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991.
采用等量浸渍法,制得500、600、750和950℃焙烧的Co/γ-A12O3催 化剂;考察了它们对CO氧化和乙烯选择还原NO的反应性能;用XRD和XPS方法表征了催化剂的体相与表相结构。活笥测试结果表明,随焙烧温度高于750℃时)。从硝酸钴制得的样品,其氧化活性要高于从醋酸钴制得的样品,但对乙9烯选择还原NO,后者的活笥更好。结构表征结果表明,催化剂中钴物种的存在形式与原料盐类及焙烧温度密切相关。 相似文献
992.
氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感Lg、提高电阻Rg抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。 相似文献
993.
994.
对三苯基咔咯金属配合物(MTPC, M=Ni, Cu, Co, Mn)的拉曼和红外光谱进行了实验研究. 用DFT方法计算了其基态几何结构以及红外和拉曼光谱,并基于计算结果对测量到的振动谱带进行了局域坐标归属. 研究发现,由于对称性降低,咔咯金属配合物的振动光谱比卟啉金属配合物更为复杂,若干咔咯骨架振动与苯取代基强烈耦合.考察了拉曼和红外谱带频率变化与咔咯环结构的关系,发现随着环内核尺寸的减小,与CIαCIα键伸缩振动和C?Cm键伸缩振动相关的拉曼谱带频率增加,其中CIαCIα伸缩振动的拉曼谱带对环内核尺寸的变化更为敏感且呈良好的线性关系,可以作为反映金属咔咯骨架结构变化的特征谱带. 相似文献
995.
996.
泌尿系结石组分分析方法及其研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
对泌尿系结石组分进行准确的分析可为治疗尿石症和预防其复发提供重要的参考。文章综述了现代仪器分析方法在草酸钙结石、磷酸盐结石、尿酸和尿酸盐结石及胱氨酸类结石等组分分析中的应用及其研究进展,这些技术包括拉曼光谱、差热-热重(TGA/DTA)、核磁共振(NMR)、高效液相色谱(HPLC)和傅里叶红外光谱(FTIR)等。 相似文献
997.
Room-Temperature Continuous-Wave Operation of InGaN-Based Blue-Violet Laser Diodes with a Lifetime of 15.6 Hours
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We report our recent progress of investigations on InGaN-based blue-violet laser diodes (LDs). The roomtemperature (RT) cw operation lifetime of LDs has extended to longer than 15.6 h. The LD structure was grown on a c-plane free-standing (FS) GaN substrate by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The typical threshold current and voltage of LD under RT cw operation are 78 mA and 6.8 V, respectively. The experimental analysis of degradation of LD performances suggests that after aging treatment, the increase of series resistance and threshold current can be mainly attributed to the deterioration of p-type ohmic contact and the decrease of internal quantum efticiency of multiple quantum well (MQW), respectively. 相似文献
998.
硒杂环化合物(4,5-苯并苤硒脑)在金表面上的自组装 总被引:4,自引:0,他引:4
为了寻求新的自组装单分子膜体系 ,构建新的功能膜 ,研究了具备平面型的大环共轭硒杂环化合物——— 4,5 苯并苤硒脑 (苯并 [c]硒二唑 ,简称苤硒脑 )在金表面的自组装单分子膜 .通过X射线光电子能谱 (XPS)和电化学手段对其进行表征 .XPS研究结果表明 ,自组装形成单分子膜后 ,苤硒脑分子中Se3d结合能从 5 7.4eV下降到 5 7.1eV ;表明硒杂环化合物是通过金硒键固定在金表面上的 ;电化学循环伏安法实验表明 ,金电极表面上自组装该有机硒后 ,Fe(CN) 63 -/ 4 -的氧化还原峰几乎完全消失 ;以四硼酸钠为底液 ,测得该化合物自组装在金表面上时 ,其还原电位在 - 0 .6 6V ,与在溶液中用裸金电极测得的还原峰电位基本一致 . 相似文献
999.
1000.