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直接使用CuCl2氯化芳基乙炔的反应通常存在着选择性差(有取代氯化和多种加成氯化的产物生成)、副产物多和分离困难等问题.描述了一种复合氯化剂(CuCl2·无机盐·载体)的制备以及基于该氯化剂取代氯化芳基乙炔的有效方法.首先通过一系列对比实验获得了CuCl2、载体和无机盐添加物的最佳配比.在此基础上考察了溶剂、复合氯化剂用量、反应温度诸因素对取代氯化反应的影响,提出了最佳反应条件:复合氯化剂为CuCl2·5/3Na Cl·5/2Al2O3,芳基乙炔与氯化剂的物质的量比为1∶3,溶剂为CH2Cl2,反应温度为35℃.在优化条件下,高产率(72%~99%)地合成了一系列1-氯-2-芳基乙炔目标产物1a~1n,并对这些化合物进行了表征.该方法反应条件温和、产率高、选择性好,并且适用于芳环上带有各种基团的底物. 相似文献
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有关本栏的稿件,请直接寄给熊斌(200062,华东师范大学),或冯志刚(200231,上海市上海中学).提供试题及解答请尽量注明出处.本期给出由上海的至刚先生提供的1999年保加利亚数学奥林匹克(第四轮)试题及解答.收稿日期:2000-04-061999年保加利亚数学奥林匹克第四轮1 将一个长方体(边长为整数,且被分为若干个单位正方体)的表面染成绿色,已知没有染上绿色的单位正方体的个数为长方体中单位正方体个数的13,求这个长方体的三条棱长.2 设数列{an}为一个整数数列,满足:对任意自然数n,均有(n-1)an 1=(n 1)an-2(n-1). 若2000|a1999,求最小… 相似文献
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Influence of Rapid Thermal Annealing on the Structure and Electrical Properties of Ce-Doped HfO2 Gate Dielectric 下载免费PDF全文
Ce-doped Hf02 (HfCeO) films are prepared by radio-frequency magnetron sputtering. The influences of rapid thermal annealing on the structure and electrical properties of HfCeO films are investigated. The results show that the incorporation of Ce into Hf02 increases the crystallization temperature of Hf02, and the cubic phase of Hf02 can be stabilized by incorporating Ce into Hf02. After high temperature annealing, Hf 4f core level spectra shift to a higher energy, whereas O 1s core level spectra shift to a lower energy. With increasing annealing temperatures, the effective permittivity increases, whereas the flat-band voltage shift and effective oxide charge density decrease. Moreover, the leakage current density of the HfCeO films decreases initially, and then increases as the annealing temperature increases. 相似文献
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有关本栏目的稿件 ,请直接寄给熊斌 (2 0 0 0 6 2 ,上海市华东师大数学系 ) ,或冯志刚(2 0 0 2 31,上海市上海中学 ) .提供试题及解答 ,请尽量注明出处 . 本期给出华东师大数学系范端喜先生提供的2 0 0 0年加拿大数学奥林匹克试题及解答 .2 0 0 0年加拿大数学奥林匹克竞赛试题及解答1 中午 12 :0 0 ,Anne ,Beth和Carmen从同一地点沿着 30 0米长的环形跑道跑步 .每人匀速地在无限的时间内以两种可能的方向奔跑 .证明 :如果Anne的速度不同于其他两人 ,那么在以后某一时刻 ,Anne与其他两人至少保持 10 0米远的距离 (… 相似文献
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In this paper,the notion of orthogonal vector-valued wavelet packets of space L2(Rs,Cn)is introduced.A procedure for constructing the orthogonal vector-valued wavelet packets is presented.Their properties are characterized by virtue of time-frequency analysis method,matrix theory and finite group theory,and three orthogonality formulas are obtained.Finally,new orthonormal bases of space L2(Rs,Cn)are extracted from these wavelet packets. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备了CoFe2O4/SiO2纳米复合材料,利用X射线衍射,透射电镜以及傅立叶变换红外吸收光谱分析了该复合材料的结构、形貌及形成机理,并在室温下用振动样品磁强计测量了复合材料的磁滞回线.实验结果表明:当煅烧温度不超过1 250 ℃时,复合材料中的球型CoFe2O4纳米晶镶嵌在非晶SiO2基体中,纳米晶的平均尺寸从煅烧温度850 ℃时的5 nm缓慢增大到1 250 ℃时的35 nm;当煅烧温度升高到1 300 ℃时,SiO2的晶化导致了CoFe2O4纳米晶的严重团聚,CoFe2O4纳米颗粒的平均尺寸迅速增大到83 nm,CoFe2O4的晶体结构有所改变,饱和磁化强度急剧增大,矫顽力和剩磁比则显著下降.并且在1 250 ℃时,复合材料的矫顽力和剩磁比均达到最大值,分别为1.61 kOe和0.91.在850 ℃时,复合材料表现超顺磁性. 相似文献