Large-Quantity Synthesis of Single-Crystalline Metal Indium Nano/Sub-Micron Wires

Large quantities of metal indium single-crystalline wires with diameters ranging from tens of nanometres to a few micrometres were synthesized on Si substrates. Unlike traditional methods for the fabrication of nanowires or nanorods, liquid indium was squeezed out of the pores and cracks from porous an InAlN layer to form the wires. Continuous pushing out of liquid metal indium under strength, lowering of liquid-solid interfaces and the confinement of the cracks all contribute to the growth of indium wires. Our experiments have shed some light on the possibility of synthesizing large quantities quasi-1D nano/sub-micron structures with specified cross-sectional geometry using the similar method.     

阿基米德螺旋微纳结构中的表面等离激元聚焦

研究光在微纳结构中的分布与传播, 实现在纳米范围内操纵光子, 对于微型光学芯片的设计有着重要意义. 本文利用聚焦离子束刻蚀方法, 在基底为石英玻璃的150 nm厚金膜上刻制了不同参数的阿基米德螺旋微纳狭缝结构, 通过改变入射光波长、手性、及螺旋结构手性和螺距等方式, 在理论和实验上系统地研究了阿基米德螺旋微纳结构中的表面等离激元聚焦性质. 我们发现, 除了入射激光偏振态、螺旋结构手性之外, 结构螺距与表面等离激元波长的比值也可以用来控制结构表面电场分布, 进而在结构中心形成0阶、1阶乃至更高阶符合隐失贝塞尔函数的涡旋电场. 通过相位分析, 我们对涡旋电场的成因进行了解释. 并利用有限时域差分的模拟方法计算了不同螺距时, 结构中形成的电场及相应空间相位分布. 最后利用扫描近场光学显微镜, 观测结构中不同的光场分布, 在结构中心得到了亚波长的聚焦光斑及符合不同阶贝塞尔函数的涡旋形表面等离激元聚焦环.     

CuAg纳米结构表面共存和Ag表面对甘氨酸的新吸附行为

在异质纳米结构表面发生的新现象是当前研究的热点.最近发现，尽管甘氨酸在纯Ag表面只 能作物理吸附，蒸镀在Cu表面的单层Ag岛却能在Cu的帮助下，出现对甘氨酸作化学吸附的能力，这种现象是溢流效应的一种反映.蒸镀在Ag表面的Cu岛也能帮助附近裸露的Ag表面获得 化学吸附甘氨酸的能力，虽然这里已不是单原子层的银了.结果说明这种溢流现象来源于CuA g在表面的纳米结构共存，而不只是这种共存的某个结构所特有的.但是，由于Cu的表面能大 于Ag，所以即使是在室温下，Cu岛也会逐渐地被一单层Ag原子完全覆盖，从而失去溢 关键词： 溢流 甘氨酸 Cu Ag(111)     

ZnO纳米管的拉曼光谱学研究

通过对ZnO纳米管样品的拉曼光谱研究,发现ZnO纳米管拉曼频率和体材料拉曼频率相同,在不同波长激发下,ZnO纳米管拉曼谱峰的频率也保持不变,从而得到了极性晶体拉曼谱不同于以往非极性拉曼谱的特性:在纳米体系中没有出现明显的尺寸限制效应。     

Second Harmonic Detection of Spin-Dependent Transport in Magnetic Nanostructures

Detection of the second harmonic response of magnetic nanostructures to an ac current is shown to be a very sensitive probe of the magnetization reversal process. A temperature oscillation is obtained by Joule heating instead of using a laser as the heat source, as in thermo-galvanic voltage measurements （TGV）. Joule heating is used to produce a large local temperature gradient in asymmetric Co/Cu/Co spin valves. Evidence is found for an effect of a heat current on magnetization.     

一维纳米材料的合成及显微结构 *

利用脉冲激光方法成功地制备了硅的一维纳米线(SiNW )和氮化硼纳米管(BN -NTs) .该方法合成的一维纳米材料具有产量大 ,纯度高 ,直径均匀等特点 .利用透射电子显微镜对这些一维纳米材料的微观结构进行了表征 .观察到硅纳米线中存在微孪晶、堆垛层错、小角晶界等高密度的结构缺陷 .并且发现这些结构缺陷与硅纳米线的生长和形貌有着密切的关系 .BN -NTs主要为单层管 ,管的表面光滑而没有吸附物 ,单层管的形成可归结为在催化剂的作用下管的轴向生长速度远大于横向生长所致 .     

Surface Light Extraction Mapping from Photonic Quasicrystal on Current Two-Dimensional Array of 12-Fold Injected GaN-Based LEDs

A two-dimensional array of dodecagonal photonic quasicrystal （12PQC） is fabricated on the surface of current injected GaN-based LEDs to out-couple guided modes. The spatially-resolved surface light extraction mapping of 12PQC is observed and compared with that of triangular lattice photonic crystal （3PC） by microscopic electrical luminescence and scanning near-field microscopy. The higher enhancement factor of 12PQC is obtained to be larger than that of 3PC. It is shown that 12PQC is more favourable and efficient for light extraction of guided lights.     

近场光学显微镜研究CdS0.65Se0.35纳米带空间分辨光致荧光谱

通过热蒸发方法成功制备出CdS_0.65Se_0.35纳米带，得到的纳米带表面光滑，宽度厚度均一，表现出很高的结晶质量.使用近场光学显微镜对纳米带室温下的带边荧光波导和光致荧光近场光谱进行研究.发现CdS_0.65Se_0.35纳米带呈现良好的光波导的特性；同时通过近场光学显微镜得到的空间分辨光谱，发现随着传播距离的增大，纳米带的光致荧光光谱有持续的红移现象.这种光谱红移现象是带间跃迁过程中带尾态的吸收效应引起的，并作了光谱带尾态吸收的理论模拟与实验结果进行比较.光波导传输过程中光谱的变化反映了信息在整个传导过程中的情况，体现了信息传递过程中的稳定性和有效性.三元合金材料CdS_0.65Se_0.35纳米带的波导和光谱性质研究，对于其他组分可调的三元合金纳米结构的制备和研究，及发展新型的纳米功能器件有重要意义.     

Investigation of the growth process of Si nanowires using the vapour－liquid－solid mechanism

Silicon nanowires have been grown by the thermal decomposition of silane via the vapour－liquid－solid (VLS) mechanism. Three different stages of VLS growth (eutectic alloy formation, crystal nucleation and unidirectional growth) were studied separately using a scanning electron microscope and a high-resolution transmission electron microscope. Very short silicon nanowires prepared under particular conditions provide direct evidence of the VLS mechanism on a nanometre scale. Our results will be very helpful for the controllable synthesis of Si nanowires.