High throughput N-modular redundancy for error correction design of memristive stateful logic

Memristive stateful logic is one of the most promising candidates to implement an in-memory computing system that computes within the storage unit. It can eliminate the costs for the data movement in the traditional von Neumann system. However, the instability in the memristors is inevitable due to the limitation of the current fabrication technology, which incurs a great challenge for the reliability of the memristive stateful logic. In this paper, the implication of device instability on the reliability of the logic event is simulated. The mathematical relationship between logic reliability and redundancy has been deduced. By combining the mathematical relationship with the vector-matrix multiplication in a memristive crossbar array, the logic error correction scheme with high throughput has been proposed. Moreover, a universal design paradigm has been put forward for complex logic. And the circuit schematic and the flow of the scheme have been raised. Finally, a 1-bit full adder (FA) based on the NOR logic and NOT logic is simulated and the mathematical evaluation is performed. It demonstrates the scheme can improve the reliability of the logic significantly. And compared with other four error corrections, the scheme which can be suitable for all kinds of R-R logics and V-R logics has the best universality and throughput. Compared with the other two approaches which also need additional complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) circuits, it needs fewer transistors and cycles for the error correction.     

弹性连杆机构的低阶谐振分析

本文重点分析了弹性连杆机构发生低阶谐振的原因和条件,以及相应的临界频率计算问题.     

建筑风压数值模拟的几种并行化策略

针对四个处理机的Ｔｒａｎｓｐｕｔｅｒ并行计算机系统，建立了建筑风压数值模拟问题基于ＳＩＭ－ＰＬＥＣ算法的几种并行化策略：分区并行策略、方程并行策略和双重并行策略。对各种策略的计算流程、数据通讯及并行效率等进行了分析和比较，并通过实例计算作了验证。     

条形平板中裂纹识别的遗传算法

研究条形平板中平行于上下边界的单一裂纹的识别问题。给出了当一声波入射这一条形平板时，裂纹参数与反射、透射系数之间的关系式，并应用遗传算法对裂纹进行了定量识别。计算结果表明本文给出的方法具有较好的识别精度。     

磁性碳纳米管固相萃取-原子荧光光谱法测定水中痕量镉

建立了检测水中痕量镉的磁性固相萃取-原子荧光光谱法。制备磁性碳纳米管,以其作为固相萃取吸附剂用来萃取和富集水中的痕量镉,采用氢化物发生-原子荧光光谱法进行检测。在最佳条件下,镉在0.05~5.0μg·L-1范围内呈线性,检出限(3σ)为1.6 ng·L-1。加标回收率在97.1%~101%之间,测定值的相对标准偏差在1.6%~4.8%之间。方法用于分析标准物质,测定值与认定值相符。     

基于3-氧醚乙酸-邻苯二酸和N-辅助配体的锌和镉配合物的合成、晶体结构及荧光性质

水热法合成得到2个配合物,{[Zn7(L)4(bpe)2(μ3-OH)2(H2O)8]·4H2O}n(1),和{[Cd3(L)2(bpy)2.5(H2O)]·5.5H2O}n(2)(H3L=3-(carboxymethoxy)benzene-1,2-dioic acid,bpe=1,2-bis(4-pyridyl)-ethene,bpy=4,4′-bipyridine),并采用元素分析、红外光谱、热重和X-射线单晶衍射对其结构进行表征。配合物1中,配体L3-和bpe连接[Zn5(μ3-OH)2]中心形成一维链,这样的链通过氢键连接成三维的超分子结构。配合物2呈现(3,3,6)连接的网状结构。此外,对配合物1和2的荧光性质进行了研究。     

自动检测da/dN的微机系统

研制了一种da/dN自动检测系统;介绍了其工作原理和裂纹长度a及循环数N的采集方法;与传统的目测法做了对比;显示了该系统的优越性。     

Ba0.6Sr0.4TiO3/聚偏氟乙烯-聚甲基丙烯酸甲酯复合材料的制备及其介电性能

采用流延热压工艺制备Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)/聚偏氟乙烯(PVDF)?聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合薄膜,研究了PMMA含量对复合材料微观组织结构和介电性能的影响规律。结果表明,BST相能够均匀分散在聚合物基体中,归因于PMMA与PVDF良好的相容性,2种聚合物之间的界面不分明;随着PMMA含量的增加,复合材料的介电常数先降低后升高,耐击穿强度和介电可调性先增加后减少。PMMA含量(体积分数)为15%的BST/PVDF?PMMA₁₅复合材料的综合性能最佳:介电常数为23.2,介电损耗为0.07,耐击穿强度为1412 kV·cm^-1,在550 kV·cm^-1偏压场下,介电可调性为26.2%。     

辊速辊温对高密度聚乙烯拉伸微孔膜及其片晶结构的影响

采用熔融挤出片材—退火—冷拉伸—热拉伸—热定形的方法来制备高密度聚乙烯(HDPE)微孔膜,利用FTIR、SEM和DSC等测试方法来研究辊速辊温对HDPE拉伸微孔膜及其片晶结构的影响.研究结果表明,所选树脂的分子量、分子量分布以及弛豫时间能够满足现有加工条件,形成片晶取向度较高的预制膜;在相同辊温下,随辊速增加,退火前预...     

湿化学法合成纳米ZrB2粉末

本文利用ZrO2-B2O3-C体系中碳热还原的基本原理,分别使用正丙醇锆(Zr(OC3H7)4)、硼酸(H3BO3)和蔗糖(C12H22O11)为原料,采用溶胶-凝胶法合成了ZrB2纳米粉末。在实验设计过程中,首先使用化学修饰剂乙酰丙酮(acac)修饰Zr(OC3H7)4,目的是防止Zr(OC3H7)4的快速水解;其次,选用蔗糖作为碳源,是考虑到蔗糖热解时可以完全分解为碳,这样可以准确计算热解过程碳的生成量。结果表明:当起始原料nB/nZr=2.3、热解温度为1550℃时,通过溶胶-凝胶法可以成功合成单相ZrB2纳米粉末。分布均匀的颗粒形貌呈等轴状,平均尺寸约50 nm。