一种研究一维掺杂光子晶体缺陷模的方法

建立一维掺杂光子晶体的谐振腔模型并研究其缺陷模特性,采用相干叠加的方法推导缺陷模的透射率及频率,建立一种研究缺陷模的方法——相干叠加法.将相干叠加法与特征矩阵法和共振理论进行比较,结果表明:相干叠加法具有特征矩阵法和共振理论的优点,并克服了特征矩阵法和共振理论的不足.相干叠加法是一种研究一维掺杂光子晶体缺陷模的更为有效的方法.     

喹唑啉类杂环化合物的化学——Ⅲ.N~1,N~3-二氧化-4-羥基喹唑啉的分子重排反应

N~1,N~3-二氧化-4-羟基喹唑啉(Ⅰ)与浓盐酸回馏作用,得75—81％的2,4,6一三羟基喹唑啉(Ⅱ),11—17％的N~3-氧化-4-羥基-6-氯喹唑啉(Ⅳ,N~3-羥基-6-氯喹唑酮-4)及2—3％的3,5-二氯邻氨基苯甲酸(Ⅴ)。化合物Ⅱ的结构是借与已知样品的混合熔点及其6-乙酰基衍生物而加以确证。化合物Ⅳ的结构是借(1)其氧化降解为2-硝基-5-氯苯甲酸;(2)其碱性水解为5-氯邻氨基苯甲酸;(3)经铁粉-盐酸还原为4-羥基-6-氯喹唑啉,及(4)其红外吸收光谱显示N—O吸收峯等事实推定。根据红外吸收光谱及化学性质我们认为化合物Ⅳ是以两种互变异构体形式存在。由于它显示有喹唑啉环的特征吸收峯(1515,1563及1613厘米~(-1)),但在1695厘米~(-1)处无羰基的吸收峯,及在氯化铁催化剂存在下可以为铁粉还原而得脱氧衍生物,这就指示N~3-氧化物(Ⅳa)的结构存在。另一方面,化合物Ⅳ溶于碳酸氢钠溶液,在乙酸铜的微酸性乙醇液中形成不溶性的铜盐沉淀,及其对于浓盐酸的不活泼性,则均支持N~3-羥肟酸(Ⅳb)的结构。化合物Ⅴ的结构是借与已知物的混合熔点,与乙酸酐形成2-甲基-6,8-二氯苯骈噁嗪-3,1-酮-4,及后者变为N-乙酰基-3,5-二氯邻氨基苯甲酸等事实而确证。化合物Ⅳ虽不能在热浓盐酸中产生重排反应,但与五氯化磷-三氯氧化磷反应后,产物经浓盐酸水解,则得重排产物2,4-二羟基-6-氯喹唑啉。     

光在一维光子晶体中的全反射贯穿效应

为了研究一维光子晶体中光波的全反射贯穿效应,利用传输矩阵法计算了TE波和TM波在大于全反射角入射一维光子晶体的透射率.在透射波中发现了全反射贯穿效应,得出了全反射贯穿效应随入射角的变化规律、全反射贯穿效应的波长特性以及全反射贯穿效应随介质光学厚度的变化规律.利用波的量子理论和渐逝波的理论对一维光子晶体的全反射贯穿效应作...     

半无限周期光子晶体全反射隧穿效应的共振机理

建立了一维半无限周期光子晶体的谐振腔模型.利用谐振腔的共振条件推导出全反射隧穿导带波长满足的解析公式,从理论上解释了一维半无限周期光子晶体的全反射隧穿效应产生的物理机理.利用波长的解析公式对全反射隧穿导带的波长随导带级数、腔光学厚度以及入射角的变化规律进行了研究,解释了一维半无限周期光子晶体的全反射隧穿效应的变化规律.将共振理论的结果与色散法的结果进行比较,其结果吻合.     

一维掺杂光子晶体缺陷模的共振理论

为了得到一维掺杂光子晶体的共振理论,建立了一维掺杂光子晶体的谐振腔模型,利用谐振腔的共振条件推导出缺陷模频率满足的解析公式,从理论上解释了产生一维掺杂光子晶体缺陷模的物理机理.利用频率的解析公式对缺陷模的频率随入射角、杂质光学厚度以及杂质折射率的变化规律进行了研究,解释了一维掺杂光子晶体缺陷模的变化规律.与特征矩阵法的计算结果相比,其结果完全吻合,从而证明了共振理论的正确性,弥补了一维光子晶体研究中数值计算方法的不足.     

光在一维光子晶体中的全反射贯穿效应

为了研究一维光子晶体中光波的全反射贯穿效应,利用传输矩阵法计算了TE波和TM波在大于全反射角入射一维光子晶体的透射率.在透射波中发现了全反射贯穿效应,得出了全反射贯穿效应随入射角的变化规律、全反射贯穿效应的波长特性以及全反射贯穿效应随介质光学厚度的变化规律.利用波的量子理论和渐逝波的理论对一维光子晶体的全反射贯穿效应作出了理论解释.     

方形LED阵列光斑发散特性的幂函数拟合

利用LED照度公式推导方形LED阵列的光斑半径和发散角公式,建立了研究方形LED阵列光斑发散特性的数值计算方法.通过拟合得到方形LED阵列的光斑半径和发散角随目标距离、m值及阵列边长变化的幂函数公式.结果表明,幂函数拟合方法与数值计算结果吻合,平均相对误差小于1%.该方法弥补了数值计算方法不能对方形LED阵列光斑发散特性解析研究的缺陷.     

弹性波在固-固结构矩形声子晶体中的传输特性

利用一维固-固结构矩形声子晶体中弹性波横向受限的条件,推导出弹性波在其中各个模式满足的关系式,利用它研究了弹性波各模式的特性。并用转移矩阵研究了弹性波的传输特性随模式量子数和边长的变化规律。得出了一些不同于一维固-固结构非受限声子晶体的新特征,即一维矩形声子晶体的禁带由模式量子数确定,禁带的频率中心和频率宽度与模式量子数和边长有关。