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批量化制备高性能单畴YBCO超导块 总被引:1,自引:0,他引:1
用顶部籽晶熔融织构生长法(TSMTG)批量制备了30mm直径的YBCO单畴超导块材,使用一种六面控温的箱式炉和一台改进的坩埚炉进行晶体生长,采用了高压氧化退火工艺对生长出的YBCO晶体进行后处理,与流动氧化工艺相比,在保持样品超导性能不变的情况下高压氧化大大节约了用氧量,缩短了氧化退火时间,提高了生产效率,大多数单畴超导块在77k和0.5T的磁场下的磁悬浮力超过10N/cm^2,其中最高值达到了15N/cm^2,目前我们巳具备了年生产1000块30mm直径优质单畴导块的能力。 相似文献
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顶部籽晶技术与熔融织构生长工艺的结合已经被证明是制备单一晶体取向的YBaCuO单畴超导体的成功方法.由于YBaCuO晶体的生长速度慢,使大尺寸单畴超导快的制备受到限制.采用多籽晶的方法可以减少生长大块材料的时间,但多籽晶诱导生长的大晶粒的边界通常是弱耦合的,材料的磁浮力和冻结磁场性能明显低于单籽晶生长的材料.本研究在采用多籽晶法制备YBCuO超导块时,通过在先驱物坯料的顶部增加成分梯度过渡层的方法成功地生长出单畴结构的超导材料.冻结磁通的分布为单峰状,证实材料为单畴结构,其磁浮力也达到单籽晶样品的水平.这些结果表明成分梯度层和多籽晶结合的工艺可以改善多籽晶生长样品的晶界耦合,是生长大尺寸单畴超导材料的一种可行方法. 相似文献
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我们用振动样品磁强计研究了多晶和熔融织构 YBa_2Cu_3O_(7-δ)样品磁弛豫特性.发现在液氮温度77K 下,两种样品的零场冷磁化强度 M 仍随时间 t 呈对数衰减.表明 P.W.Ander-son 的经典磁通蠕动理论在该温度下适用于高 T_c 氧化物超导体.实验还给出了磁弛豫S=-((?)M)/((?)lnt)随外场的变化关系.对于多晶样品,当外场 B>B~*(穿透场),S 正比于 B~(-α),文中对这一关系进行了解释. 相似文献
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对直径30mm的单畴熔融织构YBCO超导块材用超导磁体进行志冷磁后,研究了其俘获磁场特性。掺硼厚度为13mm的单畴试样,在77K温度下其表面中心的俘获场达到了0.63T,与未掺硼的同类样品相比,提高了约50%。在77K温度下厚度为18mm的试样的俘获场达到了0.75T,比厚度为13mm的试样增加了约76%。另外,发现在中心有直径8mm的小孔并不影响直径30mm的单畴试样的俘获场分布磁浮性能。因此,单畴样品中心有无开孔对在低场下的性能并不造成差异。超导样品在高场励磁很易被破坏,所以提高材料的机械强度是得到高俘获磁场的关键因素之一。 相似文献
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