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Influence of GaAsP Insertion Layers on Performance of InGaAsP/InGaP/A1GaAs Quantum-Well Laser
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We report on the use of very thin GaAsP insertion layers to improve the performance of an In GaAsP/InGaP/AIGaAs single quantum-well laser structure grown by metal organic chemical vapour deposition. Compared to the noninsertion structure, the full width at half maximum of photoluminescence spectrum of the insertion structure measured at room temperature is decreased from 47 to 38 nm indicating sharper interfaces. X-ray diffraction shows that the GaAsP insertion layers between AIGaAs and InGaP compensates for the compressive strain to improve the total interface. The laser performance of the insertion structure is significantly improved as compared with the counterpart without the insertion layers. The threshold current is decreased from 560 to 450 mA while the slope efficiency is increased from 0.61 to 0.7W/A and the output power is increased from 370 to 940mW. The slope efficiency improved is very high for the devices without coated facets. The improved laser performance is attributed to the suppression of indium carry-over due to the use of the GaAsP insertion layers. 相似文献
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利用SOLO分类理论对高考试题进行能力结构分析,同时对学生在2021年全国甲、乙卷和湖北卷中的作答进行分析,诊断学生在化学反应原理主观题知识模块所处的SOLO水平。对比分析出大多数学生在解答化学反应原理试题的过程中处于多点结构水平,与高考试题呈现的SOLO水平有一定的差距。经访谈分析了不同SOLO水平的学生思维能力的不足之处,制定了高三渐进式复习策略。以化学平衡常数复习课为例,利用SOLO分类理论设计了多层级能力水平的复习内容和不同轮次复习的目标。 相似文献
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在一次高三数学阶段性检测中,笔者所在的命题组以下面一道题作为了该次检测的客观性压轴题,但从评卷结果以及命题组在考后所做的问卷调查来看,学生选出正确结果的比例尤其是思维正确率并不高,而且反映出了学生的基本技能技巧以及多种数学思想方法的综合运用能力不容乐观.本文以该题为例,谈一谈此题的六种切入视角,供大家参考. 相似文献
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近红外波段硅基金属光子晶体平板的亚波长成像特性 总被引:1,自引:1,他引:0
利用时域有限差分方法,理论上研究了由正方形金属嵌入背景材料硅中组成的二维正方晶格和三角晶格光子晶体的亚波长成像特性。采用Drude模型描述金属银的色散特性,在近红外波段该模型可以很好地描述金属的实际介电常数。通过结构参数的设计,在上述两种结构中实现了波长在1550nm附近的亚波长成像,并且发现金属对入射光的吸收使得成像位置处的光强稍有降低,但是对于光子晶体亚波长成像的质量并无影响。相对于通常的硅基空气孔型光子晶体亚波长成像器件,该种硅基金属型全固态光子晶体结构更加稳定,因而可以更好地在复杂全光集成回路中加以实际应用。 相似文献
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采用时域有限差分法研究了二维八重准晶有机光子晶体的光传输特性,重点分析了光束在聚苯乙烯空气柱平板结构和聚苯乙烯介质柱结构中的透射特性与光局域特性。研究结果表明,即使在低折射率对比度的情况下,两种完整八重准晶平板结构中均出现了可见光波段的光子带隙和本征模,且光子带隙中心位置随着平板厚度的增大而红移。当在两种准晶结构中引入缺陷微腔时,带隙内的缺陷模产生位置和波长红移特性随着微腔结构的变化规律明显不同,这种差异性是由两种物理机制(即光子晶体缺陷能级变化与微腔所支持的驻波条件)共同作用的结果。这一研究结果将为实验制备有机准晶发光器件提供一定的理论基础。 相似文献
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