Si掺杂的铁磁形状记忆合金Co50Ni21Ga29Six的物性研究

成功生长了Co₅₀Ni₂₁Ga₂₉:Si(x=1,2)单晶样品,对其磁性,马氏体相变及其相关性质进行了细致的测量.发现掺Si成分的单晶具有非常迅速的马氏体相变行为、2.5％的大相变应变、大于100 ppm的磁感生应变和4.5％的相变电阻.进一步研究指出,在CoNiGa合金中掺入适量Si元素,能够降低材料的马氏体相变温度,减小相变热滞后,提高材料的居里温度,并使得磁性原子的磁矩有所降低.尤其重要的是Si元素的添加能够增大材料马氏体的磁晶各向异性能,改善马氏体变体的迁移特性,从而获得更大的磁感生应变. 关键词： 铁磁形状记忆合金 Heusler合金 50Ni₂₁Ga₂₉Si_x')" href="#">Co₅₀Ni₂₁Ga₂₉Si_x     

一种基于导模共振的电光调制器研究

实验研究了基于导模共振的反射型电光调制器采用的棱镜耦合方式,在棱镜上面镀有4层膜,依次为银膜下电极-极化聚合物-缓冲层-金膜上电极。对这种衰减全反射（ATR）型的聚合物波导电光调制器进行了视频调制实验,采用静态偏置电压稳定模式同步角方法,结合对入射激光束进行监测,解决了视频调制中激光器噪声对模拟信号调制影响的问题,提高了工作稳定性。实验结果表明：该电光调制器具有良好的线性和较高的灵敏度。     

广义中心阶乘数与高阶Nrlund Euler-Bernoulli多项式

本文讨论了广义中心阶乘数的性质,刻画了广义中心阶乘数与高阶Ｅｕｌｅｒ－Ｂｅｒｎｏｕｌｌｉ数和多项式的关系,建立了一些包含 Ｎｏｒｌｕｎｄ Ｅｕｌｅｒ－Ｂｅｒｎｏｕｌｌｉ多项式恒等式,推广了 Ｄｉｌｃｈｅｒ Ｋ．［１］,Ｚｈａｎｇ Ｗｅｎｐｅｎｇ［２］和 Ｚｅｉｔｌｉｎ　Ｄａｖｉｄ［３］的结果．     

微观缺陷对材料损伤阈值的影响分析

为了研究材料表面高频缺陷对损伤阈值的影响规律,针对典型表面圆锥凸起状表面缺陷建立了三维分析模型,使用有限元算法计算了两种不同波长激光辐照下,表面缺陷周围的电场变化规律。基于激光诱导材料产生损伤的场效应理论,对缺陷存在条件下材料的损伤阈值进行了定量计算。结果表明,缺陷的存在会对电场产生明显的放大效应,这将直接导致损伤阈值的下降;损伤阈值与缺陷高度成反比关系,与入射波长成正比关系;缺陷导致的损伤阈值下降幅度会随脉宽增加先减小后增大,当入射波长分别为351nm和1064nm时,缺陷导致的损伤阈值下降幅度分别在脉宽为1.80ps和15.80ps处最小。     

基于嵌入式GPU的红外弱小目标检测算法

红外弱小目标的目标像素少,目标对比度低,成像帧率高,图像数据量大,检测实时性强。针对红外弱小目标检测算法适合于GPU并行计算的特点,对其在嵌入式GPU平台Jetson TX2上进行了并行优化实现。在检测算法设计、内存访问、调试优化3个方面进行了优化设计。实验结果表明,对640×480像素分辨率的红外视频,并行优化后的目标检测算法能够在10 ms内完成计算,满足实时处理需求。     

单晶Ni52Mn24Ga24中马氏体变体择优取向的物理表征

关键词：     

递归序列与高阶项式

引　　言关于递归序列与Euler-Bernoulli数和多项式、递归序列与高阶Euler-Bernoulli数和多项式的关系问题的研究一直是国内外许多学者感兴趣的课题,并有了许多研究成果(见[1]～[7]).本文首先对Euler-Bernoulli数和多项式、高阶Euler-Bernoulli数和多项式进行推广,提出高阶多元Euler数和多项式、高阶多元Bernoulli数和多项式的定义,然后讨论它们与递归序列的关系,文中得出的结果是P.F.Byrd[1],R.P.Kelisky[2]和Zhangzhizheng[3]的相应结果的推广和深化.2　定义和引理定义2.1　k阶s元Euler数E(k)v1…vs和k阶s元Bernoulli数B(k)v1…v…     

用离子交换树脂脱除氨基酸与盐混合液中的盐

在用蛋白质酸性水解备氨基酸时,因中和残留的酸会使水解液中带入大量的盐。在进一步用离子交换色谱法分离混合氨基酸时,首先需脱掉其中的盐。本文用苯乙烯系强酸性阳离子交换树脂的盐型柱,根据氨基酸与苯乙烯系强酸性阳离子交换树脂之间既存在离子间的静电作用,又存在疏水作用,且二者之间存在协同作用,而盐在盐型苯乙烯系强酸性阳离子交换树脂柱上不保留的原理,用水作为洗脱剂,使盐和氨基酸（配制的盐和氨基酸混合液及含盐的毛发水解液）得到分离,本方法脱除氨基酸中的盐简单易行,用水作为洗脱剂即廉价由不造成污染,盐型树脂不用再生即可用于下次运行,研究了各种条件对分离性能的影响。     

飞秒激光辐照下硅薄膜的非傅里叶能量输运

当激光能量激励时间与能量载子的特征弛豫时间相当时，能量输运不再是建立在温度梯度基础上的扩散方式，宏观输运模型失去其成立的物理基础，需要用更严格的包含电声子相互作用的非傅里叶输运模型来描述。针对飞秒激光作用下100nm厚度硅薄膜内的微观能量输运过程，从弛豫时间近似下的电子Boltzmann输运方程出发（仅考虑电子间的弹性散射），结合电子和声子的能量守恒方程（包含电子和声子之间的能量耦合项），可以得到双曲双步输运方程：     

HIGHER ORDER MULTIVARIABLE NORLUND EULER-BERNOULLI POLYNOMIALS

The definitions of higher order multivariable Norlund Euler polynomials and Norlund Bernoulli polynomials are presented and some of their important properties are expounded. Some identities involving recurrence sequences and higher order multivariable Norlund Euler-Bernoulli polynomials are established.