用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜

采用激光分子束外延技术,利用两步法,在Si单晶衬底上成功地外延生长出TiN薄膜材料.原子力显微镜分析结果显示, TiN薄膜材料表面光滑,在10 μm×10 μm范围内,均方根粗糙度为0842nm.霍耳效应测量结果显示,TiN薄膜在室温条件下的电阻率为36×10^-5Ω·cm,迁移率达到5830 cm²/V·S,表明TiN薄膜材料是一种优良的电极材料.X射线θ—2θ扫描结果和很高的迁移率均表明,高质量的TiN薄膜材料被外延在Si衬底 关键词： 激光分子束外延 TiN单晶薄膜 外延生长     

X射线研究CeO2缓冲层

我们在有和无离子束辅助两种情形下,在双轴织构Ni基底上制备了CeO2薄膜,结果表明,无离子束辅助沉积时,薄膜表现出(111)取向,在离子能量为240eV,束流为200μA/cm2,基片温度为360℃的条件下沉积的CeO2薄膜呈现出良好的立方织构.另外,我们分析了薄膜应力随温度和离子辅助条件的变化关系,结果表明,离子束轰击可以减小薄膜应力,在360℃附近薄膜应力几乎被完全弛豫.     

Ultraviolet Photoelectric Effect in ZrO2 Single Crystals

Nanosecond photoelectric effect is observed in a ZrO2 single crystal at ambient temperature for the first time. The rise time is 20ns and the full width at half maximum is about 30ns for the photovoltaic pulse when the wafer surface of the ZrO2 single crystal is irradiated by 248 nm KrF laser pulses. The experimental results show that ZrO2 single crystals may be a potential candidate in UV photodetectors.     

Ce:BaTiO3自组织量子点制备及其非线性光学性质 *

报道了激光淀积法制备复合氧化物Ce :BaTiO₃ 自组织量子点 ,利用原子力显微镜、X射线衍射观察了自组织量子点的生长过程及其结构 .分别给出了量子点的尺寸分布、高度分布和面密度 ;讨论了复合氧化物自组织量子点的生长机理 ;利用单光束Z扫描方法研究了自组织量子点的光学非线性折射率 ,并讨论了影响非线性效应增强的因素 .     

High-performance synaptic transistors for neuromorphic computing

The further development of traditional von Neumann-architecture computers is limited by the breaking of Moore’s law and the von Neumann bottleneck, which make them unsuitable for future high-performance artificial intelligence (AI)systems. Therefore, new computing paradigms are desperately needed. Inspired by the human brain, neuromorphic computing is proposed to realize AI while reducing power consumption. As one of the basic hardware units for neuromorphic computing, artificial synapses have recently aroused worldwide research interests. Among various electronic devices that mimic biological synapses, synaptic transistors show promising properties, such as the ability to perform signal transmission and learning simultaneously, allowing dynamic spatiotemporal information processing applications. In this article, we provide a review of recent advances in electrolyte-and ferroelectric-gated synaptic transistors. Their structures, materials,working mechanisms, advantages, and disadvantages will be presented. In addition, the challenges of developing advanced synaptic transistors are discussed.     

用电泳法在MgO基底上制备YBCO超导厚膜

电泳方法具有工艺简单,成本低廉,基底的形状和尺寸不受限制,膜厚容易控制的特点.本文采用电泳方法在00l取向的MgO基底上制备高温超导YBCO厚膜.在后退火过程中,采用籽晶诱导熔融生长法,成功制备转变温度约85K,转变宽度约3K的YBCO超导厚膜.X射线衍射结构分析揭示了在MgO基片上生长的样品绝大部分都是Y123相c轴取向的晶粒,少部分是Y211相的晶粒.此结果与通过扫描电子显微镜观察膜表面的形貌得到的结论是一致的.通过扫描电子显微镜的剖面图,可以看到生长非常清晰紧凑的,厚度约30μm的YBCO膜层.所制备YBCO厚膜样品用磁滞回线法估算其最高临界电流密度为0.978×103A/cm2,高于文献中用电泳法制备YBCO厚膜的最高临界电流密度.     

钙钛矿结构La0.9Sb0.1MnO3的庞磁电阻性质

一种新的钙钛矿结构的庞磁电阻氧化物La_0.9Sb_0.1MnO₃已用固态反应方法制 成，通过超导量子干涉器件(SQUID)装置测量研究了它的电输运性质和磁性质.x射线光电子 能谱分析证明，该氧化物中Sb的价态是+5价，因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻 材料. 关键词： 钙钛矿结构 0.9Sb_0.1MnO₃')" href="#">La_0.9Sb_0.1MnO₃ 电子掺杂 庞磁电阻     

无缝襟翼吹气控制机理和地面效应分析

基于Coanda效应的无缝襟翼吹气控制能大幅度提升机翼升力, 改善大型运输类飞机起降性能, 因此研究起降阶段地面效应对吹气控制的影响十分必要。通过数值模拟方法, 从流场变化的角度分析了无缝襟翼吹气控制机理, 以及有/无襟翼吹气时地面效应对翼型气动性能的影响。襟翼吹气使Coanda表面产生局部低压区, 形成指向Coanda表面的压力梯度, 进而引起射流上方的主流偏转和加速, 使整个翼面近壁区产生顺时针方向的速度增量; 翼面压力面的压力增大, 吸力面的吸力增强, 其中主翼上翼面吸力增强是翼型升力增加的主要来源。无吹气时, 地面效应使翼型上/下翼面附近的流速均降低, 上/下翼面的压力均有所提高, 整体上使翼型升力降低。有地面效应时的襟翼吹气增强了下翼面对来流的阻滞作用, 进一步提高了下翼面的压力; 襟翼吹气使上翼面气流加速, 可抵消地面效应引起的上翼面气流减速, 一定程度上减小了地面效应引起的上翼面吸力损失。      

激光分子束外延和关键技术研究

较为系统地介绍了一台激光分子束外延的总体结构和关键技术研究 .同时使用该设备和技术 ,实现精确控制原子尺度外延生长 ,获得原子尺度光滑表面的氧化物外延薄膜等实验结果 .     

巨磁电阻材料La0.9Sr0.1 MnO3与半导体Si组成的二极管的整流特性

掺杂锰氧化物La0 .9Sr0 .1 MnO3薄膜被直接沉积在n型硅基片上 ,构成p -n结 .这种p -n结在很宽的温度范围内都有很好的整流特性 .研究结果表明 ,这种p- n结的结电阻对低磁场敏感 ,在 3× 10 - 2 T的磁场下 ,磁电阻可达 70 % .磁电阻的正负依赖于温度 .磁电阻的大小可通过加在p- n结上的电压调节 .