双核铜配合物[Cu2(C6H5COO)4(C9H7N)2]·2H2O

本文首次利用铜粉和过氧化苯甲酰的氧化加成反应，在喹啉存在下合成了新的双核铜配合物［Ｃｕ２（Ｃ６Ｈ５ＣＯＯ）４（Ｃ９Ｈ７Ｎ）２］·２Ｈ２Ｏ．配合物进行了元素分析、摩尔电导、热重分析、红外光谱、电化学等测试；并经Ｘ－射线单晶结构分析；确定了配合物的结构．配合物属正交晶系，空间群Ｐｂｃａ，ａ＝１９．８７９（２）Ａ，ｂ＝１６．９８２（５）Ａ，ｃ＝１１．６００（４）Ａ，α＝β＝γ＝９０°，Ｖ＝３９１６Ａ３，Ｚ＝４，Ｄ＝１．４７５ｇ·ｃｍ（－３），Ｒ＝０．０２５９９，Ｒｗ＝０．０２８８５．     

含Bi、Mg的硅酸铜催化剂的制备及其催化性能

以硝酸铋、硅酸钠和MgO-SiO₂复合微球为原料,分别采用共沉淀法和浸渍-沉淀法制备了含Bi、Mg的硅酸铜催化剂，其结构经SEM，低温N₂吸附-脱附、XRD和XPS表征。研究了催化剂在甲醛乙炔化合成1,4-丁炔二醇反应中的催化性能。结果表明：采用共沉淀法制备的催化剂具有高比表面积、孔径和孔体积，炔化反应活性高，1,4-丁炔二醇选择性大于96%。催化剂表面的活性组分主要为无定形硅酸铜，分散度与稳定性较好，活性组分Cu和Bi不易流失。     

巡游磁体Sr1-xCaxRuO3系列的磁性

固相反应法制备了Sr1-xCaxRuO3系列. PPMS测量了样品的零场冷却和加场冷却磁化强度和交流磁化率. 居里-外斯定律确定了样品的顺磁居里温度TP. 结果表明, 随x的增加, TP减小. 当x≤0.6时TP大于零; 当x>0.6时TP小于零. 利用交流磁化率随温度变化的关系确定样品的铁磁居里温度TC, 随x的增加TC减小. 当x=0.8时TC降至4 K; 而当x=1.0时, 即使温度降到1.7 K, 也未出现磁有序.     

电化学沉积金纳米线结构及其电学特性

用电化学沉积方法，在有机介孔模板上制备出直径为90 nm的金纳米线.透射电子显微镜（TEM）分析结果表明，纳米线表面光滑并呈单晶结构.去除有机模板的金纳米线阵列用扫描电子显微镜（SEM）测试，纳米线顶端呈平台状，直径分布均一.我们利用原子力显微镜（AFM）测量了金纳米线阵列的微观结构，得到与SEM相一致的结果.在大气和室温条件下，用导电AFM针尖在接触模式下测量了单根纳米线的轴向I－V特性曲线，其结果为金属性.     

New Chiral N,S-Ligands with Thiophenyl at Benzylic Position. Palladium(II)-catalyzed Enantioselective Allylic Alkylation

Ｃｈｉｒａｌｌｉｇａｎｄｓｐｌａｙａｃｒｕｃｉａｌｒｏｌｅｉｎａｓｙｍｍｅｔｒｉｃｃａｔａｌｙｓｉｓ .Ｔｏｄａｔｅａｖａｒｉｅｔｙｏｆｌｉｇａｎｄｓｈａｖｅｂｅｅｎｓｙｎｔｈｅ ｓｉｚｅｄａｎｄｐｒｏｖｅｄｔｏｂｅｅｆｆｅｃｔｉｖｅ .Ａｍｏｎｇｔｈｅｍｔｈｅｌｉｇａｎｄｓ1ｗｉｔｈｂｏｔｈｃｏｏｒｄｉｎａｔｅａｔｏｍｓａｔｂｅｎｚｅｎｅｒｉｎｇ ｐｏｓｉｔｉｏｎｓｓｈｏｗｇｏｏｄｔｏｅｘｃｅｌｌｅｎｔａｓｙｍｍｅｔｒｉｃｉｎｄｕｃｔｉｏｎｉｎｃａｔａｌｙｔｉｃａｓｙｍｍｅｔｒｉｃｒｅａｃｔｉｏｎｓ …     

Al-C60-Al分子结电子输运特性的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的格林函数方法, 计算了Al-C60-Al分子结的电子输运特性. 考虑了C60分子在铝电极表面的原子结构弛豫, 计算结果表明共振传导是Al-C60-Al分子结电子输运的主要特征, 在费米能级附近的电导约为1.14G0 (G0=2e2/h). 投影态密度(PDOS)分析表明, Al-C60-Al分子结的电子输运主要通过C60分子的最低空分子轨道(LUMO)和次低空分子轨道(LUMO+1)进行. 讨论了C60分子和铝电极之间距离的变化对其电子输运特性的影响.     

过渡金属催化下的烯烃硼氢化反应

本文综述了在过渡金属尤其是铑络合物催化下烯烃与CB ( 邻苯二酚硼烷 ) 的硼氢化反应在化学、位置和立体选择性的进展, 对它们的机理也进行了讨论。     

催化KBH_4还原红霉素6,9-亚胺醚的研究

在催化剂作用下,红霉素6,9-亚胺醚经KBH4还原制备阿奇霉素前体--氮红霉素.考察了催化剂的活性组分、载体及其制备条件对催化性能的影响.最佳催化剂为:以Pt为活性组分[w(Pt)=1%],未经处理的活性炭(C)为载体,Pt/C用水合肼还原.以1%Pt/C催化还原反应,转化率93%,收率70%.     

Justification of a Monte Carlo Algorithm for the Diffusion-Growth Simulation of Helium Clusters in Materials

A theoretical analysis of a Monte Carlo （MC） method for the simulation of the diffusion-growth of helium clusters in materials is presented. This analysis is based on an assumption that the diffusion-growth process consists of first stage, during which the clusters diffuse freely, and second stage in which the coalescence occurs with certain probability. Since the accuracy of MC simulation results is sensitive to the coalescence probability, the MC calculations in the second stage is studied in detail. Firstly, the coalescence probability is analytically formulated for the one-dimensional diffusion-growth ease. Thereafter, the one-dimensional results are employed to justify the MC simulation. The choice of time step and the random number generator used in the MC simulation are discussed.     

Von Neumann 代数的局部3-上循环

证明von Neumann 代数到其单位对偶双模上的每个局部3-上循环都是3-上循环