纳米光刻技术

纳米科学技术将成为新世纪信息时代的核心。纳米量级结构作为研究微观量子世界的重要基础之一,其制作技术是整个纳米技术的核心基础,已成为当前世界科学研究急需解决的问题。文章针对上前的科技发展情况,介绍了几种纳米光刻技术的实现新途径、发展现状和关键问题。详细阐述了波前工程、电子束光刻、离子束光刻、Ｘ射线光刻原子光刻、干涉光刻、极紫外光刻以及１５７光刻的原理和实现难点。作为下一代各种光刻技术,它们都有望实现     

日本光电子系统发展概况

光电子系统和有关产品市场今后十年大有希望,其大致分为三类:1)各种系统,包括远距离通讯和本地网络;2)设备,包括光盘、激光印刷机和电子文件库;3)元件,并且包括光纤、激光二极管、光电探测器及其它光源。     

红外光学材料主要性质的测量(二)

红外波长区光参量的测量要求严格注意到红外探测器和噪声源的特征。本文介绍测定光学传递函数、折射率均匀性和双折射的方法。设计用于3—5μm和8—13μm的红外区的光学元件和光学系统需要专门的仪器测试和测量它们的光学性质。对于红外光谱区来说,需要专门的红外光源和红外灵敏的探测     

四激光束干涉光刻制造纳米级孔阵的理论分析

为提供一个在大范围内曝光出深亚微米甚至纳米级周期性密集图形的廉价的方法,研究了四激光束干涉光刻的原理,分析了干涉曝光的结果,并进行了计算机模拟.用现有的光源,如442 nm、365 nm、248 nm、193 nm激光,曝光得到的图形的临界尺寸容易做到180～70 nm.具有实际上无限制的焦深和容易实现的大视场.适合硅基CCDs、平场显示器的场发射电极阵列等光电子器件中大范围内超亚微米级的周期性孔阵或点阵结构图形的制作.