Study on a novel vertical enhancement-mode Ga2O3 MOSFET with FINFET structure

A novel enhanced mode(E-mode)Ga₂O₃ metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)with vertical FINFET structure is proposed and the characteristics of that device are numerically investigated.It is found that the concentration of the source region and the width coupled with the height of the channel mainly effect the on-state characteristics.The metal material of the gate,the oxide material,the oxide thickness,and the epitaxial layer concentration strongly affect the threshold voltage and the output currents.Enabling an E-mode MOSFET device requires a large work function gate metal and an oxide with large dielectric constant.When the output current density of the device increases,the source concentration,the thickness of the epitaxial layer,and the total width of the device need to be expanded.The threshold voltage decreases with the increase of the width of the channel area under the same gate voltage.It is indicated that a set of optimal parameters of a practical vertical enhancement-mode Ga₂O₃ MOSFET requires the epitaxial layer concentration,the channel height of the device,the thickness of the source region,and the oxide thickness of the device should be less than 5×10¹⁶ cm^-3,less than 1.5μm,between 0.1μm-0.3μm and less than 0.08μm,respectively.     

添加Ag2Nb4O11的NiAl基复合材料的高温摩擦学性能及高温润滑机理研究

首先采用高温固相反应法合成了由纳米球状结构紧密堆积的微米级粉体Ag₂Nb₄O₁₁,然后通过粉末冶金技术制备了添加铌酸银(Ag₂Nb₄O₁₁)的NiAl基复合材料(NABO20,NiAl-20%Ag₂Nb₄O₁₁),考察其对复合材料显微结构、力学及摩擦学性能的影响. 结果表明:热压烧结过程中,Ag₂Nb₄O₁₁发生高温分解及与C发生氧化还原反应,形成了NbC和Ag相. 铌酸银(Ag₂Nb₄O₁₁)的添加使得复合材料的密度略有增加,并且显著改善了NiAl基复合材料的显微硬度. 在高温摩擦条件下(800 ℃),由于NABO20磨损表面和Al₂O₃对偶球表面均形成完整光滑的润滑膜(Nb₂O₅、Al₂O₃、Ag₂Nb₄O₁₁、AgNbO₃和AgNb₃O₈),两层膜的存在阻隔了对偶球和复合材料的直接接触,抑制了磨损进程,从而有效地提高了复合材料的耐磨性能.      

带有线性记忆的波方程在$\mathbb{R}^{n}$上的时间依赖吸引子

本文基于Conti M, Di Plinio F等人提出的关于时间依赖全局吸引子的概念, 研究了无界域上带有线性记忆的波方程解的长时间行为. 利用尾部估计和压缩函数的方法证明了过程的渐近紧性, 进而获得了$H^{1}(\mathbb{R}^{n})\times L^{2}(\mathbb{R}^{n})\times L^{2}_{\mu}(\mathbb{R}^{+};H^{1}(\mathbb{R}^{n}))$上时间依赖吸引子的存在性.     

Cu:KNSBN晶体中光束散焦-收缩转换现象

在存在着预置时变空间电荷场的Cu:KNSBN晶体中,在实验中观察到一种弱光束扩散收缩过程,此过程随光强的增大而迅速加快.扩散收缩过程是由晶体内预置时变电场以及弱光束本身产生的光伏和扩散空间电场在达到稳定之前共同影响所导致的结果. 关键词： 散焦 光伏效应 空间电荷场     

CH_4与NO_2反应的微观机理及动力学性质的理论研究

采用量子化学计算方法,研究了CH_4+NO_2反应直接氢抽提反应通道的机理和速率常数.该反应有3条反应通道分别生成CH_3+HNO_2,CH_3+trans-HONO和CH_3+cis-HONO.计算结果表明采用变分过渡态理论加小曲率隧道效应校正计算得到反应速率常数和已有的实验值很吻合.在整个研究温度区间,O原子提取H原子生成CH_3+cis-HONO是反应的主要通道.     

多波长混沌掺铒光纤环形激光器实验研究

利用掺铒光纤环形激光器(EDFRL),基于光纤的非线性克尔效应,实验实现了多波长混沌激光输出。实验研究了EDFRL在时序上通过倍周期进入混沌的路径,并进行了理论分析,理论研究与实验结果一致。实验结果表明,随着抽运功率的增加,其光谱的输出呈现多波长,激光器最多可输出5个不同波长的混沌激光。采用光纤光栅进行滤波后,各个波长的输出均呈现混沌状态。     

水溶性β-环糊精聚合物和疏水改性聚丙烯酰胺的主客体相互作用

主体环糊精聚合物(β-CDE)与客体疏水改性丙烯酰胺共聚物P(AM/POEA)构成超分子结构的高分子识别体系. 这种客体聚合物是含有少量疏水体(x_POEA＜0.01)的水溶性聚合物, NMR测定结果表明β-CDE和P(AM/POEA)的主客体相互作用是通过环糊精空腔和疏水体POEA形成包结络合物进行的. 在P(AM/POEA)聚合物水溶液中加入β-CDE, 由于主客体聚合物相互作用出现粘度的大幅上升, 增粘的幅度可通过改变聚合物浓度和疏水体含量来调节, 同时对盐浓度和温度的影响也进行了研究. 通过透射电镜直观观察的结果表明, 此类缔合聚合物体系的主客体相互作用生成实心球状多分子聚集体.     

由果糖催化合成5-羟甲基糠醛的研究进展

5-羟甲基糠醛(HMF)是一种具有重要应用价值的原材料和中间体,以果糖脱水合成HMF具有实现生物质转化利用的重大意义。本文综述了近三年来果糖制备HMF过程的两大关键因素:催化剂和反应介质的重要进展。固体酸(特别是杂多酸及其盐)、离子液体(ILs)中添加卤化物或ILs作为催化剂是近几年来研究的热点,固体酸的优点是可多次重复使用且易于分离,而ILs中果糖的降解条件较温和,副反应较少。目前,用于果糖转化HMF的反应溶剂优、缺点并存。最后对该反应存在的问题和今后的研究进行了总结和展望。     

微波法制备纳米碳点反应机制与发光机理

为探讨微波法制备纳米碳点发光性质的影响规律与本质,采用微波加热法通过控制微波功率、反应时间以及pH值合成了一系列纳米碳点,并利用荧光激发光谱与发射光谱测试对纳米碳点的发光性质进行了表征,结合紫外吸收光谱与傅立叶红外光谱对反应产物官能团变化分析,最终揭示了微波加热过程中葡萄糖向纳米碳点转变的机制与发光机理。结果表明,采用微波法制备纳米碳点,当微波功率为560 W,反应时间为2.5 min时,获得纳米碳点发光性能最佳。当采用波长370 nm紫外光激发时,对应451 nm的蓝光发射强度最高。伴随纳米碳点溶液pH值从酸性变为碱性,纳米碳点最强发光峰的激发光波长由350 nm显著向高波长方向移动,且发光峰强度显著升高。紫外吸收光谱与傅立叶红外光谱显示反应过程中形成了多环芳香族碳氢化合物,表明微波加热过程中是葡萄糖单糖向多糖聚合并最终发生碳化的过程。不同pH值下纳米碳点发光性质的差异,源于对纳米碳点中C=C键与C=O键比例的调整,从而实现对纳米碳点的光学带隙宽度及激子束缚能等的综合调控。     

超高效液相色谱-串联质谱法测定豆芽中恩诺沙星和环丙沙星

匀浆混匀的豆芽样品经磷酸盐缓冲溶液超声提取,提取液经HLB固相萃取小柱净化,甲醇洗脱。采用超高效液相色谱-串联质谱法测定恩诺沙星和环丙沙星的含量,以Agilent Eclipse Plus C18 RRHD色谱柱为固定相,以不同体积比的甲醇和0.1%(体积分数)甲酸-2mmol·L~(-1)乙酸铵溶液的混合液为流动相进行梯度洗脱,串联质谱分析中采用电喷雾正离子源和多反应监测模式。采用同位素内标法定量,恩诺沙星和环丙沙星的线性范围均为0.5～50.0μg·L~(-1),检出限(3S/N)均为0.025μg·kg~(-1)。以空白样品为基体进行加标回收试验,所得回收率为89.2%～101%,测定值的相对标准偏差(n=6)为3.3%～9.2%。