弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为

采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/ 7晶体(001)晶面的腐蚀行为.在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨.化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感.     

MOCVD法在蓝宝石衬底上生长GaN薄膜的性能研究

本文采用MOCVD法分别在a面和c面蓝宝石衬底上生长出7层InGaN/GaN多量子阱结构的GaN薄膜,采用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪、吸收光谱等手段对样品进行表征.分析表明:a面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品A)的FWHM为781.2 arcsec,c面蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜(样品B)的FWHM为979.2 arcsec.样品A和样品B中存在的压应力分别为0.8523 GPa和1.2714 GPa,薄膜的能带宽度(理论值为3.4 eV)分别为3.38 eV和3.37 eV.以上数据表明a面蓝宝石衬底上生长出来GaN薄膜的结晶质量较好,光学性能更优异.     

坩埚下降法生长La2Ti2O7晶体及其光性能研究

采用高温坩埚下降法生长La2 Ti2 O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm× 12 mm× 10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面.X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量.透过光谱显示退火后的La2 Ti2 O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降.La2 Ti2 O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近.光折射指数分析表明退火La2 Ti2 O7晶体具有高的折射率.折射率色散方程确定为n2(λ) =4.61643 +0.16198/(λ2-0.01547) -0.47201λ2,利用该公式可计算出300～1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值.     

近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展

本文总结了近化学计量比铌酸锂晶体的不同生长方法及它们各自的特色,分析了锂铌摩尔比对晶体性能的影响及Li含量的各种表征方法.通过比较看出,采用K2O助熔剂生长近化学计量比铌酸锂晶体是一种较为实用的途径.基于此,我们采用K2O助熔剂提拉法和助熔剂-坩埚下降法生长了近化学计量比铌酸锂晶体,所得晶体的最大尺寸分别达到45mm×60mm和25mm×40mm.     

Mechanical Properties and Anisotropy in PbWO4 Single Crystal

The mechanical properties of PbWO4 （PWO） crystals grown by the vertical Bridgman method are systematically investigated using the microindentation technique. In the present work, the Vickers microhardness Hν, fracture toughness Kc, yield strength σy and friability index Bi of PbWO4 crystals are measured. The Vickers microhardness Hν on the （100） wafer is about 140 MPa, which means that PWO is a little soft＇＇ scintillator. The anisotropy of mechanical properties is also investigated under a steady load of 0.5 kg. The （100） wafer of the crystal exhibits combined mechanical properties more excellent than those of （111） and （001） wafers, and the values of Kc, σy, and Bi are 0.538 MPa＆#12539;m1/2, 51.11 kg/mm2 and 284.96 νm-1/2, respectively.     

Electrical and Optical Properties of Bulk ZnO Single Crystal Grown by Flux Bridgman Method

Zinc oxide （ZnO） single crystals are grown by the modified vertical Bridgman method using a PbF2 flux. The maximum size of the as-grown ZnO crystal is about Φ25 mm×5mm. The transmittance of the as-grown ZnO crystal is more than 70% in the range of 600-800hm and the optical band gap is estimated to be 3.21eV. The photoluminescence spectrum indicates that the as-grown ZnO crystal has a very low concentration of native defects and is much closed to its stoichiometry. The electrical measurement exhibits that the ZnO crystal has low electrical resistivity of 0.02394Ωcm^-1 and a high carrier concentration of 2.10×10^18cm^-3.     

LED用硅掺杂GaAs晶体的生长与表征

采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.     

壳熔法生长技术及其应用

壳熔法是利用高频感应电源加热使原料内部熔化并由水冷系统在其外围形成硬壳作为坩埚的一种晶体生长技术,特别适合于高温和难熔晶体的生长.本文介绍了壳熔法晶体生长原理和特点,综述了壳熔法生长立方氧化锆晶体的研究进展,探讨了壳熔法的其它工业应用,包括高温合金的铸造、核废料的处理、多晶硅的制备等.     

新型压电晶体Sr3 Ga2 Ge4 O14的性能表征

采用坩埚下降法以及坩埚密封技术,成功生长了直径50mm的新型压电晶体Sr3Ga2Ge4O14.测试了晶体的晶格常数、热膨胀系数、密度、硬度和透过光谱等基本物理性能.测试结果表明:晶体热膨胀系数明显小于石英晶体,而且α11和α33相对比较接近,有利于该晶体用作声表面波用基片材料.在250～2500nm波段范围内,其透过率均大于80;,优于相同结构的La3Ga5SiO14晶体,是一种潜在的激光基质晶体材料.     

铋掺杂对YIG纳米晶的结构与磁性能的影响

采用一种低温且快速的溶胶凝胶自燃法制备了YIG和Bi:YIG系列纳米材料,通过工艺优化,得到了高纯、结晶均匀的纳米晶。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、振动样品强磁计(VSM),系统研究了Bi3+对其物相、结构、形貌和磁性的调控作用。结果表明:Bi3+掺杂可以有效降低石榴石相的合成温度,同时晶胞参数有一定程度的增大。经过Bi3+掺杂,纳米晶的颗粒度也有一定程度减小,这很可能与较低的热处理温度有关。YIG和Bi:YIG都表现出明显的铁磁性,在磁场为2000 Oe时即可达到饱和。与YIG相比,Bi:YIG的饱和磁化强度明显降低,这与Bi3+掺杂削弱了Fe3+之间的超交换相互作用有关。