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391.
A kind of thick GEM-like gaseous electron multiplier (THGEM), which is mechanically an expansion of the GEM with its various dimensions being enlarged, is studied. The leak current of THGEM plates is measured. The effective gain and energy resolution of a single THGEM are studied with a source of 55Fe, and the effective gain of the single THGEM versus the electric field strength in the induction region is investigated. The results show that the leak current of THGEM plates is less than 200 pA. In an atmospheric-pressure standard gas mixture, 8×103 effective gain and about 32% energy resolution can be reached for the single-THGEM detector. 相似文献
392.
393.
在pH9.90的Tris-HCl缓冲溶液中,阴离子染料二甲苯兰FF(XCFF)对阳离子表面活性剂溴化十六烷基三甲基铵(CTMAB)与核酸(fsDNA、ctDNA、yRNA)的共振光散射光谱有协同增强作用。考察了影响因素,在优化条件下研究了共振光散射强度与核酸浓度之间的关系,对于fsDNA、ctDNA、yRNA的线性范围分别为0.05—3.0mg/L、0.05—6.0mg/L、0.5—2.0mg/L,检出限分别为24.1、18.4、57.0μg/L。据此建立了一种测定核酸的新方法。 相似文献
394.
证明了自反Banach空间X上的等价w2R范数全体构成一个剩余集;同时证明了X闭子空间上等价的w2R范数均可延拓为X上等价的w2R范数.特别地,当X是可分时,上述w2R范数可替换为2R范数. 相似文献
395.
396.
合成并通过单晶衍射、元素分析及红外光谱表征了配合物[Cu_4(L)_2(CH_3O)_2(CH_3OH)_4(SO_4)_2]SO_4·6CH_3OH (1)的结构(L为3-乙基-2-乙酰吡嗪双缩水合肼)。单晶衍射结果表明,在配合物1中,每个Cu(Ⅱ)离子与来自半个腙配体的2个N原子和分别来自配位甲醇、桥联甲氧基及2个不同硫酸根的单齿配位和桥联氧原子配位,形成扭曲的八面体配位构型。4个Cu(Ⅱ)离子通过对称操作形成理想的平面四核铜簇。此外,荧光光谱表明配合物1与DNA的相互作用强于配体L。 相似文献
397.
提出了双电子H3+体系的一维计算模型。采用对称分裂算符法计算波函数的时间演化,数值模拟了在800nm波长激光脉冲作用下体系的高次谐波(HHG)谱性质。通过哈密顿算符中的电子相互作用项研究了电子间互作用对HHG谱的作用,结果发现电子间的相互作用对HHG谱性质的影响不大,但是会对截止频率有一定影响;还模拟了体系在不同核间距下的HHG谱的截止频率,发现较大的核间距的截止频率大于半经典三步模型给出的截止频率,并对其进行了初步分析。 相似文献
398.
针对神光Ⅲ主机装置的靶室结构和打靶方式要求,基于针孔成像原理,成功研制出应用于神光Ⅲ主机装置的X光静态成像系统。该系统采用模拟靶组件进行离线瞄准,并可进行在线轴向和指向调节,调节精度分别为81 m、40 m。针孔组件和滤片组件的自动更换使系统实现了真空环境下的在线快速切换和运行。同时使用有限元软件ANSYS对系统的变形与应力进行模拟分析以保证系统的可靠性。系统搭载X光CCD在神光Ⅲ主机装置上进行激光打靶考核,实验结果表明,该系统达到神光Ⅲ主机装置使用要求。 相似文献
399.
400.
SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 . 相似文献