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991.
经溶胶-凝胶法制备出PLZT纳米多层膜,采用热重-差热、X射线衍射、拉曼光谱、SEM等对目标产物进行性能和微结构分析.结果表明:在 700℃下保温30min,得到粒径约为50~70nm钙钛矿结构的PLZT纳米薄膜,随Zr含量增大粒径变小,且由三方相向四方相转变.  相似文献   
992.
建立了顶空气相色谱法(HS-GC)测定盐酸司他斯汀中乙醚、丙酮、异丙醇、四氢呋喃、甲苯与二甲苯6种有机溶剂残留量的方法.样品用二甲基亚砜溶解,在110 ℃加热20 min,使气液平衡,采用氢火焰离子化检测器(FID),以DB-1701(60 m x 0.320 mm,1.00 μm)为分析柱,程序升温测定.在优化的气相...  相似文献   
993.
建立了微波辅助萃取-固相微萃取-气相色谱/电子捕获检测法快速测定茶叶中三氯杀螨醇的方法。采用自制的PDMS萃取头,优化了萃取溶剂的种类,微波辐射时间和微波功率等微波辅助萃取条件;研究了SPME萃取时间、搅拌速度、离子强度、解吸温度和解吸时间对萃取效率的影响。方法对三氯杀螨醇的检出限为0.048 ng/mL,线性范围为0.2~200 ng/mL。在优化的实验条件下,对乌龙茶进行添加回收试验,平均回收率为61.3%~72.8%,相对标准偏差为8.0%~16.3%。本方法适合于茶叶中痕量三氯杀螨醇快速检测。  相似文献   
994.
基于电磁振荡以及高压尖端放电原理,利用特斯拉线圈模拟自然界中的雷电及其磁场。利用TES-593三维电磁测量仪对所产生的雷电磁场进行测量,探究了放电频率f、放电脉宽I与雷电磁场的关系。通过原创的“暂态循迹仿真分析法”对不同高度下的磁场分布情况进行测量和仿真,进一步探究雷电磁场分布与雷电距地面高度的关系。  相似文献   
995.
本研究通过液相纳米铸造法,以SBA-15为硬模板,蔗糖为碳源,四硫代钼酸铵(ATTM)为MoS2前驱体,合成了三维有序介孔结构少层MoS2/C复合材料。该催化剂的三维有序介孔结构提供了较高的比表面积并为电化学析氢反应(HER)提供了物质和电子传输的通道,无定形碳的限制作用使少层MoS2薄片均匀分散,暴露大量MoS2的边缘活性位点,避免MoS2团聚的发生,并增加了材料的导电性。在酸性条件下实现高效析氢,电流密度为10 mA/cm2时,过电位为165 mV,Tafel斜率为91.1 mV/dec。本研究为构建高比表面积和少层MoS2均匀分散的三维结构HER催化剂提供了依据。  相似文献   
996.
余群群 《大学数学》2007,23(6):143-145
利用不同的方法给出一类不等式的证明,并举例说明其应用.  相似文献   
997.
建立常年学生科技活动小组进行实验教学,不仅能为部分学生提供一个科研和实验的平台,而且能为有关专业的所有学生提供一个开放式实验的教学基地。它比一般的科技活动模式具有更好的教学效果,值得在大中学校里推广。  相似文献   
998.
针对某高氯酸铵/端羟基聚丁二烯(AP/HTPB)推进剂固体火箭发动机,采用两步总包反应描述AP/HTPB 的烤燃过程,建立了考虑发动机空腔自然对流的二维轴对称烤燃模型,对加热速率分别为 3.6、7.2 和10.8 K/h 时火箭发动机的慢速烤燃行为进行了数值预测,研究了该火箭发动机的热安全性问题。结果表明,固体火箭发动机空腔内的自然对流对 AP/HTPB 推进剂的着火温度、着火延迟期和着火位置有一定影响,在热安全性精确分析中不可忽略。3种加热速率下,AP/HTPB 推进剂的最初着火位置均出现在药柱肩部的环形区域内,3种加热速率对应的着火延迟期、着火温度及着火时壳体温度分别为30.71、20.06、18.68 h,526.52、528.10、530.64 K,和479.56、496.82、508.77 K。随着加热速率的增大,烤燃响应区域向推进剂与绝热层交界处移动,着火位置的二维截面由椭圆形变为半椭圆形。  相似文献   
999.
刘芳  余旺盛 《应用光学》2015,36(3):391-397
针对传统目标跟踪算法中存在的特征鲁棒性不强的问题,提出了一种基于背景加权空间直方图的目标跟踪算法。算法通过综合背景加权直方图和空间直方图二者各自的优势,增强了特征描述的鲁棒性,进而在Mean Shift跟踪框架下实现了对运动目标的跟踪。仿真实验与定量分析表明,所提算法能够实现对目标的稳定跟踪,跟踪所得的平均中心位置误差较传统算法降低了80%以上。  相似文献   
1000.
车振  张军  余新宇  陈哲 《应用光学》2015,36(4):606-611
为了提高GaN基LED芯片的光提取效率,以GaN基LED芯片为研究对象,建立了在蓝宝石衬底出光面和外延生长面上具有半球型图形的LED倒装芯片模型,并利用光学仿真软件对图形参数进行优化设计。实验结果表明:在蓝宝石衬底的出光面和外延生长面双面都制作凹半球型图形对芯片光提取效率的提高效果最好,并且当半球的半径为3 m,周期间距为7 m时,GaN基LED倒装芯片的最大光提取效率为50.8%,比无图形化倒装芯片的光提取效率提高了115.3%。  相似文献   
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