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21.
The differential and integral cross sections for electron impact excitation of lithium from the ground state 1s22s to excited states 1s22p, 1s23l (l=s, p, d) and 1s24l (l=s, p, d, f)at incident energies ranging from 5 eV to 25 eV are calculated by using a full relativistic distorted wave method. The target state wavefunctions are calculated by using the Grasp92 code. The continuum orbitals are computed in the distorted-wave approximation, in which the direct and exchange potentials among all the electrons are included. A part of the cross sections are compared with the available experimental data and with the previous theoretical values. It is found that, for the integral cross sections, the present calculations are in good agreement with the time-independent distorted wave method calculation, for differential cross sections, our results agree with the experimental data very well. 相似文献
22.
以三氯乙烷和二氯乙烷为原料, 金属钠为还原剂, 在溶剂热条件(100~150 ℃)下使氯代乙烷中的碳氯键和碳氢键发生断裂制备了碳纳米球, 并对制备的碳纳米球进行了表征. X射线衍射结果表明, 样品为类石墨结构, 衍射信号宽且弱, 表明样品的结晶性较差; 拉曼光谱分析结果也表明样品具有较高的无序度. 样品的SEM与TEM分析结果表明, 在较高的反应温度下, 碳球具有更好的单分散性, 碳球的粒径随温度的升高而增大; 选区电子衍射结果表明碳球内部为无定形的类石墨结构. 以碳纳米球为负极材料的锂离子电池测试结果表明, 50周循环后比容量为941 mA·h/g, 库仑效率接近100%, 放电容量保持率为103.7%, 具有良好的循环稳定性. 测试了不同温度下制备样品的超级电容器性能, 发现120 ℃下制备的碳纳米球具有较高的比电容和较低的内阻值, 比电容高达130 F/g, 经过1000周循环充放电后比电容衰减比例低于14%, 具有较高的稳定性. 相似文献
23.
以紫甘蓝为原料,硼氢化钠为还原剂,采用水热合成法制备了碳量子点ZGL-CQDs。该碳点的结构经XRD,TEM和FT-IR表征;光学性能研究表明:荧光量子产率可达6.20%,最大激发波长为360 nm,最大发射波长为446 nm;传感性能研究表明:该碳点在水溶液中对Cu~(2+)具有较好的选择性,对Cu~(2+)测定的线性范围为0.6×10~(-6)~2.60×10~(-6)mol/L,线性方程Y=-15.44958-2.05871x,R~2=0.9978,检出限为3.16×10~(-7)mol/L。 相似文献
24.
基于全相对论扭曲波(RDW)电子碰撞激发计算程序REIE06,系统计算了类氦Fe~(24+)离子基态1s~(21)S_0到激发态1s2s和1s2p精细结构能级的碰撞强度和截面,分析了在不同入射电子能量下碰撞强度的变化规律,详细研究了在6.86 Ke V和9.94 Ke V能量下,碰撞辐射级联效应对类氦Fe~(24+)离子w线(1s~(21)S_0→1s2p~1P_1)、x线(1s~(21)S_0→1s2p~3P_2)、y线(1s~(21)S_0→1s2p~3P_1)和z线(1s~(21)S_0→1s2s~3S_1),x/w、y/w和z/w线强度比值的影响,总结了一些有意义的结论.部分计算结果与其它实验和理论结果进行了比较,取得了很好的一致性. 相似文献
25.
26.
超大硅胺基取代的低价锗化合物可以构建新颖的化学结构, 提供有学术价值的新发现。二配位的超大硅胺基氯锗宾Ge(N(SiiPr3)2)Cl (1)具有空的 4p轨道和孤电子对。针对这 2个特点, 研究了化合物 1 的热构型转换和菲醌氧化加成反应。1的温热分解生成了立方四锗卡宾 Ge4(NSiiPr3)4 (2), 与菲醌(L)定量氧化加成生成了胺基一氯菲二酚合锗(Ⅳ):[Ge(N(SiiPr3)2)(L) Cl] (3)。表征了 2个产物的单晶结构与组成。四锗卡宾 2本质上是锗异腈的四聚体, 分子呈现出畸变的立方体构型, 4个 Ge原子和 4个N原子构成了中心立方体的 8个顶点。其中 Ge-N键长为 0.203 6(3) nm, N-Ge-N与 Ge-N-Ge的键角分别为 85.51(18)°和94.32(16)°, 立方体的侧面接近平行四边形。理论计算首次揭示了四锗卡宾 2的成键面貌。自然键轨道(NBO)给出 Ge4N4骨架上的 20个分子轨道。轨道定域化的计算结果完好地呈现出 4对 Ge孤对电子、12个 Ge-N键和 4个 Si-N键的定域轨道, 能量分别为-12.22、-15.12 和-20.12 eV。Ge 孤对电子主要保留了 4s 电子的特性, 而 Ge-N 键主要由 N 的 2s 轨道(18.4 %)和 2p 轨道(71.3 %)、Ge的 4s轨道(0.75 %)和 4p轨道(9.43 %)综合贡献形成。在化合物 3的分子中, GeⅣ采取 sp3杂化, 由于空间位阻与非对称配位, 与另外 4个配位原子形成非对称四面体构型。 相似文献
27.
超导共面波导谐振腔主要包括四分之一波长型和半波长型.本文对半波长超导共面波导谐振腔使用并联RLC电路进行等效分析,使用sonnet软件进行仿真其传输特性,通过电子束蒸发和激光直写等工艺制备出样品,在低温超导状态下使用矢量网络分析仪对其传输特性进行测量,以及通过持续降温方式研究其传输特性受温度的影响.实验表明:测得的谐振频率和外部品质因数与设计值吻合;谐振频率受动态电感的影响随温度降低而升高;外部品质因数随温度降低而保持基本不变;内部品质因先受导体损耗的影响随温度降低而急剧升高,当温度降低至一定温度后内部品质因数受介电损耗的影响随温度降低而保持基本不变;总品质因数在温度较高时主要来自于导体损耗,在温度较低时主要来自于介电损耗和外部品质因数,随温度的变化趋势和内部品质因数一致. 相似文献
28.
Cross sections for electron impact excitation of lithium from the ground state 1s^22s to the excited states 1s2s^2, 1s2p^2, 1s2snp (n = 2-5), 1s2sns (n = 3 5), 1s2pns (n = 3-5), and 1s2pnp (n = 3-5) are calculated by using a full relativistic distorted wave method. The latest experimental electron energy loss spectra for inner-shell electron excitations of lithium at a given incident electron energy of 2500 eV [Chin. Phys. Lett. 25 (2008)3649] have been reproduced by the present theoretical investigation excellently. At the same time, the structures of electron energy loss spectra of lithium at low incident electron energy are also predicted theoretically, it is found that the electron energy loss spectra in the energy region of 55-57eV show two-peak structures. 相似文献
29.
在无水AlCl3的催化作用下,均三甲苯与γ-丁内酯在室温下即可发生烷基化反应生成4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸. 实验结果表明,催化剂用量和反应时间是影响反应产物收率的重要因素,选择合适的反应条件可使γ-丁内酯几乎定量地转化为目标产物. 在固体高分子酸性树脂Nafion-H的催化作用下,4-(2,4,6-三甲基苯基)丁酸的收率随着温度的升高而升高,在200 ℃下收率达到最大值84.5%,选择性保持在90%左右. Nafion-H经过简单的溶剂洗涤和干燥处理后可重复使用,但每次重复使用后收率下降4%~5%. 对Nafion-H催化下该反应可能的机理进行了探讨. 相似文献
30.
A device model for thin silicon-on-insulator SiGe heterojunction bipolar transistors with saturation effects
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In this paper, we describe the saturation effect of a silicon germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) fabricated on a thin silicon-on-insulator (SOI) with a step-by-step derivation of the model formulation. The collector injection width, the internal base—collector bias, and the hole density at the base—collector junction interface are analysed by considering the unique features of the internal and the external parts of the collector, as they are different from those of a bulk counterpart. 相似文献