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181.
花键轴冷挤压成形后的三维光塑性模拟研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文利用光塑性方法,以聚碳酸酯(Polycarbonate)为材料研究了矩形花键轴冷挤压成形过程,获得了花键挤压成形的三维塑性应变场分布,提出其变形的应变分布特征,并对典型截面的应变进行了计算分析;文中还通过对聚碳酸酯材料的实验,得到了使花键齿形充满的最佳坯料尺寸,为实际工艺生产优选出合理的工艺参数。 相似文献
182.
氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳定性等优异性能,是氮化镓基(GaN)高温、高频、高功率电子器件以及高Al组分深紫外光电器件的理想衬底材料.物理气相传输(PVT)法是制备大尺寸高质量AlN单晶最有前途的方法.本文介绍了AlN单晶的晶体结构、基本性质及PVT法生长AlN晶体的原理与生长习性.基于AlN单晶PVT生长策略,综述了自发形核工艺、同质外延工艺及异质外延工艺的研究历程,各生长策略的优缺点及其最新进展.最后对PVT法生长AlN单晶的发展趋势及其面临的挑战进行了简要展望. 相似文献
183.
通过在钙钛矿前驱溶液中加入甲基乙酸铵(MAAc)并结合氯苯(CB)反溶剂工艺制备了MAPbI3及MA1-x FAx PbI3混合阳离子钙钛矿薄膜,并系统研究了其在薄膜结晶过程中的协同作用.发现MAAc可以诱导MAPbI3晶体在(112)/(200)而非(110)方向上的晶化,且CB反溶剂处理可以进一步促进MAPbI3(112)/(200)的晶化;在MA1-x FAx PbI3混合阳离子钙钛矿体系中则同时存在(110)和(112)/(200)结晶取向,且(110)取向上的结晶比例随FA+含量的增加而提高,CB反溶剂处理将促进晶粒在(110)取向上的生长.最终通过工艺优化,在前驱溶液中加入16;的MAAc并利用CB反溶剂工艺,实现了效率为~17.5;且无明显迟滞现象的MA0.9 FA0.1 PbI3钙钛矿太阳电池. 相似文献
184.
本文研究了氨水介质中,痕量镍(Ⅱ)催化加速过氧化氢氧化邻苯二酚紫的褪色反应及其动力学条件。反应速率常数为2.217×10-3/s,活化能为136.31kj/mol,半衰期为5.209min,建立了测定镍(Ⅱ)的新方法,灵敏度为1.29×10-10g/mL,测定范围为0~5μg Ni2+/25mL。 相似文献
185.
鬼灯擎化学成份的分离和鉴定 总被引:3,自引:0,他引:3
从鬼灯擎根中分离出十种化合物,其中除鬼灯擎素(Ⅰ)已有文献报道外,其余9种化合物为首次从该植物中分得,而7-甲氧基鬼灯擎素(Ⅱ)和2,6-二羟基苯乙酸甲酯(Ⅳ)为新化合物。 相似文献
186.
187.
188.
用Hartrce-Fock-Relativistic(HFR)自洽场方法,计算类锂铝离子1s^2nl(n=2~7,l=0~5),1snln’l’(n,n’=2~3,l,l’=0~2)各能级值,电偶极跃迁谱线的光谱线性质(波长、振子强度和跃迁几率),其波长计算值和现有文献结果符合得较好。特别是实验中已观察到的软X射线激光跃迁(3d-4f,3d-5f)的波长值与我们的计算值符合得也很好。 相似文献
189.
对相同稀有气体原子间电荷密度的重叠积分进行了计算。计算结果表明该重叠积分可以用来表示稀有气体原子间的排斥势。这为进一步更准确地探索原子间排斥势提供了一种开拓性的方法。 相似文献
190.
我们知道一个曲顶柱体,其体积V,曲顶面积S,底面面积分别为:这里假设底面是xoy平面上的有界闭区域D,侧面是U区域D的边界曲线L为准线而母线平行于Z轴的往面.曲顶面方程为且有阶连续偏导数,如图(一).本文将讨论曲顶柱体表面积应该怎么求的问题.根据(2)、(3),只要求出曲顶柱体的侧面积A,就能计算其表面积.为此,先给出一个侧面积月的计算公式,它为由(2)、(3)、(4)即知曲顶柱体的表面积为例1设有一个店面半径为R,高为H的圆柱,求其表面积.解这个面积我们是知道的,现在我们用公式(5)来求.建立如图所示坐标系,… 相似文献