贵金属纳米颗粒杂化囊泡的制备及拉曼增强效果研究

以超支化聚合物囊泡为模板制备了贵金属纳米颗粒表面功能化的杂化囊泡.模板囊泡通过多巴胺修饰的超支化聚醚HSP-DA在水中自组装形成.在碱性条件下,囊泡表面的多巴胺自聚合生成聚多巴胺,实现囊泡的交联.由于聚多巴胺具有强黏附特性,因此可以将HSP-PDA交联囊泡分别与Au纳米溶胶、Ag纳米溶胶直接混合,得到Au纳米颗粒或Ag纳米颗粒功能化的杂化囊泡.分别测定了2种杂化囊泡的拉曼光谱,发现杂化囊泡产生了明显的表面增强的拉曼光谱(SERS)信号,清晰显示了对应于囊泡模板分子的拉曼信号,表明可以通过SERS来原位检测囊泡的组成.Ag纳米颗粒杂化囊泡展示出更高的SERS灵敏度,可进一步作为探针检测水中浓度为10-7mol/L罗丹明6G分子,得到了显著增强的拉曼光谱,证明所制备的Ag纳米颗粒杂化囊泡可用于目标分子的痕量检测.     

有机锗

生物体为了特殊的生理功能除需要钾、钠、钙、镁等常量元素外,还需要锰、铁、钴、铜、锌、钼、硒等微量元素。这些生物元素或是构成生物体的骨架物质;或是担负着维持体液渗透压平衡和电荷平衡的功能;或是作为金属酶活性中心的组成部分,催化多种生物活性物质的氧化、还原、脱氢、氧合、水解、水合、脱羧等反应;或是具有生物蛋白体的作用,起运送、贮藏氧气,传递电子的功能。各种微量元素的生物功能正在为人们所逐渐认识。     

甲烷制取实验中各药品的最佳配比

现行高中课本中制取甲烷气体的实验、采用无水醋酸钠和碱石灰以1:3混合加热,实验中反应速度慢,产气率低,进行性质实验现象不明显。加之,以这样的配比反应时,试管的破损率较高。     

晶体位错尺寸效应的多尺度分析

本文采用准连续介质多尺度方法,分析了面心立方（fcc）晶体铝阶梯孪晶界在不同尺寸情况下（试件尺寸长高比从1：1到8：1）受剪切作用的晶界变形。了解在不同尺寸下,晶界结构位错的成核过程,得到了大试件比值与小试件比值下作用力与应变的关系曲线及不同试件尺寸下应变能的变化曲线。其中随着试件比值的增加,作用力在应变比较小的时候变化情况相似,但当应变达到3％以后,呈现出明显的不同;应变能随试件长高比的增大而减小,各个试件在各自不同的加载阶段,应变能变化趋势同作用力变化趋势相一致。本计算揭示了不同尺寸下阶梯孪晶界在剪切作用下的微观机理,证实其尺寸效应性质。     

量子点单光子源的光纤耦合

半导体量子点在低温下产生谱线细锐的激子发光可制备单光子源.光纤耦合可避免低温共聚焦装置扫描定位和振动影响,是实现单光子源即插即用和组件化的关键技术.在耦合工艺上,基于微区定位标记发展出拉锥光纤与光子晶体腔或波导侧向耦合、大数值孔径锥形端面光纤与量子点样片垂直耦合等技术;然而,上述工艺需要多维度精密调节以避免柔软光纤的畸形弯曲实现对准和高效耦合.陶瓷插针或石英V槽封装的光纤无弯曲且具有大平滑端面,只要与单量子点样片对准贴合就可保证垂直收光, V槽封装的排式光纤还可通过盲对粘合避免扫描对准,耦合简单.本文在前期排式光纤粘合少对数分布Bragg反射镜(distributed Bragg reflector, DBR)微柱样片实现单光子输出基础上,经理论模拟采用多对数DBR腔提升样片垂直出光和光纤收光效率,使光纤输出单光子计数率大大提升.     

氮硫杂冠醚及其衍生物的合成

以噻吩、水杨醛、二胺、溴乙酸、烯丙基氯和丙烯腈为原料合成了 4,5 :14 ,15 二苯 3 ,16 二氧 2 1 硫 7,12 二氮双环[16.2 .1]二十一环 1( 2 0 ) ,18 二烯 (简称氮硫杂冠醚 )及其 5种衍生物 ,经元素分析 ,IR ,1 HNMR和MS谱表征了这些化合物的结构 .     

建立新的物理实验课教学体系的尝试

现代科学校术的飞速发展,新的科学知识不断涌现,科学知识的总量迅速增长,知识更新周期越来越短。边缘学科,横向学科,综合学科的不断产生和发展,要求高等院校培养的人材不但要有扎实的基础,较宽的知识面,还要有较强的科学研究能力。所以高等教育必须改变传统的以传授知识为主的教育方式,加强学生能力的培养。学生的能力主要表现为分析问题和解决问题的能力,以及创造精神。物理实验实际是人们进行自然科学研究的一种基本方法,具有探索性和创造精神的实验活动,所     

一种基于区间过程模型的时变可靠性分析方法

本文提出了一种基于区间过程模型的时变可靠性分析方法来处理涉及区间变量和区间过程的问题.首先,定义一种基于极值响应的可靠性指标来度量区间变量和区间过程不确定性下结构的可靠性.其次,建立并求解一双层优化模型以获得可靠性指标.在内层中,使用EGO方法计算功能函数关于时间的极值响应;在外层中,对极值响应关于原始区间变量和区间过...     

GaAs／GaInNAsSb超晶格性能的影响

用Keafing的价力场(valence force field)模型和蒙特卡罗方法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格中键的分布、原子的精确位置以及应变．用折叠谱(foldedspectrummethod)合Williamson经验赝势法计算了GaAs／GaInNAsSb超晶格应变条件下的电子结构．讨论了N和Sb原子以及超晶格单分子层数对电子结构的影响．发现导带底电子态在N原子周围的局域化减小了光跃迁矩阵元，从而影响了该超晶格的发光性能．计算并讨论了超晶格的电子和空穴的有效质量．