高密度氦相变的分子动力学研究

采用分子动力学方法结合对关联函数分析计算了0–1000 K范围内氦的固–液相变曲线, 与实验数据的对比显示, 在0–500 K之间与实验数据符合很好, 500 K以上还没有相应的实验数据. 另外, 计算了钛金属中不同尺寸氦泡的压强, 并与高密度氦的固–液相变曲线进行了对比. 结果显示, 在低温条件下, 随着温度的降低, 钛晶体中可能会出现固态氦泡; 在300 K以上不会存在固态氦泡.     

具有纳米氧化层的磁性隧道结的热稳定性研究

研究发现在磁隧道结的反铁磁层和被钉扎铁磁层之间插入一层纳米氧化层，可以使磁隧道结的退火温度增加了40℃，即明显地提高了磁隧道结的温度稳定性.通过卢瑟福背散射实验直接观察到产生这一效应的原因是该纳米氧化层有效地抑制了Mn元素在退火过程中的扩散，从而使TMR值在较高的退火温度下得以保持. 关键词： 磁性隧道结 隧穿磁电阻 热稳定性 纳米氧化层     

一类Smale空间上的C~*-代数自同构的熵

Ian Putnam利用Smale空间上的渐近等价关系定义了广群C~*-代数及其典则自同构.本文在零维Smale空间的情形下,计算此类C~*-自同构的逼近熵,证明了相应C~*-动力系统关于CNT熵和逼近熵的"变分原理"成立.由此推演出此类Smale空间上的Bowen测度诱导的C~*-代数上的态是此典则自同构的唯一平衡态.     

双核铜配合物的合成、结构和性质研究

双核铜配合物的合成、结构和性质研究＊杨瑞娜薛宝玉王冬梅侯益民金斗满（河南化学研究所，郑州４５０００３）李彩云（平原大学，新乡４５３００３）关键词铜双核配合物氧化加成中图分类号Ｏ６２７．１２众所周知，许多金属酶具有铜（Ⅰ）、铜（Ⅱ）活性中心，铜配合物具...     

用12C离子模拟质子引起的单粒子效应

在理论分析的基础上 ,提出了一种利用兰州重离子加速器提供的高能12C离子模拟质子引起单粒子效应的途径 .在保证核反应机制是引起单粒子效应主要机制的前提下,用高能12C离子可以模拟质子在功率金属 -氧化物 -半导体场效应晶体管中引起的单粒子烧毁以及单粒子栅极击穿 ,获得质子单粒子效应的饱和截面 ,定性研究质子单粒子效应的角度效应 ,还可以作为高能质子单粒子效应实验前的预备实验 .该方法拓展了兰州重离子加速器加速的轻的重离子在单粒子效应实验研究方面的应用 ,对现阶段国内开展质子单粒子效应实验研究具有重要意义. The mechanisms for proton and heavy ion induced single event effect (SEE) are discussed and a method to simulate proton induced SSEE (PSEE) with high energy 12 C is proposed in this paper. The experiments which can be done by using this method include single event burnout (SEB) and single event gate rupture in power MOSFET, single event upset (SEU) and single event transient (SET) in less sensitive device and angle effect. The experimets with high energy ...     

周期跳跃数列

周期跳跃数列侯新昌（陕西宝鸡教育学院７２１００１）大型体育馆的坐椅数一般是从前排起逐排等差递增的，但每隔几排就会跳跃一次，留出一个过道．笔者由此想到周期等差跳跃等差数列．定义１设数列｛ａｎ｝从第ｋｔ＋１项起到第ｋｔ＋ｔ项是公差为ｄ的等差数列｛ｋ＝０，...     

INVESTIGATION ON THE STRUCTURE AND ELECTRIC PROPERTIES OF BUCKY ONIONS

Bucky onions were fabricated by the DC discharge method and their behaviors and electric properties on Highly Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) were studied by using an atomic force microscope (AFM), a scanning tunneling microscope (STM) and a transmission electron microscope (TEM). Small-sized Bucky onions demonstrated the properties of semiconductors and as the size increased their metallicity became stronger. AFM and STM images revealed the tendency of Bucky onions to form dimers.     

利用场发射电子显微镜研究具有原子分辨的单壁碳纳米管的场发射

利用场发射电子显微镜(FEM)研究了组装在金属钨(W)针尖上的单壁碳纳米管(SWCNTs)的电子发射特性. 透射电子显微镜(TEM)结果表明在W针尖上存在一单壁碳纳米管束. 在适当的实验条件下得到了一组具有原子分辨率的FEM像, 该像可能是从单壁碳纳米管束中突出的一根(16,0)锯齿型单壁碳纳米管开口端的发射形成的. 理论计算了FEM图像放大倍数和分辨率. 当压缩因子β的值设定为β= 1.76时, FEM图像放大倍数的理论计算值与实际测量值相一致. 利用考虑镜像力的Gomer分辨率公式计算了FEM的分辨本领. 在典型电场强度ε = 5.0×10⁷ V/cm)情况下, FEM的分辨本领可以达到0.277 nm, 这接近(16,0)型单壁碳纳米管开口端碳原子沿锯齿边的间距(0.246 nm). 这些进一步支持了实验得到的结果.     

Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究

在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition，MOCVD)方法外延生长的GaN薄膜具有良好的结晶品质，χ_min达到2.00%. 结合卢瑟福背散射/沟道(Rutherford backscattering/channeling，RBS/C)和高分辨X射线衍射(high-resolution X-ray diffraction，HXRD)的实验测量，研究了不同剂量和不同角度Mg⁺注入GaN所造成的辐射损伤. 实验结果表明，随注入剂量的增大，晶体的辐射损伤也增大，注入剂量在1×10¹⁵atom/cm²以下，χ_min小于4.78%，1×10¹⁶atom/cm²是Mg⁺注入GaN的剂量阈值，超过这个阈值，结晶品质急剧变差，χ_min达到29.5%；随机注入比沟道注入的辐射损伤大，且在一定范围内随注入角度的增大，损伤也增大，在4×10¹⁵atom/cm²剂量下偏离〈0001〉沟道0°，4°，6°，9°时的χ_min(%)分别为6.28，8.46，10.06，10.85；经过700℃/10min+1050℃/20s两步退火和1000℃/30s高温快速退火后，晶体的辐射损伤都有一定程度的恢复，而且1000℃/30s高温快速退火的效果更好，晶体的辐射损伤可以得到更好的恢复. 关键词： GaN 卢瑟福被散射/沟道 高分辨X射线衍射 辐射损伤     

丙吡胺对映异构体的毛细管电泳手性拆分

目前市场上销售的手性合成药物,大多以外消旋体形式面市。但在药物外消旋体的两个对映体中,只有一个对映体对生物体具有活性和治疗作用,另一个对映体则是非活性或具有毒副作用,表现出不同的疗效和毒理学性能,因而手性化合物的拆分在药物、临床及生命科学中具有十分重要的意义。丙吡胺(分子结构见图1),又称双异丙吡胺、吡二丙胺、达舒平,是广谱抗心律失常药。其电生理、血流动力学和抗心律失常作用与奎尼丁相似,