差分吸收光谱技术监测气溶胶消光系数的误差分析

给出了在利用差分吸收光谱技术监测大气气溶胶消光系数时确定测量误差的方法。分析了光源变化、探测器积分时间间隔、大气湍流、系统参数校正、测量系统位移以及粒子后向散射等可能对测量结果产生影响的因素,通过理论分析和实际测量确定气溶胶消光系数误差为0.03 km-1。     

单分子膜诱导下的矿物晶体生长

介绍了近几年单分子膜诱导下矿物晶体生长的最新进展。讨论了单分子膜诱导下的矿物晶体生长与溶溶中的异同,成膜材料,单分子膜性质和聚集态,矿物晶体的选择性及晶体的表征方法。     

单分子膜诱导下晶体生长中的晶格匹配

有机基质与无机晶体的晶格几何匹配是导致生物体内矿物有序生长并具有特殊理化性质的重要因素之一.作为模拟生物矿化的重要模板之一,Langmuir单分子膜具有独特的优势.本文综述了单分子膜诱导下CuSO4、Na2SO4、PbS、CdS、BaF2和CaF2等晶体生长过程中的晶格匹配,讨论了单分子膜亲水头基、膜的电荷性质、膜聚集态等因素对膜控晶体生长过程中晶格匹配的影响.指出了该领域所面临的问题和将来的发展方向.     

不同晶相草酸钙晶体的选区电子衍射和X射线衍射比较分析

在卵磷脂-水脂质体中制备了一水草酸钙(COM)、二水草酸钙(COD)和三水草酸钙(COT).并对它们分别进行了透射电镜(TEM)、选区电子衍射分析(SAED)和X射线衍射(XRD)分析.TEM结果表明,COM、COD和COT均为泡状,粒径约80～150nm.将SAED结果与XRD结果对比分析,发现将SAED图谱指标化后所得的衍射数据与XRD的特征峰值基本相符,但在相对强度上存在差别.本实验结果表明,将TEM、SAED和XRD技术联合分析纳米级草酸钙晶体,不但可以观察纳米级草酸钙的形貌,而且能对其晶相、单晶和多晶等进行深入的了解.     

氮化镓功率电子器件封装技术研究进展

氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人员的广泛关注并有望应用于电力电子系统中,但其高功率密度和高频特性给封装技术带来极大挑战。传统硅基电力电子器件封装中寄生电感参数较大,会引起开关振荡等问题,使GaN的优良性能难以充分发挥;另外,封装的热管理能力决定了功率器件的可靠性,若不能很好地解决器件的自热效应,会导致其性能降低,甚至芯片烧毁。本文在阐释传统封装技术应用于氮化镓功率电子器件时产生的开关震荡和热管理问题基础上,详细综述了针对以上问题进行的GaN封装技术研究进展,包括通过优化控制电路、减小电感L_g、提高电阻R_g抑制dv/dt、在栅电极上加入铁氧体磁环、优化PCB布局、提高磁通抵消量等方法解决寄生电感导致的开关振荡、高导热材料金刚石在器件热管理中的应用、器件封装结构改进,以及其他散热技术等。     

三维拉氏理想磁流体数值模拟方法

在Z箍缩驱动ICF过程中,磁场流体耦合作用是其整个物理过程中非常重要的部分.针对Z箍缩过程中多介质、大变形的特点,发展了三维相容拉氏理想磁流体交错型以及单元中心型格式,两种格式均具有一阶时间与空间精度.通过数值算例,验证其精度和强壮性,并比较分析两种格式的特点.     

非定常空化流场结构的实验研究

为深入研究非定常空化流场结构,本文用实验方法研究了绕Clark-Y型水翼的非定常空化流动现象.实验在空化水洞中进行,采用高速摄像技术观测了云状空化阶段的非定常空穴形态,并应用粒子成像测速系统(PIV)对绕水翼空化流场的速度场和涡量场等流动特性进行了同步的实验分析.研究表明:空化现象对流场结构有着重要的影响,在无空化和空...     

低阶煤与生物质在热溶剂提质萃取过程中的相互作用（英文）

作者前期工作中提出了一种针对生物质废弃物或低阶煤的热溶提质萃取方法,该方法可以在350℃下实现生物质或低阶煤的提质及多级分离,获得高附加值的萃取物。与生物质的热溶提质萃取比较,低阶煤的萃取物收率较低。本研究提出对生物质和低阶煤混合物进行热溶提质萃取,通过两者的物理化学相互作用,来提高其萃取收率。研究结果表明,对两者混合物热溶剂提质分离得到萃取物的产率及元素组成与理论计算结果略有不同,理论计算结果是假设生物质与煤之间无交互作用而得到的。煤中的矿物质对生物质热分解起催化作用,导致收率有所增加。煤、生物质及其混合物通过热溶剂提质分离得到的萃取物的元素组成、分子量分布、化学结构、热分解和热塑性非常相似。总体而言,低阶煤与生物质在热溶剂提质萃取过程的交互作用较小。但是,本研究证明了热溶提质萃取方法不仅适用于煤或生物质,也适用于它们的混合物。这意味着热溶剂提质萃取法可以在不改变任何工艺条件参数的情况下,以煤、生物质及其混合物作为原料。     

脂质体中不同种类羧酸钾对草酸钙晶体生长的调控作用

首次研究了狼磷脂-水脂质体中不同种类羧酯钾对草酸钙晶体生长的调控作用 。加入一元DAc只诱导一水草酸钙（COM）生成。二元K_2tart在其浓度大于1. 0mmol/L时可以诱导三水草酸钙（COT）生成。而加入三元的K_3cit和四元的 K_2edta后， 在不同的浓度下，可以分别诱导COM，二水草酸钙（COD）和COT的生 成。在低浓度（—3.3-17mmol/L）范围，， COD含量达到100%；而在较高浓度(＞ 17mmol/L)时，COD减少，COT含量增加。在不同的浓度区间，无论是COM含量减少， 还是COT含量增加，或者是COD含量的先增加后减少，均与该羧酸钾浓度的对数呈线 性关系。不同羧酯钾抑制COM生长并诱导COD形成的能力顺序为：K_3cit＞K_2edta ＞＞K_2tart-KAC,诱导COT生长的能力顺序为：K_2tart＞＞K_3cit＞K_2edta＞＞ KAc.由此推测抑制草酸钙结石形成的潜在效率依次为：K_3cit＞K_2edta＞＞ K_2tart＞＞KAc.     

纳米Co-Sn金属间化合物的合成、表征及电化学吸放锂行为

用溶剂热法合成了三种纳米尺寸的Co-Sn金属间化合物, 即CoSn2、CoSn和Co3Sn2, 并研究了它们作为锂离子二次电池新型负极材料的电化学性能. 合成的粉末经过了X射线衍射(XRD), 透射电镜(TEM)和场发射扫描电镜(FESEM)的表征. 研究发现, 这三种金属间化合物均显示出较高的充放电稳定性. 由于低的锂离子扩散速率, 在嵌锂过程中锂离子不能深入到晶粒内部, 导致它们的电化学活性较低, 尤其是Co3Sn2, 其首次充电容量仅为 93 mAh•g−1.