二维八重准晶有机光子晶体平板的光学传播特性

采用时域有限差分法研究了二维八重准晶有机光子晶体的光传输特性,重点分析了光束在聚苯乙烯空气柱平板结构和聚苯乙烯介质柱结构中的透射特性与光局域特性。研究结果表明,即使在低折射率对比度的情况下,两种完整八重准晶平板结构中均出现了可见光波段的光子带隙和本征模,且光子带隙中心位置随着平板厚度的增大而红移。当在两种准晶结构中引入缺陷微腔时,带隙内的缺陷模产生位置和波长红移特性随着微腔结构的变化规律明显不同,这种差异性是由两种物理机制(即光子晶体缺陷能级变化与微腔所支持的驻波条件)共同作用的结果。这一研究结果将为实验制备有机准晶发光器件提供一定的理论基础。     

近红外波段硅基金属光子晶体平板的亚波长成像特性

利用时域有限差分方法,理论上研究了由正方形金属嵌入背景材料硅中组成的二维正方晶格和三角晶格光子晶体的亚波长成像特性。采用Drude模型描述金属银的色散特性,在近红外波段该模型可以很好地描述金属的实际介电常数。通过结构参数的设计,在上述两种结构中实现了波长在1550nm附近的亚波长成像,并且发现金属对入射光的吸收使得成像位置处的光强稍有降低,但是对于光子晶体亚波长成像的质量并无影响。相对于通常的硅基空气孔型光子晶体亚波长成像器件,该种硅基金属型全固态光子晶体结构更加稳定,因而可以更好地在复杂全光集成回路中加以实际应用。     

Influence of GaAsP Insertion Layers on Performance of InGaAsP/InGaP/A1GaAs Quantum-Well Laser

We report on the use of very thin GaAsP insertion layers to improve the performance of an In GaAsP/InGaP/AIGaAs single quantum-well laser structure grown by metal organic chemical vapour deposition. Compared to the noninsertion structure, the full width at half maximum of photoluminescence spectrum of the insertion structure measured at room temperature is decreased from 47 to 38 nm indicating sharper interfaces. X-ray diffraction shows that the GaAsP insertion layers between AIGaAs and InGaP compensates for the compressive strain to improve the total interface. The laser performance of the insertion structure is significantly improved as compared with the counterpart without the insertion layers. The threshold current is decreased from 560 to 450 mA while the slope efficiency is increased from 0.61 to 0.7W/A and the output power is increased from 370 to 940mW. The slope efficiency improved is very high for the devices without coated facets. The improved laser performance is attributed to the suppression of indium carry-over due to the use of the GaAsP insertion layers.     

软代数的同余理想

本文以软代数Ｆ的真积分解为工具，得到的主要结果是，如果软代数Ｆ的每信满足条件Ｉ∩Ｉ’＝Φ的理想Ｉ都是同余理想。则Ｆ是既约软代数，在既约的情况下，给出了软代数Ｆ的每个满足条件Ｉ∩Ｉ‘＝Φ的理想Ｉ都是同余理想的一个充分条件。从而初步解决了文「１」的结尾提出的一个问题。     

弹性接触问题的形状优化设计方法

设计模型复杂和结构的高度非线性等问题使得目前结构优化技术中很少涉及接触问题。面向对象的有限元法利用了面向对象编程的优点，有效地提高了编程的效率，并便于程序的扩充。在Visual C 软件平台上，开发编制了面向对象的有限元法程序，并对含接触问题的结构进行形状优化设计，重点推导并给出了含接触问题有限元法的灵敏度全解析分析的表达式，包括位移和应力的灵敏度分析、接触条件的灵敏度分析及相应的边界支配方程等。最后通过算例，验证了所提出的优化方法的正确性。     

Excel作图和二分法结合解超越方程的一种方法

利用Excel作图和二分法结合解超越方程,既能总体上把握解的概况,又能快速地得到各个解的高精度近似结果,是一种简单、实用的超越方程解法。     

过冷液氮温度下块材的悬浮特性及其仿真研究

随着温度的降低,超导块材表现出的超导特性也随之变化.本文结合现有实际应用的车载超导块材冷却方法,通过改变气压的方式营造过冷液氮温度条件,探究块材组合与Halbach轨道之间的悬浮特性.由于实验测量存在一定局限性,只能完成部分工况条件下的研究.为了更加系统全面的研究,本文对过冷状态下超导块材的悬浮特性进行仿真计算,通过与实验结果对比来确定仿真参数.结果显示,仿真计算与实验数据吻合度较高,为后期的研究工作提供了仿真工具.     

α-Fe2O3纳米立方体的水热合成及其光催化性能研究

采用简单水热法合成出了成分纯净、光催化性能优良的α-Fe2O3纳米立方体,并对合成产物进行物相分析、形貌观察、微观结构分析、氮气吸脱附测试及光催化性能测试.结果表明:该α-Fe2O3纳米材料形貌均一,呈规则的立方体形状,立方体边长为90~150 nm.合成产物为六方相结构,成分纯净、结晶性高;对亚甲基蓝、甲基橙、罗丹明B三种有机染料具有良好的光催化活性.     

层状结构冰球的高速撞击特性实验

为研究冰雹在不同撞击速度下的破碎特性及致损能力,通过空气炮加载技术,开展了单一性状冰球和层状结构冰球高速撞击刚性靶实验,利用测力杆记录了两种类型冰球在不同撞击速度下的撞击力时程曲线,并结合高速摄影技术研究了两类冰球的高速撞击破碎特性。实验结果表明:两类冰球高速撞击刚性靶的宏观破碎特性相似,在碰撞初始阶段冰球已完全破碎,形成微颗粒团簇体,反向溅射角呈随撞击动能增大而增大的趋势;与单一性状冰球撞击力曲线相比,层状结构冰球撞击力曲线中出现二次上升信号,推测是由于破碎界面在层间界面发生偏折,小球未完全破碎再次撞击测力杆所导致;高速撞击下层状结构冰球的撞击力高于单一性状冰球,推测是由于层间结构的存在延缓了冰球的破碎进程,提升了其在冲击方向传递动量的能力,进而产生了更高的撞击力。研究结果有助于深化对冰雹在高速撞击下的破坏力学行为的认识,同时可为飞行器结构防护、冰雹撞击安全设计研究等提供参考。     

Dependence of limited radiative recombination rate of InGaN-based light-emitting diode on lattice temperature with high injection

It is observed that the radiative recombination rate in InGaN-based light-emitting diode decreases with lattice temperature increasing.The effect of lattice temperature on the radiative recombination rate tends to be stable at high injection.Thus,there should be an upper limit for the radiative recombination rate in the quantum well with the carrier concentration increasing,even under the same lattice temperature.A modified and easily used ABC-model is proposed.It describes that the slope of the radiative recombination rate gradually decreases to zero,and further reaches a negative value in a small range of lattice temperature increasing.These provide a new insight into understanding the dependence of the radiative recombination rate on lattice temperature and carrier concentration in InGaN-based light-emitting diode.