Dislocation Reduction Mechanisms in Gallium Nitride Films Grown by Canti-Bridge Epitaxy Method

By using the special maskless V-grooved c-plane sapphire as the substrate, we previously developed a novel GaN LEO method, or the so-called canti-bridge epitaxy （CBE）, and consequently wing-tilt-free GaN films were obtained with low dislocation densities, with which all the conventional difficulties can be overcome [J. Vacuum Sci. Technol. B 23 （2005） 2476]. Here the evolution manner of dlslocations in the CBE GaN films is investigated using transmission electron microscopy. The mechanisms of dislocation reduction are discussed. Dislocation behaviour is found to be similar to that in the conventional LEO GaN films except the enhanced dislocation-combination at the coalescence boundary that is a major dislocation-reduction mechanism for the bent horizontal-propagating dislocations in the CBE GaN films. The enhancement of this dislocation-combination probability is believed to result from the inclined shape and the undulate morphology of the sidewalls, which can be readily obtained in a wide range of applicable film-growth conditions during the GaN CBE process. Further development of the GaN CBE method and better crystal-quality of the GaN film both are expected.     

Defect-Bound Carrier Mediated Room-Temperature Ferromagnetism in Co-Doped ZnO Powders

We prepare pure single-phase Co：ZnO powders introducing controllable interstitial Zni by Zn vapour annealing. The as-ground powder shows that no room-temperature ferromagnetism （RT-FM） exists, while the Zn vapour treated samples exhibit unambiguous RT-FM with a maximum magnetic moment of 0.2μB/Co. The FM of Co：ZnO strongly depends on the Zn diffusion process, suggesting that not only carriers but also Zni defects play an important role in mediating FM in diluted magnetic semiconductors. A new core-shell model is proposed to interpret the mixture behaviour of FM and paramagnetism observed in the Zn vapour annealed Co：ZnO powders.     

悼念杨经国教授

四川大学物理科学与技术学院教授,中国物理学会中国光散射专业委员会委员,《光散射学报》常务副主编杨经国同志,因病医治无效于2007年9月14日21时在成都不幸逝世,享年68岁。杨经国教授是发起成立中国物理学会光散射专业委员会组织倡导人和组织者之一。20多年来积极组织和参与由中国物理学会光散射专业委员会开展的各类学术活动,曾亲自举办过第八届全国光散射学术大会(1995年)和全国受激光散射研讨会(1983年),为推动中国光散射事业的发展和进步起到了积极的作用。杨经国教授是出版《光散射学报》的主要倡导人、创始人和组织者之一。一直担任…     

GaAs／GaAlAs脊型波导交变式Δβ耦合器

研制了具有肖特基势垒电极的ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ双异质结脊型波导交变式Δβ耦合器．通过合理设计器件结构，降低波导层中载流子浓度和上、下包层中Ａｌ的含量，以及采用反应离子刻蚀和剥离等技术，使器件总损耗降为１０ｄＢ，消光比为２６．８ｄＢ，器件在１．３μｍ下实现单模工作．     

求矩阵秩的一个新算法

为了求出矩阵A的秩和它的行空间的一个基,学生总是被告知使用行初等变换方法把矩阵A变成阶梯形矩阵。于是该阶梯形矩阵的非零行的个数即为矩阵A的秩,而该阶梯形矩阵的各行则构成矩阵A的行空间的一个基。上述方法肯定是正确的,但在实践中,相应的运算却可能并不灵便。例如,对于一个整数矩阵A,有两个标准步骤来进行第一步,我们利用(基于除法的)行初等变换把矩阵A的第一列元素除第一项以外全部消成零。第二步,首先我们把第一行各元素分别除以该左手第一项a_(11)(假定A_(11)≠0)然后从除第一行以外的其余各行中减去现在新的第一行元素的适当倍数。无论那一种情况,下一步运算要考虑的对象均是(m-1)×(n-1)阶矩阵。因此,再重复上述步骤。     

生物电化学传感器的设计——Ⅱ.新近进展

在了解生物电化学传感器一般设计原理的基础上,本文拟结合介绍各种传感器的新近进展,进一步说明研制不同类型传感器时必须解决的问题以及某些新的构想。     

生物电化学传感器的设计 Ⅰ.基本原理

自1967年第一支酶电极问世以来,数以百计的各种生物电化学传感器相继出现,这不仅为临床检验、环境分析以及食品、医药等工业生产过程的监控提供了新的工具,而且促进了生物电催化和生物燃料电池研     

今天的物理

我在大学本科时代就学于纽约市立学院。学校的大印上有三个头像：一个在看过去，一个在看现在，一个在看来来。同这组人头像一样，我令天也是想在与昨天的物理和明天的物理上下关系的角度来谈一谈今天的物理。(图1)     

第二届《低温物理学报》编委会第一次会议在四川省乐山市召开

为促进我国低温科学研究的发展,继续坚持《低温物理学报》为活跃低温领域学术思想、交流学术成果服务,本刊编委会二届一次会议于1986年11月在四川省乐山市召开。 学报副主编张其瑞教授受主编管惟炎教授委托主持了会议。他就办刊方针、宗旨以及为适合我国国情进一步把刊物办得生动活泼提出了一些设想。与会代表认为《低温物