基于可调谐激光吸收光谱技术的脱硝过程中微量逃逸氨气检测实验研究

为了对电厂脱硝过程中逃逸的微量氨气进行在线检测,实验室采用可调谐激光吸收光谱技术对常温常压下以及不同温度下的低浓度氨气进行了测量试验,其中电厂逃逸氨气检测处温度约为650 K。通过分析近红外波段的氨气吸收谱线,并考虑实际测量环境H₂O和CO₂等浓度很大的气体吸收谱线的干扰,实验选取2.25 μm附近的ν₂+ν₃谱线作为浓度检测谱线。为了验证所选谱线对低浓度NH₃的测量能力,实验对H₂O,CO₂和NH₃的吸收谱线进行模拟,发现低浓度NH₃受较大浓度的H₂O和CO₂谱线的干扰较小,尤其是CO₂谱线的干扰可以忽略不计,且2.25 μm处谱线强度远远大于通讯波段1.53 μm处的谱线。基于新型Herriott池以及高温管式炉,结合可调谐激光吸收光谱中的直接吸收技术和波长调制技术,实现了对不同温度下超低浓度NH₃的高分辨率快速检测。常温常压下其线型函数可以利用洛伦兹线型来近似描述,直接吸收测量技术可以使探测极限降低到0.225×10-6。通过采用简单降噪处理技术如多次平均、简单小波分析等,得到不同温度下的谐波信号与浓度具有良好的线性关系,为采用可调谐激光吸收光谱技术进行现场低浓度逃逸氨气检测提供了很好的依据。     

Guided mode resonance in planar metamaterials consisting of two ring resonators with different sizes

We proposed and experimentally investigated a two-ring-resonator composed planar hybrid metamaterial(MM), in which the spectra of guided mode resonance(GMR) and Fano resonance or EIT-like response induced by coherent interaction between MM resonance and GMR can be easily controlled by the size of the two rings in the terahertz regime.Furthermore, a four-ring-resonator composed MM for polarization-insensitive GMRs was demonstrated, where GMRs of both TE and TM modes are physically attributed to the diffraction coupling by two ±45° tilting gratings. Such kind of device has great potential in ultra-sensitive label-free sensors, filters, or slow light based devices.     

A2A腺苷受体拮抗剂中间体与抗结剂合成方法研究

基于官能化的三唑并［4,5-d］嘧啶类拮抗剂对人体内A_2A腺苷受体拮抗作用的干预治疗,能有效缓解帕金森综合征的临床症状.该类拮抗剂可以提高多巴胺神经元对纹状体多巴胺的敏感度.重点研究了三唑并［4,5-d］嘧啶类拮抗剂合成所需的重要中间体4-氯-1H-［1,2,3］三唑并［d］嘧啶-6-胺的合成、表征及应用.并对该中间体进行活性拼接,制备了含呋喃基的三唑并［4,5-d］嘧啶类拮抗剂8.     

大涡模拟的壁模型及其应用

大涡模拟是研究湍流的非定常特性的重要方法. 但解析壁面层的大涡模拟所需的计算量与直接数值模拟相当,是大涡模拟在高雷诺数壁湍流数值模拟中所面临的主要困难. 解析壁面层所需的网格尺度与壁面黏性长度同量级,是引起壁湍流大涡模拟计算量增加的主要原因. 壁模型通过模化近壁流动避免了完全解析壁面层,可以显著地降低壁湍流大涡模拟的计算量,是克服上述困难的有效方法. 本文介绍了大涡模拟壁模型的主要类型;详细讨论了常用的壁面应力模型,特别是平衡层模型和双层模型的构建思路和特点;基于近壁流动的特征讨论了应力边界条件的必要性和适用性;指出了壁面应力模型的局限性以及考虑非平衡效应修正的各种方法;讨论了壁面应力模型的研究历史、最新进展和发展趋势,给出了常用的壁面应力模型的分支与发展关系图;并基于Werner-Wengle模型实现了周期山状流的大涡模拟.      

酰基吡唑啉酮缩β-丙氨酸稀土配合物的合成与光谱表征

在非水溶剂中,β丙氨酸与苯甲酰基吡唑啉酮反应制备出新氨基酸席夫碱试剂:1苯基3甲基4苯甲酰基吡唑啉酮5缩β丙氨酸(HL)。通过回流席夫碱与稀土硝酸盐合成了10种稀土配合物。元素分析与摩尔电导值表明新配合物的组成为[REL2NO3](nH2O(RE=La,Sm,Eu,Tb,Y,n=2;RE=Pr,Ndn=1;RE=Dy,Er,Yb,n=3)。运用红外光谱、紫外光谱、核磁共振谱和荧光光谱对配合物进行了表征。结果表明席夫碱配体以3齿形式配位,RE3 的配位数为8。在可见光区522nm;573,584nm处分别发现Er和Nd配合物的超灵敏跃迁吸收峰。配合物的荧光光谱主要体现稀土离子的ff跃迁发光,配体的发光影响较小。配合物的荧光强度:ITb>ISm>IEu>IDy。     

GdF3:Eu3+纳米晶的VUV荧光性质

利用微乳液水热法制备出GdF3：Eu^3＋纳米晶及纳米棒。用X射线粉末衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）等手段对材料的结构、形态及粒径大小等进行了表征。室温下真空紫外（vuv）光谱及荧光光谱表明GdF3：Eu^3＋纳米晶中的Gd^3＋离子吸收一个光子,并将能量分两步传递给Eu^3＋,发生了双光子发射。从各跃迁的积分强度和量子效率表达式可以得到材料在160nm紫外光激发下的量子效率约为170％。     

富勒醇与血清白蛋白相互作用的光谱学研究

采用荧光光谱法和紫外-可见吸收光谱法研究了不同温度下富勒醇与血清白蛋白的相互作用机理,研究结果表明,富勒醇对人和牛血清白蛋白的内源荧光有明显的猝灭作用, 猝灭过程均为静态猝灭,并测定和计算得到不同温度下富勒醇与血清白蛋白反应的结合常数(K_HSA273 K1.546×104,K_HSA293 K1.513×104;K_BSA273 K13.920×104,K_BSA293 K939.500×104)、结合位点数(n_HSA293 K0.952 2;n_BSA293 K1.376 2)。通过结合反应的热力学数据分析,推测出富勒醇与血清白蛋白之间主要靠疏水作用结合;富勒醇与BSA结合强度明显大于富勒醇与HSA的结合强度,BSA的结合常数受温度影响更大;人和牛血清白蛋白在273和293 K的结合位点数在0.901→1.376之间,BSA与富勒醇结合位点数略大于HAS。同时采用分子模拟对接方法,预测富勒醇对牛血清白蛋白的结合部位和作用方式;通过AlignX序列分析法得到BSA与HSA的氨基酸序列相似度较高,在序列160和185附近氨基酸序列差异性较大,推测这是影响两种蛋白质之间与富勒醇作用方式的关键位点。     

湍流专刊序

湍流是流体运动的常见形式, 也是流体力学的核心问题之一. 湍流在工程技术领域也有着广泛的应用, 是航空航天等领域发展的瓶颈问题. 近年来, 人们在对湍流物理机理的认识、数值模拟和实验研究上, 都取得了很大的进展, 但当前大飞机、高速铁路等工程问题的重大需求, 对湍流研究提出了更高和更深入的要求, 也对湍流基础研究提出了更大的挑战.      

In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应

在低温强磁场条件下,对In_0.53Ga_0.47As/In_0.52Al_0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个子带之间的散射效应后,通过分析低磁场下的正磁电阻,得到了每个子带电子的迁移率,结果表明第二子带电子的迁移率高于第一子带电子的迁移率.进一步分析表明,这主要是由两个子带之间的 关键词： 二维电子气 正磁电阻 子带散射     

Total dose radiation effects on SOI NMOS transistors with different layouts

Partially-depleted Silicon-On-Insulator Negative Channel Metal Oxide Semiconductor (SOI NMOS) transistors with different layouts are fabricated on radiation hard Separation by IMplanted OXygen (SIMOX) substrate and tested using 10keV X-ray radiation sources. The radiation performance is characterized by transistor threshold voltage shift and transistor leakage currents as a function of the total dose up to 2.0×10⁶ rad(Si). The results show that the total dose radiation effects on NMOS devices are very sensitive to their layout structures.