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The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth. 相似文献
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Using Co2O3 as the Co source, doped cerium oxide thin films with the composition of Ce0.97C00.03O2-δ (CCO) are deposited on Si(111) and glass substrates by pulse laser deposition technique. X-ray diffraction reveals that CCO films with (111) preferential orientation are grown on Si, while the fihn on glass is polycrystalline with nanocrystal. X-ray photoelectron spectroscopy shows that the (Jo displaces the (;e atom and exists in high spin state rather than low spin state, which contributes to the room-temperature ferromagnetism confirmed by vibration sample magnetometer. I~ilms on Si and glass are different in ferromagnetism, which is believed to be induced by different film microstructures. Based on these results, the possible ferromagnetism in this insulating film is discussed. Anyway, successful fabrication of CCO films with room-temperature ferromagnetism on Si substrates is of great importance in both technological and theoretical aspects. 相似文献
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南开大学物理学院今日物理小组 《现代物理知识》2007,19(3):67-0
2007年2月28日这一天,彭先生永远离开了我们。回忆起两年前,彭老曾应“今日物理”之邀来到南开大学,为我们做了一次意义深远的演讲,此情此景我们至今难忘。谨以此文表达我们对彭老深切的追思。 相似文献
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铈铝复合载体对钼基催化剂耐硫甲烷化催化性能的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
铈铝复合载体对钼基催化剂耐硫甲烷化催化性能的研究 《燃料化学学报》2012,40(11):1390-1396
采用共沉淀法、浸渍法和沉积沉淀法制备了CeO2-Al2O3复合载体,比较了不同复合载体浸渍钴钼后的耐硫甲烷化催化性能,并优化了复合载体中CeO2的含量。结合N2物理吸附、XRD、H2-TPR等表征手段对复合载体及其负载的钴钼催化剂进行物相和结构分析发现,在Al2O3中添加CeO2可以明显提高合成气的耐硫甲烷化活性,其中,沉积沉淀法制备的25% CeO2-Al2O3复合载体负载钴钼后具有最佳催化活性。 相似文献
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CuNaY分子筛的制备及其催化甲醇氧化羰基化 《燃料化学学报》2013,41(11):1361-1366
采用多种铜盐溶液与NaY分子筛离子交换制备了CuNaY催化剂,通过加入氨水提高溶液pH值以及高温活化,显著提高了该催化剂对甲醇氧化羰基化合成碳酸二甲酯的反应活性。不同的铜盐水溶液交换制备的CuNaY催化剂催化活性不同,添加氨水将溶液pH值调节为11后,离子交换制备的CuNaY催化剂的催化活性和DMC选择性明显升高且趋于一致。经元素分析、XRD、XPS和H2-TPR表征可知,加入氨水可促进Cu2+离子交换的进行,提高CuNaY催化剂中Cu的交换量,催化剂中约75%的Cu2+定位于分子筛的超笼中。 相似文献
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