SiO2分子的基态(X1A1)结构与分析势能函数

应用群论及原子分子反应静力学方法推导了SiO2分子的电子态及其离解极限,采用B3P86方法,在6-311G**水平上,优化出SiO2基态分子稳定构型为单重态的C2V构型,其平衡核间距Re=RSi-O=0.1587 nm,∠OSiO=111.2°,能量为-440.4392 a.u..同时计算出基态的简正振动频率:对称伸缩振动频率v(B2)=945.4cm-1,弯曲振动频率v(A1)=273.5 cm-1和反对称伸缩振动频率v(A1)=1362.9cm-1.在此基础上,使用多体项展式理论方法,导出了基态SiO2分子的全空间解析势能函数,该势能函数准确再现了SiO2(C2V)平衡结构.     

吸收光谱光路的设计与误差

固体、液体和气体物质的吸收光谱是大学普物、光学专业的一个基本实验．如何在普通的设备和实验条件下，较为准确地测量吸收系数？本文从朗伯定律出发，介绍一种“对数测量法”光路．并对实验中出现的“负吸收系数”等误差作了分析．文中还介绍了消除材料样品对探测光的反射误差的固体、液体样品架．     

两种简便的光电倍增管管套与接口的设计制作

利用原有的光谱仪,或购买经济的、无光电测试设备的光谱仪,自制光电倍增管管套和接口,与两种类型的光谱仪连接,进行光电法测量。这种简易设备,避光性能好,装卸方便,有利于教学实验中的演示和测量两个要求。     

Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.     

Hyperbolic Bending of Vortex Lines with Finite Number and Length in Rotating Trapped Bose-Einstein Condensates

The minimal energy configurations of hyperbolic bending vortex lines in the rotating trapped Bose-Einstein condensates are investigated by using a variational ansatz and numerical simulation. The theoretical calculation of the energy of the vortex lines as a function of the rotation frequency gives self-consistently vortex number, curvature and configuration. The numerical results show that bending is more stable than straight vortex line along the z-axis, and the vortex configuration in the xy-plane has a little expansion by increasing z.     

溶胶-凝胶法制备小颗粒(Y,Gd)BO_3∶Eu及其表征

用溶胶 凝胶方法制备了平均粒径为 1～ 2 μm的小颗粒、高发射效率的 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu红色发射荧光体。用XRD、SEM、粒度分析和PL光谱对荧光体作了表征和研究。常规固相反应合成 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu需在 1 2 0 0℃以上才能形成均一的固溶体。而溶胶 凝胶法制取稀土正硼酸盐 80 0℃灼烧已可形成均一的单相 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu,在 1 1 0 0℃可得到发光亮度最高的荧光体。它的亮度是常规固相反应于 1 2 0 0℃制得的荧光体的 1 2 0 %。采用溶胶 凝胶法制取 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu荧光体 ,可在相当宽的实验条件范围内得到小粒径、窄分布和高亮度的荧光体 ,且有良好的颗粒形貌。     

基于改进巴氏指标和模型更新的视觉跟踪算法

传统的Mean Shift算法采用巴氏系数度量模型与候选模型之间的统计特征相似性,但是由于背景特征的影响,有时应用巴氏指标进行匹配得到最优解的位置并不一定是目标的实际位置,在跟踪过程中可能导致目标定位出现偏差。该文提出一种改进的巴氏系数相似度指标,指标由于引入了前景/背景置信值,能够有效抑制待匹配区域中背景特征的影响,突出目标特征的权重,与原始的巴氏指标相比,明显提高了目标匹配的准确性。基于改进的巴氏指标,对目标与背景区域双模型相似度系数进行综合分析,合理地判断干扰目标匹配的原因,从而采取相应的模型更新策略。采用4段具有挑战性的视频序列对5种跟踪算法进行了测试,通过定量实验分析可知,文中算法处理1帧视频所需的平均时间为75.76 ms,实时性仅次于原始的Mean Shift跟踪算法,同时跟踪误差在5种跟踪算法中取得了最优结果。实验结果表明,该算法能够有效抑制背景干扰和避免模型漂移,在不同的复杂场景下都具有一定的鲁棒性。     

用于XRF分析的U-Nb合金试样制备方法

用X射线荧光光谱法(XRF)测量U-Nb合金样品时,其试样制备至关重要。本文用XRF测量U-Nb合金试样的制备方法:首先用HNO3+HF溶样,然后加入柠檬酸溶液,依次经过加热、除酸、络合、定容等过程,最后定量移取试液于滤纸片上,在红外灯下烤干,即制成试样片。该方法制备的U-Nb合金试样片具有平整、不变形、易于封装、可长期存放等特点。     

单层SbAs和BiSb的表面修饰调控

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了V族二维层状材料SbAs和BiSb在全氢化和全氟化后体系的晶体结构、稳定性和电子结构.计算结果表明,全氢化后SbAs和BiSb由buckled结构转变为准平面结构,而全氟化后则转变为low-buckled结构.同时,本征、全氢化和全氟化的SbAs和BiSb均具有很好的稳定性,具备实验合成的可能性.电子结构的分析表明,全氢化和全氟化后SbAs和BiSb均由宽带隙半导体转变为窄带隙的直隙半导体,且其能带结构仍具有很好的线性色散.通过对准平面和low-buckled结构SbAs和BiSb电子结构的进一步分析,揭示了全氢化和全氟化后体系能带变化的原因.在h-BN衬底上的计算结果显示,由于两者间的弱耦合作用,使得全氢化和全氟化SbAs的直隙半导体特征得以保留,表明其在未来光电子设备等领域中具有广泛的应用前景.     

基于核相关的尺度自适应视觉跟踪

针对视觉跟踪中目标尺度变化对准确跟踪的不利影响,提出一种基于核相关的尺度自适应视觉跟踪算法。首先,通过建立核岭回归模型构建二维核相关定位滤波器,采用融合后的多通道特征对滤波器进行训练,提高目标定位的精度;然后,对目标区域进行多尺度采样,样本缩放后提取其特征,并构造为一维特征,以此构建一维核相关尺度滤波器,估计出目标的最佳尺度。在OTB2013平台上的实验结果表明,与8种当前主流的跟踪算法相比,本文算法的跟踪精度和成功率均有优势。在尺度变化条件下,本文算法在快速准确跟踪的同时,较好地实现了对目标尺度的自适应跟踪。