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71.
利用基于密度泛函理论(DFT),采用赝势平面波方法和广义梯度近似法(GGA)研究了闪锌矿ZB结构和盐岩RS结构GaP的基态电子结构、光学性质,根据能带理论初步研究GaP基态能带结构、总态密度(DOS)和分波态密度(PDOS),并计算出吸收系数,反射率,复介电函数,复折射率及能量损失函数.还计算了闪锌矿结构的GaP的各向异性. 相似文献
72.
以表面修饰乙烯基团的SiO2微球为基体,白藜芦醇为模板分子,丙烯酰胺(AA)为功能单体,乙二醇二甲基丙烯酸酯(EGDMA)为交联剂,采用表面印迹技术制备核-壳型白藜芦醇印迹微球。采用红外光谱(IR)、扫描电子显微镜(SEM)对该分子印迹微球进行表征,结果表明,SiO2表面成功接枝一层厚度为200nm的印迹聚合物,该印迹微球颗粒分散均匀。采用高效液相色谱技术对印迹微球的吸附性进行研究表明,此印迹微球具有良好的识别性能,利用Scatchard模型分析得出印迹微球的最大吸附量分别为Qmax1=9.087mg/g和Qmax2=13.80mg/g。此印迹微球成功用于分离虎杖提取液中白藜芦醇。 相似文献
73.
微波辅助萃取-衍生气相色谱-电子捕获检测器法测定电子电气产品中的四溴双酚A 总被引:2,自引:1,他引:1
以N,O-双(三甲基硅烷基)三氟乙酰胺(BSTFA)作衍生化试剂,采用微波辅助萃取-衍生气相色谱-电子捕获检测器法(GC-ECD)测定电子电气产品中的四溴双酚A。使用V(甲苯)∶V(甲醇)=10∶1微波辅助萃取电子电气样品,用正己烷沉淀萃取液中的高聚物,净化后,将萃取液进行衍生化反应,采用ECD检测器进行定量测定。对衍生化时间、衍生化温度、衍生化试剂用量、沉淀试剂用量等前处理条件进行了优化,并进行了线性、回收率、精密度等试验。结果表明,方法线性范围为0.005~5 mg/L,相关系数为0.9985,方法的检测下限为0.02 mg/kg。采用样品加标的方式进行四溴双酚A的精密度及回收率实验,回收率在81.7%~110%之间,相对标准偏差RSD(n=7)小于7.2%。所建方法能很好的应用于电子电气产品中四溴双酚A的检测。 相似文献
74.
用绝热测试的压力数据计算分解反应的表观活化能 总被引:1,自引:0,他引:1
绝热量热技术的广泛应用促进了绝热动力学研究的发展.至今为止,绝热动力学的研究仍是以Townsend 和 Tou在1980年提出的绝热动力学方程为基础.他们利用反应物浓度与温度的关系建立动力学模型,从而求得了反应的活化能.但这种方法在反应体系的温度效应不明显时的应用,就受到很大的限制.因此,本文通过建立用压力表示的动力学方程,充分利用绝热量热中的压力数据,提出了一种计算反应活化能的新方法.同时用这种方法计算了过氧化二叔丁基和2-甲基-5-硝基苯磺酸的绝热分解活化能值,并与文献值和其他计算方法所得结果进行了比较. 相似文献
75.
76.
X射线荧光光谱法同时测定电子电气产品中限制使用物质铅、汞、铬、镉和溴 总被引:7,自引:3,他引:4
提出了用X射线荧光光谱法同时测定电子电气设备中限制使用物质铅、汞、铬、镉和溴的一种新的测试方法。研究了金属材料基体、聚合物基体和不同电子产品等基体对待测元素的影响,研究了元素间谱线重叠所产生的光谱干扰,考察了样品大小不同和样品厚度不同对待测元素测试结果的影响,并选用Rh线的康普顿散射线作内标来校正这些非光谱干扰的影响。选用自制的参考物质制作工作曲线,各待测元素的浓度范围从最低测定下限100到1 500 mg·kg-1,均获得非常好的线性关系。选用有证标准物质BCR-681,并设置100 s测量时间来计算铅、汞、铬、镉和溴的最低检出限,其检出限分别为Pb Lβ 0.64 mg·kg-1,Hg Lα 0.51 mg·kg-1,Cr Kα 0.78 mg·kg-1,Cd Kα 1.10 mg·kg-1和Br Kα 0.27 mg·kg-1。以BCR-681作为实际样品进行测试,其结果与标准推荐值非常吻合。 相似文献
77.
78.
79.
维生素E(α-生育酚)和它的衍生物醋酸α-生育酚是维生素E的同类物,由于具有促进人体血液循环,保护皮肤水分,防止皮肤色素沉着,防皱等作用,且又是很好的抗氧化剂,近年来,维生素E及其同类物广泛用于化妆品中[1],故在化妆品的分析中常需对该类物质进行分析和测定.目前,国内外所使用的测定方法有HPLC和GC法[2-4],但样品前处理过程繁琐,且因化妆品成分复杂,尤其是W/O型护肤膏霜中,含和维生素E有相同保留时间的物质,需用其它方法进一步进行确证[3].本文采用GC-MS-SIM法来测定化妆品中的维生素E,不仅大大简化了样品前处理,且灵敏度高,选择性强,较好地解决了HPLC及GC法测定化妆品中VE含量所遇到的一系列问题. 相似文献
80.
作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段。本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺GaN四种体系的电子结构和光学性质做了计算和分析,结果表明:掺杂后的体系都具有良好的稳定性;掺杂后各体系的体积均增大,说明杂质的引入使体系晶格发生畸变,对光生空穴-电子对的分离有促进作用,进而提高材料的光催化性能;杂质元素的引入使体系能级发生劈裂,电子跃迁更加容易;掺杂后各体系的介电函数虚部主峰均向低能区移动,吸收谱均红移至可见光区域,其中共掺体系在蓝绿光区域的吸收系数最大,由此可以推测C-Ti共掺有助于提高GaN的光催化性能。 相似文献