ESR谱仪磁场过零扫描

通过附加反向直流磁场,使通用的ESR谱仪的磁场实现过零扫描,这样就能记录下某些材料的样品在零场附近微波信号的变化.本文介绍两种附加反向直流磁场的实验方法,即外加补偿的亥姆霍兹线圈,或直接借用ESR谱仪本身的快扫描线圈,来实现过零扫描.     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振（ESR）实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值：自旋角动量能级±12〉与±32〉之间的间隔为Δε1=-587×10-4cm-1,而±32〉与±52〉之间的能级间隔为Δε2=-2633×10-4cm-1；其各向异性朗德因子g∥=21810，g⊥=20937；精细结构常数D=-536×10-4cm-1；超精细结构常数A∥=8836×10-4cm-1，A⊥=8120×10-4cm-1，即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外，特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁，-32〉12〉和-12〉52〉. 关键词： 单晶 精细结构 超精细结构 禁戒跃迁     

竹节型结构碳纳米管的形成机制研究

利用化学气相沉积制备碳纳米管的过程中,在含氮的气体环境中,竹节型结构的碳纳米管在催化剂的作用下可制备出来.然而,目前对其形成机制仍不十分清楚.本工作中,分析化学气相沉积制备碳纳米管过程中催化剂的状态之后,研究了碳在不同状态催化剂中的扩散,提出了新的竹节型结构碳纳米管形成机制.     

辉光放电对负偏压增强热丝化学气相沉积碳纳米管的准直生长作用研究

利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长.发现在无辉光放电的情况下,碳纳米管弯曲生长,而在辉光放电时,碳纳米管准直生长,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用.由于辉光放电的产生,在衬底表面附近形成很强的电场.相对无辉光放电时的电场,场强提高了两个数量级.本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用.     

LOW-FIELD MICROWAVE SIGNAL IN UNDOPED AND Sb-DOPED Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O

Non-resonant low-field microwave signal in undoped Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O (2223) sample inches monotonously with decreasing temperature, like that in many bulk samples of high-T_c superconductor. But the signed of a Sb-doped sample shows a peak at 103K, and declines gradually and tends to stabilize when the temperature is further reduced. A distorted 2223 phase (i.e., 130K phase) which was an intergrowth of 2223 and insulating monoclinic phases in the Sb-doped sample, was unstable, and it might change into the stable insulating monoclinic phase and lost its superconductivity at lower temperatures.     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振(ESR)实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值:自旋角动量能级|±1/2>与|±3/2>之间的间隔为△ε1=-587×10-4cm-1,而|±3/2>与|±5/2>之间的能级间隔为△ε2=-2633×10-4cm-1;其各向异性朗德因子g//=2.1810,g⊥=2.0937;精细结构常数D=-536×10-4cm-1;超精细结构常数A//=88.36×10-4cm-1,A⊥=81.20×10-4cm-1,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外,特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁,|-3/2> |1/2>和|-1/2> |5/2>.     

Cr3+∶LiSrAlF6晶体的太赫兹-红外光谱研究

实验测量了室温下掺铬氟铝酸锶锂(Cr3+∶LiSrAlF6,LSAF)晶体0.1～3 THz的时域光谱,以及50～4000 cm-1范围内的红外光谱.结果分析表明:在0.2～1.5 THz波段LSAF晶体的吸收系数小于30 cm-1,折射率在0.5～1.5之间变化.红外波段内从30～1238 cm-1为声子吸收带,透射率几乎为零.最高的纵光学模声子的频率大约是1238cm-1,由此求出这支声子的Al-F键的力常数为5.0288 N·cm-1.     

非晶锂离子导体B2O3-Li2O-LiCl一Al2O3中VO2+的电子自旋共振

两种非晶锂离子导体B₂O₃-0.7Li₂O-0.7LiCl-xAl₂O₃-0.1V₂O₅(x=0.05和0.15)的电子自旋共振谱研究表明:(i)ESR线型是高斯型,证实V₂O₅添加量适当;(ii)超精细结构来源于VO²⁺络离子,具有四角对称性,属C_4v群。越精细耦合张量的平行分量平均值A_//=0.0175cm^-1,垂直分量A_⊥=0.0063cm^-1。由g_//(g_⊥)求出其基态²B_2g与第一激发态²E_g的能级间距△₁=2.46×10⁴ cm^-1,基态与第二激发态²B_1g的能级间距△₂=3.03×10⁴ cm^-1;(iii)变温实验证实:Al₂O₃组分较少(x=0.05)的非晶ESR强度比x=0.15的非晶高3倍至2倍,而Al₂O₃组分越多则ESR强度随温升下降越小。     

ESR研究非晶Ag￣＋导体的晶化

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法对非晶Ａｇ￣＋离子导体０．８５ＡｇＩ～０．１５Ａｇ＿４Ｐ＿２Ｏ＿７的热处理晶化过程进行研究，在样品中掺入微量（约１×１０￣（－３）ｇ／ｇ）的Ｍｎ￣（２＋）或Ｖ￣（４＋）离子作为自旋探针离子，它们的ＥＳＲ谱强度随升温线性减弱，当样品完全晶化时ＥＳＲ谱消失。这样测定的样品完全晶化的温度分别为９８℃（掺Ｍｎ的）和１０８℃（掺Ｖ的）．本文还对Ｍｎ￣（２＋）和Ｖ￣（４＋）的ＥＳＲ谱进行了分析。     

BaCl_2微晶中色心的ESR谱分析

用电子自旋共振(ESR)方法研究γ(或X)射线辐照发光基质材料BaCl_2中的点缺陷发现,在室温下有三个ESR峰。根据ESR信号朗德因子g值,信号强度受热衰减和时间衰减特征分析,确认这三个峰分别为BaCl_2微晶中的三种色心:V_K心、H心和F心。