡降,是散反铁磁性←→顺磁性相转变的反映,这两种磁结构共存的临界成份相应约为:Nd-Fe情况x≥0.45;Nd-Co,x≥0.20;Nd-Ni,x≥0.08。 相似文献
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Re effects in model Ni-based superalloys investigated with first-principles calculations and atom probe tomography 下载免费PDF全文
The phase partition and site preference of Re atoms in a ternary Ni-Al-Re model alloy,including the electronic structure of different Re configurations,are investigated with first-principles calculations and atom probe tomography.The Re distribution of single,nearest neighbor(NN),next-nearest neighbor(NNN),and cluster configurations are respectively designed in the models withγandγphases.The results show that the Re atoms tend to enteringγphase and the Re atoms prefer to occupy the Al sites inγphase.The Re cluster with a combination of NN and NNN Re-Re pair configuration is not preferred than the isolated Re atom in the Ni-based superalloys,and the configuration with isolated Re atom is more preferred in the system.Especially,the electronic states are analyzed and the energetic parameters are calculated.The electronic structure analyses show there exists strong Ni-Re electronic interaction and it is mainly contributed by the d-d hybridization.The characteristic features of the electronic states of the Re doping effects are also given.It is also found that Re atoms prefer the Al sites inγside at the interface.The density of states at or near the Fermi level and the d-d hybridizations of NN Ni-Re are found to be important in the systems. 相似文献
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晶体光纤是一种新型的高性能光纤材料,具有稀土离子掺杂浓度高、传光性好、耐高温、耐腐蚀等优点.晶体光纤在激光及传感方面具有巨大的应用潜力,然而至今还没有成功制备出真正意义上的同时具有晶体纤芯和晶体包层的小芯径晶体光纤.与传统的玻璃光纤相比,晶体光纤的制备工艺更加复杂,如何对晶体光纤制备工艺进行完善和创新是当前需要解决的重要问题.为了探索提高晶体光纤质量的途径,本文以晶体光纤的四种制备技术为主线,回顾了晶体光纤及其制备方法的发展历程,讨论了每种制备方法的局限性,对晶体光纤目前的应用状况进行了总结,并对其未来发展趋势进行了展望. 相似文献
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