RE对耐候钢溶质再分配的影响

为研究RE对耐候钢中各元素偏析的影响,进行了不同RE含量的耐候钢定向凝固实验,拉速为15μm.s-1,观察了RE对耐候钢定向凝固试样糊状区的影响,并用电子探针定量分析了耐候钢中各元素的溶质分配系数。结果表明,钢中加入RE可以抑制枝晶生长,细化枝晶,有利于二次枝晶的生长,可以促进等轴晶的生成。RE原子在晶界的富集可以抑制溶质元素在固液界面的析出,提高各元素的非平衡溶质分配系数,可以有效减轻耐候钢的宏观偏析。     

偶氮染料掺杂高分子薄膜的光谱和光存储性质研究

利用旋涂法,制备了以二乙基胺基〖Ｎ（ＣＨ２ＣＨ３）２〗作为推电子基因、以具有强电负性的羧基（ＣＯＯＨ）作为拉电子基团的推－拉型偶氮染料掺杂的高分子（ＰＭＭＡ）薄膜。在室温下测试了该偶氮染料在溶液和薄膜态的吸收光谱、薄膜态的反射光谱和透过光,发现该薄膜在４００～５５０ｎｍ波长范围内具有强的吸收。在５１４．５ｎｍ光盘静脉测试仪上测试了膜片的静脉光存储性能,结果表明,用低功率Ａｒ＾＋激光（５１４．５ｎ     

多种单体的全息光聚物材料组分的优化

报道了一种以丙烯酰胺为单体的光致聚合物材料。通过对组成材料的三乙醇胺（TEA）、丙烯酰胺（AA）和亚甲基双丙烯酰胺（BAA）浓度的优化实验发现，三乙醇胺浓度有一个最佳值，当保持亚甲基双丙烯酰胺与丙烯酰胺的浓度比为1：6时，材料中丙烯酰胺的浓度达到0.25mol/L后，衍射效率便达到最大值，材料的灵敏度随着丙烯酰胺的增加而不断地提高，在光聚物介质上能够记录信噪比较高的图像，说明该材料适全于大容量体全息存储。     

光聚物全息光盘记录方法和光路的优化

提出了适用于光聚物厚膜盘状高密度全息存储的角度空间复用相结合的存储方法。研究了光路设置对记录容量和密度的影响 ,分析和计算表明 :对全息光盘光聚物全息存储介质来说 ,新方法可以获得比空间角度复用存储方法高近一个数量级的存储容量和密度 ,当使用平面波做参考光、介质内参物光入射角度在 32°时是获得最大存储容量和密度的最佳设置 ;对 5 0 0 μm厚的光聚物介质 ,存储密度可达到 42bit/ μm2 ,用CD ROM同样大小的全息光盘 ,在其相同的有效记录面积上 ,其总容量可以达到 40 0Gbit,表明新方法是实用化光聚物盘状全息存储比较理想的方法。     

新型绿光敏感光致聚合物高密度全息存储特性

用实验方法研究了一种新合成的绿光敏感光致聚合物的高密度全息存储性质.结果表明该种光致聚合物具有较高的衍射效率、大的动态范围和折射率调制度,适合做高密度数字全息存储的记录材料,但材料的灵敏度需要提高,同时读出过程必须考虑曝光过程所导致的布拉格偏移;利用角度复用技术在样品的同一位置记录了20个数字化数据信息页,存储密度达到0.125GBcm3,平均误码率达到5.15×10 关键词： 光致聚合物 高密度数字全息存储 布拉格偏移     

盐湖水氯镁石制取阻燃型超细氢氧化镁研究

以青海盐湖水氯镁石(MgCl26H2O)为原料,经过预处理除杂配制成高浓度卤水,选择氨水为沉淀剂,严格控制反应条件,采用无水酒精溶剂分散体系将反应沉淀物进一步进行超声波分散,制备出了质量和性能较好的超细氢氧化镁.经检测,样品的平均粒径为231nm,比表面积48.15m2/g;X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)检测结果表明其晶型结构为六方晶系,外观形貌为片状.进一步采用硬脂酸钠表面活性剂进行表面改性处理后,对表征其阻燃性能指标的氧指数进行了测定,当聚乙烯中氢氧化镁添加量为60%时测得的氧指数达到30.5%,表明其阻燃效果较好,适合作为塑料、合成橡胶、合成纤维等高分子复合材料的阻燃添加剂.     

掺Sn的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的光学性质

提高存储密度和存取速率一直是光存储发展的方向。这对目前用于可擦重写存储的相变材料提出了越来越多的要求：它们既要对短波长有足够的响应,同时其相变速度也越快越好。因此,相变材料性能的改进十分重要,掺杂是提高相变材料性能的重要手段之一。用直流溅射法制备了掺杂不同量Sn的Ge2Sb2Te5相变薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射（XRD）发现：薄膜发生了从非晶态到晶态的相变。研究了薄膜在250—900nm区域的反射光谱和透射光谱。结果表明：适当的Sn掺杂能大大增加热处理前后材料在短波长（300—405nm）的反射率衬比度,可见,通过Sn掺杂改良相变材料的短波长光存储性能是一种有效的途径。     

Thermal phase change and activation energy of crystallization of Ge-Sb-Te-Sn thin films

To improve the optical storage performance, Sn was doped into Ge2Sb2Te5 phase change thin films. The optical and thermal properties of Sn-doped Ge2Sb2Te5 film were investigated. The crystal structures of the as-sputtered and the annealed films were identified by the X-ray diffraction (XRD) method. The differential scanning calorimeter (DSC) method is used to get the crystallization temperature and crystallization energy (Ea). It was found that proper Sn-doping could highly improve storage performance of the Ge2Sb2Te5 media.     

相变光存储研究的新进展

光存储朝着高密度、大容量、高数据传输速率、多功能方向发展。可擦重写相变光存储介质和技术吸引着越来越多研究者的兴趣。本文主要综述了相变光存储原理、材料性能改进和高密度相变存储技术方面的现状和新进展。     

偶氮染料掺杂高分子PMMA薄膜的光学参数

在单晶硅片上,利用旋涂法,制备了偶氮染料掺杂高分子（ＰＭＭＡ）薄膜,可变入射角、波长扫描的全自动椭圆偏振光谱仪,研究了薄膜的复折射率、吸收系数和厚度,分析了影响薄膜电子光谱的因素。研究结果表明,该薄膜在４００～６００ｎｍ波长范围内,存在强而宽的吸收,并且发现分子聚集状态对该染料的吸收光谱有较大的影响。