High-Pressure Phase Transitions of Cubic Y_2O_3 under High Pressures by In-situ Synchrotron X-Ray Diffraction

High-pressure phase transitions of cubic Y_2O_3 are investigated using in situ synchrotron x-ray diffraction in a diamond anvil cell up to 36.3 GPa. The pressure-induced phase transitions of cubic Y_2O_3, which display apparent inconsistencies in previous studies, are verified to be from a cubic phase to a monoclinic phase and further to a hexagonal phase at 11.7 and 21.6 GPa, respectively. The hexagonal Y_2O_3 displays noticeable anisotropic compressibility due to its layered structure and it is stable up to the highest pressure in the present study. A third-order Birch–Murnaghan fit based on the observed pressure-volume data yields zero pressure bulk moduli of180(3), 196(7) and 177(7) GPa for cubic, monoclinic and hexagonal phases, respectively.     

High-Power Nd：GdVO4 Innoslab Continuous-Wave Laser under Direct 880 nm Pumping

A high-power cw end-pumped laser device is demonstrated with a slab crystal of Nd：GdVO4 operating at 1063nm. Diode laser stacks at 880nm are used to pump Nd：GdVO4 into emitting level 4^F3/2. The 149 W output power is presented when the absorbed pump power is 390 W and the optical-to-optieal conversion efficiency is 38.2%. When the output power is 120 W, the M^2 factors are 2.3 in both directions. Additionally, mode overlap inside the resonator is analyzed to explain the beam quality deterioration.     

Mechanical and thermodynamic properties of the monoclinic and orthorhombic phases of SiC_2N_4 under high pressure from first principles

First principles calculations are preformed to systematically investigate the electronic structures, elastic and thermodynamic properties of the monoclinic and orthorhombic phases of Si C2N4 under pressure. The calculated structural parameters and elastic moduli are in good agreement with the available theoretical values at zero pressure. The elastic constants of the two phases under pressure are calculated by stress–strain method. It is found that both phases satisfy the mechanical stability criteria within 60 GPa. With the increase of pressure, the degree of the anisotropy decreases rapidly in the monoclinic phase, whereas it remains almost constant in the orthorhombic phase. Furthermore, using the hybrid density-functional theory, the monoclinic and orthorhombic phases are found to be wide band-gap semiconductors with band gaps of about 2.85 e V and 3.21 e V, respectively. The elastic moduli, ductile or brittle behaviors, compressional and shear wave velocities as well as Debye temperatures as a function of pressure in both phases are also investigated in detail.     

热处理对CH薄膜表面粗糙度及力学性能的影响

利用低压等离子体化学气相沉积法制备厚度约为7 m的辉光放电聚合物薄膜,将制备的薄膜样品放入通有氩气保护的热处理炉中加热至300 ℃,分别进行6,10,24 h的保温热处理。通过白光干涉仪观察分析了不同保温时间下辉光放电聚合物薄膜的表面粗糙度; 利用傅里叶变换红外吸收光谱分析了300 ℃条件下不同保温时间对薄膜结构的影响; 采用纳米压痕仪表征了不同保温时间热处理后,薄膜硬度及模量的变化。结果表明:随着保温时间的增加,薄膜的表面均方根粗糙度由12 nm降至4.43 nm。薄膜结构中甲基的相对含量减少,双键的相对含量增加,碳链变长,同时薄膜网络结构的交联化程度增强。硬度和模量随着保温时间的增加先减小后增大。     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

纳米硅薄膜的光致发光特性

用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅(nc-Si∶H)薄膜.讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光(PL)谱的影响.用量子限制-发光中心模型解释了nc-Si∶H的PL.研究了PL谱的温度特性.温度从10K上升到250K，PL峰值红移了54meV，且PL强度衰减了两个数量级. 关键词：     

双目标突发事件应急救援前摄性调度优化

本文以救援时间最短化与计划鲁棒性最大化为目标,研究突发事件应急救援前摄性调度优化问题。作者首先对所研究问题进行界定,其中计划鲁棒性定义为各活动开始时间可调整时差的总和,任务是在应急预算和救援期限的约束下,确定活动执行模式与开始时间以实现上述两个目标。随后,构建问题的0-1规划优化模型,鉴于其强NP-hard属性,设计禁忌搜索启发式算法。最后用一个算例对研究进行说明,得到如下结论:救援时间随应急预算的增加而缩短,随救援期限的放宽而延长;计划鲁棒性随应急预算的增加或救援期限的放宽而提高;当权重分配系数增大时,应急救援时间先保持不变而后缩短,计划鲁棒性则呈减小趋势。本文研究可为突发事件应急救援的组织与协调提供决策支持。     

亚微秒脉冲表面介质阻挡放电等离子体诱导连续漩涡的研究

使用粒子激光图像测速技术对亚微秒脉冲激励表面介质阻挡放电激励器连续产生诱导漩涡进行了实验研究, 给出了包含脉冲重复频率和漩涡频率的双频率激励模式的具体形式. 实验过程中出现了原发型与继发型两类示踪粒子空白区, 前者由放电释热的微爆炸作用造成, 使得诱导流动远离壁面, 能够减小壁面摩擦阻力的作用; 以暴露电极左侧继发型空白区被完全吹除作为重复启动激励的临界点. 为提高控制效果应采用尽可能高的脉冲重复频率, 漩涡时间内脉冲数量应大于10, 最大诱导速度随脉冲数量增大而增大, 但动量传递效率降低. 使用亚微秒脉冲激励具备释热、体积力两种作用机理. 关键词： 双频率亚微秒脉冲 表面介质阻挡放电 连续漩涡     

激光惯性约束聚变靶制备技术研究进展

在实验室实现聚变反应释放的能量大于点燃聚变反应所需能量的阈值是当今世界ICF研究的主要目标,实现这一目标仍需要深入研究一系列的关键物理问题。在ICF研究中,制靶能力的发展与提升至关重要,靶的质量是实验成功的核心要素之一。本文介绍了国际ICF靶制备工作近年来在新型烧蚀层材料靶丸、新型靶丸支撑技术、优化黑腔材料与构型以及减小燃料填充管直径等方面取得的一系列进展,并结合ICF物理需求,简要阐述了ICF靶的发展趋势。     

一种纳米硅薄膜的传导机制

基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（HQD）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几个纳米大小）具有量子点特征，在微晶粒与界面之间由于两者能隙的差异构成晶间势垒，这类似于多晶硅中经常使用的晶间势垒模型（GBT）．考虑到量子点中的单电子隧穿特征，认为纳米硅薄膜中的电传导是由微晶粒中电子弹道式输运与单电子越过势垒的隧穿构成的．这就是HQD模型的主要内容，理论结果与实验相符 关键词：