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111.
RDF热解前后表面结构变化的研究 总被引:4,自引:2,他引:2
对城市生活垃圾衍生燃料(RDF)及其在不同温度及时间下快速热解生成半焦的比表面积和孔容积的变化进行了分析研究。实验结果发现RDF热解时比表面积及孔容积先随热解温度升高而降低,然后随反应程度的加深而增大,在约550℃时出现极大值,而后由于产生结焦等原因再次降低。研究表明RDF热解半焦孔结构与煤焦孔结构变化有一定的相似性。此外对RDF及半焦孔结构分布的分形特征进行了初步分析。 相似文献
112.
通过MNDO计算及相关实验结果,用取代基非定域活性概念分析了羟基、氨基及硝基在-NN-上的电子效应,阐述了取代基影响偶氮键生物降解活性的电子结构机理,并提出将MNDO统计集居分析中的活性电荷Q 相似文献
113.
通过静电纺丝法制备了一维Ga2O3/SnO2纳米纤维,采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)等方法对材料进行了表征,测试了不同Ga2O3质量分数(0、40%、50%、60%、70%、100%)的Ga2O3/SnO2纳米纤维(650℃,5 h)对应元件对三甲胺、丙酮、乙醛、乙酸、氨气、乙醇、甲醛7种气体的气敏性能。结果表明:在室温(25℃)时,60%(w/w)Ga2O3-40%(w/w)SnO2纳米纤维对三甲胺气体具有较高的灵敏度和较短的响应/恢复时间。对1000μL·L^-1三甲胺的灵敏度达到51;检出限达到0.8μL·L^-1,其灵敏度为1.3。 相似文献
114.
狗枣猕猴桃叶化学成分研究 总被引:2,自引:0,他引:2
从狗枣猕猴桃叶中分离得到7个黄酮类化合物, 经1D NMR, 2D NMR和MS等波谱分析, 鉴定它们的化学结构分别为山柰甲黄素-3-O-芸香糖苷(Ⅰ)、 山柰甲黄素-7-O-(4"-O-乙酰基鼠李糖基)-3-O-β-D-吡喃葡萄糖苷(Ⅱ)、山柰甲黄素-7-O-(4"-O-乙酰基鼠李糖基)-3-O-芸香糖苷(Ⅲ)、山柰酚-3-O-β-D-葡萄糖苷(Ⅳ)、山柰酚-3-O-芸香糖苷(Ⅴ)、山柰甲黄素-3-O-β-D-葡萄糖苷(Ⅵ)和山柰甲黄素-7-O-鼠李糖基-3-O-芸香糖苷(Ⅶ). 其中化合物Ⅰ, Ⅱ和Ⅲ为新化合物, Ⅳ, Ⅴ和Ⅵ为首次从该植物中分离得到. 相似文献
115.
本文对一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性进行研究,结果表明一类光子消灭算符a^N的正交归一化本征态的迭加态的振幅K次方压缩特性明显地区别于a^N的正交归一化本征态的振幅K次方压缩。无论N取奇数还是偶数迭加态均在振幅K(K=Nt或Nt/2)次方压缩, 相似文献
116.
117.
118.
金属氧化物SPC簇模型方法——嵌入簇点电量的确定 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨和比较了确定金属氧化物晶体点电荷量的几种自洽条件的优劣 ,并使用abinitioHF方法对在不同点电荷量嵌入环境下MgO簇电子性质进行了研究 .计算结果表明 :点电荷量的大小会明显影响嵌入簇的电子性质 ;即使MgO被通常认为是纯的离子型氧化物 ,点电荷量取为表观化合价± 2 ,仍过高地估计了Madelung势 ,嵌入簇与点电荷之间应满足一定的自洽条件 ;使用点电荷为嵌入环境时 ,即使达到电荷自洽、偶极矩自洽或势自洽 ,簇模型计算结果仍与固体性质存在一定的偏差 ;将点电荷进行球谐展开 ,赋予其连续变化的电荷密度分布后 ,得到了一个对固体整体性质描述较好的SPC簇模型 . 相似文献
119.
120.
Reduction of Ordering Temperature of FePt-Al2O3 Thin Films by N2 Addition During Sputtering
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We investigate the effect of N2 addition during sputtering on the microstructure and magnetic properties of FePt-Al2O3 thin films. The texture of FePt phase in FePt-Al2O3 thin films changes from (111) to a more random orientation by N2 addition during sputtering. The ordering temperature of FePt phase reduces about 100℃ with appropriate N2 partial pressure. A larger coercivity of 6.0 × 10^5 Aim is obtained with N2 partial pressure about 15%. Structural analysis reveals that a small quantity of Fe3N phase forms during sputtering and the release of N atoms during the post annealing induces a large number of vacancies in the films, which benefits to the transformation of FePt phase from fcc to fct. 相似文献