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报道了中心对称光折变晶体与线性电介质界面表面波的形成及能量变化. 通过调节传播常数和波导参数的方法,可以得到非局域、振荡、局域三种类型的表面波. 波导参数和传播常数之差大于阈值时,线性电介质和中心对称光折变晶体界面可以形成局域表面波. 波导参数为正值时,局域表面波主要聚集在中心对称光折变晶体内,随着传播常数的增大,波能量随之单调递增,表面波可以稳定传播. 在给定的条件下,调节决定非线性作用强度的可变参量可以控制局域表面波模的阶数和传播波形.
关键词:
非线性光学
中心对称光折变晶体
表面波 相似文献
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动态表面增强拉曼光谱是在干态与湿态表面增强拉曼光谱(SERS)检测的基础上发展而来的,不仅具有极好的信号增强,还具有良好的重复性与稳定性。提出了一种基于动态SERS与多元分析方法的敌瘟磷快速定量分析方法。实验中,首先测量100,50,10,5,1,0.5和0.1 mg·L-1敌瘟磷动态SERS谱图,并使用多项式校正方法去除光谱基线漂移。然后,处理后的全范围(600~1 800 cm-1)与特征范围(674~713,890~1 195,1 341~1 399和1 549~1 612 cm-1)光谱分别利用支持向量机回归(SVR)构建定量模型,实现对敌瘟磷的定量分析。同时,实验还评估了主成分分析(PCA)对定量分析结果的影响。实验结果表明特征范围光谱所建立的模型预测误差较小,而数据经过PCA处理后预测误差得到进一步下降。最优回归模型是由特征范围光谱经PCA处理后所构建的模型(RMSECV=0.065 7 mg·L-1),模型能够准确地预测敌瘟磷溶液浓度。为了测试实际检测中的效果,该方法被用来对苹果表面的敌瘟磷残留进行检测,并通过气相色谱法进行验证。结果表明该方法对于同一样本多次检测值波动较小,且检测均值与气相色谱检测值相差较小,相对误差最大仅为5.13%。此外,动态SERS检测可在2 min内完成,且后续数据处理也可在数秒内完成,同时整个过程的试剂消耗仅在2 μL左右。因此,所提出的方法在敌瘟磷快速准确检测具有极大优势。 相似文献
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报道了n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在极低温 (5—10 K)条件下的各种光学性质. 磁场中(Farada配置)ZnSe层的反射光谱展示了一个典型的负的带电激子(X-)的跃迁特征. 对于空间间接光致发光(spacially indirect PL)光谱,它的主发光峰显示了一个反玻尔兹曼分布的非对称性,并且在磁场中(Voigt配置)它的峰值能量随磁场的增加而降低. 这些实验结果显示了该掺杂样品的空间间接PL是来自Ⅱ型QW结构所特有的带电激子的跃迁.
关键词:
光致发光
二维电子气
带电激子
Ⅱ型量子阱 相似文献
27.
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采用经典XY模型,阐明了三角格子上层状超薄膜磁性材料的相变和临界现象.并用Monte-Carlo方法对该模型的内部能量、比热、chirality等热力学量进行了计算.使用finite-size scaling 分析法对临界现象的性质进行了论述.通过上述分析和计算,发现该模型在反强磁性层与强磁性层内的chirality在一定范围内随温度的变化急剧增加,这是一种新的chirality相变;而在另一范围内存在Kosterliz-Thouless相变和通常的chirality相变.这种新的chirality相变的
关键词:
层状XY模型
临界现象
Monte-Carlo模拟
磁性薄膜 相似文献
29.
The Langevin equation is used to simulate the fission process of ^112Sn ^112Sn and ^116Sn ^116Sn. The mass distribution of the fission fragments are given by assuming the process of symmetric fission or asymmetric fission with the Gaussian probability sampling. The isoscaling behaviour has been observed from the analysis of fission fragments of both the reactions, and the isoscaling parameter α seems to be sensitive to the width of fission probability and the beam energy. 相似文献
30.
Carriers recombination processes in charge trapping memory cell by simulation 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
We have evaluated the effects of recombination processes in a charge storage layer, either between trapped electrons and trapped holes or between trapped carriers and free carriers, on charge trapping memory cell's performances by numerical simulation. Recombination is an indispensable mechanism in charge trapping memory. It helps charge convert process between negative and positive charges in the charge storage layer during charge trapping memory programming/erasing operation. It can affect the speed of programming and erasing operations. 相似文献