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通过附加反向直流磁场,使通用的ESR谱仪的磁场实现过零扫描,这样就能记录下某些材料的样品在零场附近微波信号的变化.本文介绍两种附加反向直流磁场的实验方法,即外加补偿的亥姆霍兹线圈,或直接借用ESR谱仪本身的快扫描线圈,来实现过零扫描. 相似文献
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用室温电子自旋共振(ESR)实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值:自旋角动量能级±12〉与±32〉之间的间隔为Δε1=-587×10-4cm-1,而±32〉与±52〉之间的能级间隔为Δε2=-2633×10-4cm-1;其各向异性朗德因子g∥=21810,g⊥=20937;精细结构常数D=-536×10-4cm-1;超精细结构常数A∥=8836×10-4cm-1,A⊥=8120×10-4cm-1,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外,特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁,-32〉12〉和-12〉52〉.
关键词:
单晶
精细结构
超精细结构
禁戒跃迁 相似文献
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利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长.发现在无辉光放电的情况下,碳纳米管弯曲生长,而在辉光放电时,碳纳米管准直生长,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用.由于辉光放电的产生,在衬底表面附近形成很强的电场.相对无辉光放电时的电场,场强提高了两个数量级.本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用. 相似文献
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Non-resonant low-field microwave signal in undoped Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O (2223) sample inches monotonously with decreasing temperature, like that in many bulk samples of high-Tc superconductor. But the signed of a Sb-doped sample shows a peak at 103K, and declines gradually and tends to stabilize when the temperature is further reduced. A distorted 2223 phase (i.e., 130K phase) which was an intergrowth of 2223 and insulating monoclinic phases in the Sb-doped sample, was unstable, and it might change into the stable insulating monoclinic phase and lost its superconductivity at lower temperatures. 相似文献
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用室温电子自旋共振(ESR)实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值:自旋角动量能级|±1/2>与|±3/2>之间的间隔为△ε1=-587×10-4cm-1,而|±3/2>与|±5/2>之间的能级间隔为△ε2=-2633×10-4cm-1;其各向异性朗德因子g//=2.1810,g⊥=2.0937;精细结构常数D=-536×10-4cm-1;超精细结构常数A//=88.36×10-4cm-1,A⊥=81.20×10-4cm-1,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外,特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁,|-3/2> |1/2>和|-1/2> |5/2>. 相似文献
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两种非晶锂离子导体B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-xAl2O3-0.1V2O5(x=0.05和0.15)的电子自旋共振谱研究表明:(i)ESR线型是高斯型,证实V2O5添加量适当;(ii)超精细结构来源于VO2+络离子,具有四角对称性,属C4v群。越精细耦合张量的平行分量平均值A//=0.0175cm-1,垂直分量A⊥=0.0063cm-1。由g//(g⊥)求出其基态2B2g与第一激发态2Eg的能级间距△1=2.46×104 cm-1,基态与第二激发态2B1g的能级间距△2=3.03×104 cm-1;(iii)变温实验证实:Al2O3组分较少(x=0.05)的非晶ESR强度比x=0.15的非晶高3倍至2倍,而Al2O3组分越多则ESR强度随温升下降越小。 相似文献
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