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11.
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
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沿直线的垂直方向匀速直线运动的带电直线的电场 总被引:1,自引:1,他引:0
本文利用相对论变换关系计算了沿直线的垂直方向匀速运动的带电直线的电场. 相似文献
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14.
经过几年实验发现,摇摆器的磁场强度、峰值误差和好场区宽度对束波作用效率有很大影响。为了提高摇摆器性能对摇摆器如下改进:(1)提高磁场强度:永磁块材料采用北京钢研院的钕铁硼N39SH,其风达到11.6kOe(10e≈79.578A/m),B,达到12.3kGs(1Gs=10^-4T),(BH)max为36MGOe;摇摆器周期长度由30mm改为32mm,磁块与磁极宽度的比值由9:6改为11:5;(2)减小峰值误差和增加好场区宽度:改进永磁块、磁极的形状和固定方式,从机械上消除不规则磁块、磁极形状带来的负面影响。通过上述改进可以提高单电子小信号增益与理想增益的比率,即提高整个摇摆器品质。精密的磁场自动测量系统是摇摆器调试过程中所必须的装置,该系统经过改进,具有高精度、高稳定度、可同时监测x、y、z方向磁场值、操作方便等优点,为摇摆器的研制打下良好基础。 相似文献
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16.
取代酰肼化合物是制备偶氮化合物的原料,是一种非常重要的有机化合物,具有广泛的应用价值。它可以和金属形成稳定络合物,对聚烯烃等高分子材料的“铜害”有良好的防护,因而在电线、电缆、钢丝、轮胎等与铜及其它重金属相接触的高分子工业制品中得到广泛应用,被称为金属减活剂[2 相似文献
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19.
用X-射线衍射、动态力学测定等手段研究了不同拉伸倍数的超高分子量聚丙烯薄膜的力学性能的变化.以X-射线衍射法并基于串联力学模型的假设得到的各样品的表观晶区模量Ecapp约为34-38GPa.样品模量E_b随拉伸倍数增加而逐渐增大,其变化趋势与非晶区取向因子的变化相类似,说明非晶区取向是左右样品模量的重要因素.室温下,69倍拉伸样品的模量为27GPa,约为表观结晶模量的3/4,且其值在-150-160℃的温度范围内没有急剧变化,说明超拉伸明显改善了材料的力学性能及热稳定性.在各拉伸样品中,考虑伸直链结晶生成的可能性,利用并串联力学模型对伸直链结晶的体积分数做了估算,并对X-射线衍射法所得表观结晶模量进行了修正,认为室温下聚丙烯的真正晶区模量约为47GPa. 相似文献
20.
焙烧对HZSM—5分子筛结构的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
运用魔角自转固态核磁共振谱(MAS-NMR),研究了焙烧对HZSM-5分子筛结构的影响,结果表明,高温焙烧将引起HZSM-5分子筛骨架的脱铝,当焙烧温度从500℃增加到700℃时,HZSM-5的骨架Si/Al比由16.7增加至22.7;而当焙烧温度由700℃到800℃时,骨架Si/Al比则由22.7增加到48.5,Al-MASNMR结果表明,从骨架上脱下来铝,部分地形成了NMR不可见的无定形态,随 相似文献