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141.
外腔式可调谐半导体激光器的光谱法求解 总被引:1,自引:0,他引:1
利用由射线法求得的光谱表达式,分析了外腔式半导体激光器的输出谱,并以此求得了普遍情况下阈值载流子密度的解析表达式,结合光谱表达式与载流子速率方程,求得了不同电流下腔内载流子密度与阈值的差值,从而可以不必诸光子数速度方程而获得外腔式半导体激光器的自洽解。 相似文献
142.
当前,研究生招生形势已经发生了很大的变化,随着科技的进步和我国社会经济迅猛发展,全国研究生招生规模大幅度增加,报考人数连年递增,而且还有继续增长的趋势,这使考试的组织和管理的任务加重,难度加大. 相似文献
143.
144.
指出1979年Kolar金矿地下实验室记录到的反常双芯事例不能如作者所提出的是由中微子或缪子所产生的,更像是由宇宙线中一个重中性粒子所产生的。 相似文献
145.
半金属材料Fe3O4具有理论上100%的自旋极化率,其居里温度高达860 K,具有室温操作的可能。此外,Fe3O4与Mg O晶格具有较低的失配率(0.3%),将二者结合起来有利于磁阻的进一步提高,因此Fe3O4材料成为制备磁阻器件的候选材料。采用对靶磁控溅射的方法,实现了低温制备纳米级别Fe3O4(001)薄膜。利用X射线衍射测量,采用小角掠射(掠射角为2o)、2θ/θ联动模式、步进扫描方式,成功获得其择优取向的图谱。通过XRD与TEM截面样品暗场选区电子衍射相结合的方法,可以定性区分各层薄膜的择优取向。 相似文献
146.
由邻苯二配合经溴代反应制得1,2-二溴-4,5-苯二酚,再与无水碳酸钾和1-工二四烷反应制得1,2-圩溴-4,5-双二四烷氧基苯,最后在DMF-NaI体系中与氰化亚铜反应制得1,2-二氰基-4,5-双十无期基苯,新化合物的结构经元素分析,IR、HNMR等证实。 相似文献
147.
148.
报道了用“联合D0 和D+单双标记”测定衰变分支比的方法 .基于北京谱仪 (BES)在北京正负电子对撞机 (BEPC)质心系能量s =4 .0 3GeV处获取的数据 ,利用联合D0 和D+单双标记的方法 ,可以测定D0 和D+介子单举和遍举衰变分支比 .作为该方法的应用举例 ,利用BES实验组发表的数据 ,在 90 %置信度的情况下 ,测得D+→e+ν衰变过程分支比的上限为Br(D+→e+ν) <1 .6% .此上限值与BES曾发表的结果一致 . 相似文献
149.
150.