15.14MeV/u 136Xe离子引起的单粒子效应

研究了15.14MeV/u ¹³⁶Xe离子在不同批次的32k×8bits静态存储器中所引起的单粒子效应.获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系.将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系,而不是线性能量转移(LET)值.估计了灵敏体积的深度和死层的厚度.     

溶剂效应对聚喹啉铝发光特性的影响

研究了非共轭聚喹啉铝（Palq)在氯仿和乙醇不同极性的溶剂下所获得的薄膜的吸收和发光光谱。由于溶剂性的不同，聚喹啉铝链在氯仿和乙醇溶液中表现出不同的聚集状态。当各种溶液分别旋涂成膜时，溶液中的聚喹啉铝的聚集态仍部分地保存下来，导致不同聚喹啉铝薄膜的电子结构状态的差别。结果，聚喹啉铝的薄膜表现出不同的发光特性。实验表明，在制作聚合物器件中，溶剂的选择对共轭聚合物的发光特性有着重要的影响。     

未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构

用密度泛函理论研究直径为9.5Å,15.9Å和22.5Å,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.     

直接耦合双耦合环高温超导dcSQUID中增大有效面积的图形设计

设计和制作了一种新型的双耦合环的直接耦合高Tc dc SQUID结构。根据Y.Zhang等在高Tc rf SQUID中用图形填充内孔使电感减小的原理，在直接耦合dc SQUID中，用在耦合环内孔中图形填充的方法减小电感，进而增大Ap/Lp，以增大总的有效面积。用双晶衬底所做的对比实验表明，对于我们所设计的几何结构，有效面积增大了17%。     

落球法测液体粘度实验公式中两补正系数的实验求法

当半径为r0的光滑小圆球,以速度v在均匀的无限宽广的液体中运动时,若速度不大,球也很小,在液体中不产生涡流的情况下,根据斯托克斯公式,球在液体中所受到的阻力F为F=6πηvr (1)式中η为液体的粘度.     

增强型延迟反馈法控制低维混沌系统的解析研究

基于时间延迟反馈控制混沌系统的方法,提出一种增强型控制方案,并利用分析延迟系统产生Hopf分支条件的方法,给出这种方案控制低维连续自治混沌系统时,在达到控制目标的条件下,控制参数的一般解析关系.将这一方案和分析方法应用到两个混沌模型中,结果表明:采用修正的方案可以明显地改善控制混沌的效果和质量;解析分析的结果与实际数值计算的结果一致. 关键词： 延迟反馈 混沌控制 Hopf分支     

由介质球构成的三维光子晶体能带结构的平面波研究

采用平面波展开方法计算由介质球构成的面心立方三维光子晶体的能带结构及透射性质.选 用合适的平面波个数研究了SiO₂蛋白石结构光子晶体的能带及透射性质，并采 用转移矩阵 方法计算了电磁波沿［111］方向的传输特性，两种方法得到的结果相符合.还研究了反蛋白 石结构光子晶体的全带隙.最后，研究了壳层介质球构成的面心立方结构光子晶体的能带特 性，发现在高介质球外面包裹适当厚度的低介电常数介质壳层所构成的光子晶体，可以增大 L点相对带隙宽度50％，并证明了其优化内外半径比值约为0．69. 关键词： 光子晶体 光子能带 平面波展开方法 Core-Shell结构     

溶液中向列型液晶有序度以及外场对它们的影响

根据Lebwohl-Lasher模型以及平均场近似得到了存在于外场中的溶液中向列型液晶分子有序度参数的自洽方程.无外场时,溶液中液晶发生一级相变,不同浓度相转变时2>均为0.324,T^N1与浓度成正比,T_φ^N1=T_φ=1^N1φ。而存在外场时,液晶发生二级相变,且都发生于2>=0.40处.液晶分子取向分布曲线为V型,均方偏差随2关键词：     

求解一阶电路对任意信号响就的一种方法

提出一种求解任意信号作用下的一阶电路响应的方法，利用三要素法求其阶跃响应和零输入响应，再利用卷积得出结果，方法简洁方便。     

爆轰产物物态方程及CHBr3相变的理论研究

 由吉布斯自由能最小计算处于化学平衡状态的气体和固体混合系统的平衡组分。以BKW和VLW作为爆轰产物的物态方程对几种炸药爆轰参数作了预言，计算结果与实验值吻合得非常好。另外，还对CHBr₃的冲击压缩分解作了化学平衡计算，给出了冲击压缩曲线，对文献[6]中提出的CHBr₃在55~60 GPa存在相变的看法提出了质疑。