低能强流电子加速器的研制

中国科学院近代物理研究所在现有DG系列电子加速器技术的基础上,通过改进加速结构,研制了一台低能强流电子加速器,其设计指标为500 keV/150 mA。该加速器采用高压发生器倒置的结构,并增加了中磁圆盘,提高了电能转换效率。采用了较短的加速管结构,有利于强流电子束的传输,同时使加速器整体更为紧凑。加速器束流调试结果为500 kV/170 mA,完全优于设计指标。     

Equivalent Trap Energy Level Extraction for SiGe Using Gate-Induced-Drain-Leakage Current Analysis

The gate-induced-drain-leakage of MOSFETs is analyzed to better understand the sub-threshold swing degradation of SiOe tunnel field-effect transistors and their band-to-band tunneling mechanism. The numerical model of the analysis is elaborated. Equivalent trap energy levels are extracted for Si and strained SiOe. It is found that the equivalent trap energy level in SiGe is shallower than that in Si.     

硅基混合集成技术的研究进展

硅基光电子集成技术(PICs)为高速宽带光互连和光通信的发展提供了一种低成本的有效方案,受到人们的高度重视.目前将III-V族和锗等半导体化合物集成到硅衬底的方法主要分为两类:异质结外延生长和异质材料的键合.低温下晶片键合的方法克服了异质结外延生长中的生长温度高、晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,为大规模的异质(不同半导体材料)集成提供了可能.文章综述了近几年来一些常用的键合方法,并对低温键合方法的发展动向做了展望.     

红宝石中分子轨道效应和塞曼参数的确定

本文在配位场理论中利用普遍的静电相互作用参数,计算了红宝石吸收线的位置,结果比前人稍有改善。讨论了这些参数与分子轨道的关系,利用了二个共价键参数和自由离子参数,虽然引入的参数很少,但所得结果与上面的计算相近,并定出N_π≌0.92,N_σ≌0.89。计算了推广等效自旋哈密顿中的参数,发现修正项中的g因子是来自四级微扰的贡献,其数量级约为10^-5。得到了红宝石R线的等效哈密顿。     

三值FPRM电路极性间转换算法及其在面积优化中的应用

通过对三值FPRM(Fixed-polarity Reed-Muller)展开式和四值列表技术的研究,提出了一种三值FPRM电路极性间转换算法,并将其应用于电路面积优化.首先根据四值RM(Reed Muller)逻辑多项式系数的计算方法,推导出三值FPRM展开式极性间系数转换算法;然后利用该算法,结合三值模代数特点以及电路面积估计模型,沿非循环格雷码极性遍历路径进行三值FPRM电路面积最佳极性搜索,得到面积最优的FPRM电路.最后对8个MCNC基准电路进行测试,结果表明：与0极性Reed-Muller电路相比,三值FPRM电路的面积平均减少56.2%.     

微晶硅薄膜带隙态及微结构的研究

研究了氢化微晶硅薄膜费米能级以上的带隙态密度分布与薄膜微结构关系.采用拉曼谱和红外谱表征不同H稀释比制备的微晶硅薄膜的微结构.薄膜带隙态密度分布由调制光电流的相移分析技术测得.采用三相模型（非晶相、晶相和界面相）分析了薄膜带隙态密度与薄膜微结构的关系.结果表明,材料的带隙态密度随着界面相的增加而增加,当界面体积分数达到最大时,薄膜的带隙态密度也最大,即材料的带隙态密度与界面体积分数正相关. 关键词： 带隙态 界面相 微晶硅 调制光电流     

In0.53Ga0.47AS/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应

在低温强磁场条件下,对In0.53 Ga0.47 As/In0.52AI0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的散射引起的.     

在φ→3γ衰变末态分析中的运用

介绍了介子工厂 (DAΦNE)KLOE组的数据分析中运动学拟合程序TELESIS的运用 .利用KLOE 2 0 0 0年在e+e- 对撞能量Ecm =1 0 2 0MeV获取的部分数据开展→γη→ 3γ和→γπ0 → 3γ的分析 ,得到介子的产生截面σe+ e- →=( 4.0 4± 0 .0 4± 0 .2 4 ) μb ,以及→γπ0 → 3γ的分截面σ→γπ0 →3γ=( 5.3± 0 .3± 0 .6)nb .这些结果与理论预言以及俄国新西伯利亚的VEPP(CMD 2 ,SND ,ND各探测器 )的相应结果一致 .     

运用声悬浮现象测量声速的演示实验

介绍一个新颖的运用声悬浮现象测量声速的演示实验,详细分析讨论了声波在垂直谐振腔内使物体悬浮于空中的条件与位置。     

LaNi_5-NdNi_5,LaNi_5-CeNi_5赝二元系相图和吸氢性能的研究

本文用X射线衍射和差热分析的方法测定了LaNi_5-NdNi_5,LaNi_5-CeNi_5两个赝二元系相图。用X射线衍射线宽化法测定了活化后LaNi_5-NdNi_5体系的样品晶粒尺寸的各向异性。考查了吸氢性能和第二相存在对LaNi_5吸氢性能的影响。测定和计算了两个体系中样品的点阵常数、单胞体积、原了间距吸氢前后的变化。从结构的观点,解释了LaNi_5-NdNi_5体系中活化后样品晶粒尺寸各向异性的原因。用本实验的结果,解释了RmNi_5(Rm代表混合稀土金属)的吸氢量和平台压力的差异。