Time calibration for the end cap TOF system of BESⅢ

The time calibration for end cap TOF system of BESⅢ is studied in this paper. It has achieved about 110 ps time resolution for muons in dimu events. The pulse height correction using electronic scan curve and the predicted time calculated using Kalman filter method are introduced. This paper also describes the study of using electrons and muons as calibration samples.     

芳环上硝基取代基对苯甲酸功能化聚苯乙烯-Eu（Ⅲ）配合物光致发光性能的双重影响

将硝基苯甲酸配基(NBA)键合在聚苯乙烯侧链,制得了硝基苯甲酸功能化的聚苯乙烯(PS-NBA),在此基础上使大分子配体PS-NBA与Eu(III)离子配位,制备了二元高分子-稀土配合物PS-(NBA)3-Eu(III),也以邻菲罗啉(Phen)为小分子配体,制备了三元高分子-稀土配合物PS-(NBA)3-Eu(III)-Phen1,重点研究了芳环上硝基取代基对高分子-稀土配合物光致发光性能的影响.研究结果表明,芳环上的硝基取代基对以Eu(III)为中心离子的苯甲酸功能化聚苯乙烯-稀土配合物的发光性能具有双重影响.硝基取代基通过配基内的电荷转移(ILCT),耗损配基激发单线态的能量,有效降低苯甲酸配基的三线态能量,使配基NBA最低三线态能级与Eu(III)离子共振能级之间的匹配程度显著增强,对Eu(III)离子的荧光发射发生强敏化作用,使配合物PS-(NBA)3-Eu(III)以及PS-(NBA)3-Eu(III)-Phen1产生了高强度的荧光发射,显现出硝基取代基对配合物发光性能的正性影响.另一方面,即使在稀溶液中,随着高分子-稀土配合物浓度从4.0×10-6mol·L-1增大至4.0×10-4mol·L-1,配合物的荧光发射也会逐渐变弱,这是由激发态的配合物向硝基发生荧光共振能量转移(FRET)的淬灭作用所导致的,表现出硝基取代基对配合物发光性能的负性影响.     

基于共轭聚电解质荧光恢复测定胰蛋白酶及其抑制剂

在1.0×10-5 mol·L-1共轭聚电解质(CPE)溶液中加入聚精氨酸(Arg6)溶液至其质量浓度达15mg·L-1,反应稳定后,CPE的荧光发生猝灭,猝灭程度达90%。加入不同浓度的胰蛋白酶(TPS)溶液反应,当TPS质量浓度达1mg·L-1时,该体系的荧光强度可恢复至原来的80%。基于上述以CPE作为荧光探针和TPS对CPE-Arg6反应体系的荧光恢复效应,可实现对CPS的实时、免标记检测,其检出限(3S/N)达0.1mg·L-1。在上述反应体系中,将CPS的质量浓度固定在1mg·L-1,然后加入不同浓度的胰蛋白酶抑制剂(TPSI)溶液,随TPSI浓度的增加,CPE的荧光恢复速率明显减慢,根据这一现象,实现了实时检测TPSI。     

碘量法与光度法测定氨基胍重碳酸盐含量的比较

经比较试验表明碘量法及光度法均可用于氨基胍重碳酸盐的测定,但碘量法测定所需时问比光度法短,并操作比较简便。碘量法的精密度优于光度法。用两方法对同一试样测定了9次,所得结果的相对标准偏差依次为2．8％和0．54％。     

复杂边界非均质渗流场流线分布研究

建立了考虑源(汇)影响的含有不渗透区域复杂边界条件下非均质油藏稳定渗流的数学模型。利用扰动边界元方法求解数学模型,获得了地层中任意一点的压力公式.在此基础上,提出了流线场的生成方法。绘制了考虑非均质性、复杂边界和不渗透区域影响的流线分布图,并分析了流线分布的特征。通过分析表明,渗流场的非均质性和不渗透区域的存在都对流线分布存在较大的影响。利用本文方法产生的流线分布图能够较为直观地反映出油藏流体在注采井间的运动轨迹,为优化井网和注入方案提供了重要依据。     

基于SCA ASIC的高精度时间测量原型电子学设计

基于高速波形数字化实现高精度时间测量是核与粒子物理实验读出电子学中的研究热点。本工作针对高精度时间测量的需求基于实验室自主研发的开关电容阵列(Switched Capacitor Array, SCA)专用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)开展16通道集成的时间测量电子学原型的设计,输入信号经过SCA采样和量化后传输至现场可编程逻辑阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA),在FPGA中进行误差修正、时间内插和数字甄别提取出时间信息。目前已在实验室环境下完成此电子学的时间精度测试,测试结果表明,此电子学可以实现好于10 ps RMS(Root Mean Square)的时间精度。     

光参量啁啾脉冲放大过程中脉冲特性理论研究

通过数值求解非线性三波耦合方程组,并利用色散致啁啾引起的瞬时频率与时间的关系,模拟了啁啾脉冲在光参量放大过程中的脉冲波形和频谱形状的变化关系,以及通过压缩器的脉冲形状。模拟结果表明：啁啾脉冲在光参量放大过程中的时域宽度和频谱有很小程度的加宽,但基本上不影响放大后脉冲的压缩及信噪比。     

加工误差引入的薄型KDP晶体附加面形

针对惯性约束聚变（ICF）驱动装置中口径为400 mm400 mm薄型频率转换KDP晶体在45放置状态下产生的附加面形问题,采用有限元分析软件ANSYS,建立了以实测数据为基础的大口径薄型KDP晶体的应变模型和有加工误差的夹具模型,仿真分析了KDP晶体的加工误差和夹具的加工误差对KDP晶体附加面形的影响, 给出了KDP晶体附加面形变化的P-V值和RMS值。在此基础上,通过对KDP晶体的加工误差及夹具支撑表面不同类型和不同大小加工误差的分析和比较,得出：KDP晶体边缘的加工误差和夹具支撑表面的凹型加工误差是引起较大附加面形的原因之一,KDP晶体的加工误差也会导致其面形变化不均匀,而夹具支撑表面的凸型、波浪形加工误差和压条表面的随机加工误差对KDP晶体附加面形的影响相对较小,且支撑表面的随机加工误差引起的附加面形变化介于其他两者之间。     

熔石英亚表面修复形貌对光场的调制

基于标量衍射理论, 计算了熔石英亚表面高斯型修复形貌对于光场的调制,用Matlab对结果进行了仿真并与实验结果进行了比较。所得结果表明,二者有较好的一致性, 一定尺度的高斯面型修复形貌会对光场产生调制,且调制度随光场传输位置变化,通过适当选择后续光学元件位置,可降低光场调制造成光学元件损伤的风险。     

应用于ICF实验的软X射线平面镜反射率

在北京同步辐射装置上,通过对应用于惯性约束聚变（ICF）实验的平面镜反射率的进一步研究,提高了辐射温度的测量精度。进行了对软X射线平面镜反射率的测量、反射镜的清洗、反射率的模拟计算,证明影响反射率变化的主要因素是平面镜的安装角度和沾污。实验结果表明：平面镜的沾污主要来源于ICF实验中的油沾污,采用射频辉光放电清洗非常有效。