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81.
合成了稀土配合物Eu(TTFA)3(TTFA, 2-thenoyltrifluoroacetone)掺杂的环氧基紫外负性光刻胶薄膜,采用荧光分光光度计对其光致发光特性进行了系统表征.荧光光谱分析表明,Eu(TTFA)3掺杂的光刻胶薄膜具有很宽的激发谱带(200~400 nm),且在长波紫外区表现为强激发,说明有机配体TTFA-与中心离子之间存在着比电荷迁移带更有效的能量传递.配体TTFA-的三重激发态和Eu3+的激发态能级匹配较好,能很好地敏化Eu3+而发出明亮的红光,是获得Eu3+红色荧光发射的优良配体,认证了有机配体与稀土离子之间产生有效能量传递的前提是存在"天线效应".  相似文献   
82.
采用积分球配以CCD光谱测试系统,在蓝色半导体发光二极管激发下,对Sm3 掺杂的低声子能量、高折射率铋碲酸盐玻璃的荧光光谱进行测试。实现了荧光发射特性绝对评价为目的的绝对光谱功率分布测定,为发光与激光材料荧光发射特性的精确测量与表征提供了一种准确方法。荧光测试系统由直径为25.4cm的积分球配以CCD探测器组成,通过标准卤素灯定标,辅助卤素灯校正积分球内环境变化,解析出样品的绝对光谱功率分布,并进一步计算出光量子数分布,求得荧光量子产率等荧光特征参量。测试与计算结果表明,对应可见区Sm3 四个特征发射峰,总荧光量子产率为7.55%。  相似文献   
83.
We propose a structural angle and main refractive indices as two key factors to understand the temperature influence on the divergence angles of the Wollaston prism. The temperature influence on the divergence angles of quartz crystal Wollaston prism is studied theoretically. The results show that divergence angles decrease with increasing temperature, while the divergence angle of e-light decrease more quickly than that of o-light. The testing system is established to verify the above results, and the experimental results are in agreement well with the theoretical analysis.  相似文献   
84.
We present a scheme for perfectly teleporting an arbitrary and unknown N-particle GHZ-class state from a sender to a receiver. We just need one quantum channel composed of two or three particles in the maximally entangled state. The sender performs one Bell-state measurement on two of her particles and N - 1 Hadamard operations and N - 1 yon Neumann measurements on the rest N - 1 particles. The receiver adopts one corresponding unitary transformation on his particles shared with the sender. After that, the receiver can obtain the original N-particle GHZ-class state by introducing N - 1 ancillary particles and carrying out N - 1 controlled-NOT operations. We also generalize the scheme to the case of controlled teleportation.  相似文献   
85.
O4372006010275不同基体刚性偶氮化合物光致光学各向异性及其唯象模拟=Photoinduced anisotropy of azo polymer with differentmatrices rigidity and their phenomenological si mulation[刊,中]/罗锻斌(华东理工大学物理系.上海(200237)),邓莉∥光学学报.—2005,25(10).—1385-1390在不同刚性的聚合物基体聚甲基丙烯酸甲酯(PM-MA)、聚乙烯咔唑(PVK)和聚苯乙烯(PS)薄膜基体中掺入相同质量分数(均为0.003)的分散红13(DR13)偶氮染料。以线偏振连续Ar 激光(514nm)作为控制光,连续He-Ne激光(632.8nm)作为信号光,考察了具有相同厚度的3…  相似文献   
86.
O438.2 2006065115滤波器带宽对傅里叶剪切干涉法精度的影响=Analysis of Fourier shear interferometry based on LSI[刊,中]/毕振波(中科院安徽光机所.安徽,合肥(230031)),范承玉…//量子电子学报.—2006,23(3).—316—319研究了基于横向剪切干涉仪的傅里叶剪切干涉方法,对频域中条纹频谱的分布进行了分析,并着重讨论了在不  相似文献   
87.
TP73 2006065467空间遥感仪器卡塞格伦镜筒的设计及轻量化研究=Design and lightweight research of Cassegrain drawtubes in space remote instruments[刊,中]/刘春霞(中科院上海技物所.上海(200083)).//红外技术.—2006,28(5).—253-256介绍了空间遥感仪器中卡塞格伦镜筒的结构设计,利用三维CAD技术构建了产品模型。针对主镜筒的轻量化问题,设计了几种结构方案,利用CAE有限元力学分析对设计方案进行了选择和评价,通过对整个装配体的静力学分析和模态分析考察了结构的整体性能。图4表2参5  相似文献   
88.
基于可以得到的理论和实验数据,对利用准相对论组态平均近似系列程序包计算的类氢、类氯、类锂氩离子的碰撞电离原子参数进行了评估,发现对基态类氢、类氯和类锂氩离子的碰撞电离,在不考虑共振过程的情况下,我们的加交换的准相对论扭曲波方法的计算结果是可靠的,但对于激发态的碰撞电离过程。还有待于可靠的数据比较,此外对不同离化度的离子有很好的类氢近似标度规律。  相似文献   
89.
We present a high power and efficient operation of the ^4F3/2 → ^4I9/2 transition in Nd:GdVO4 at 912nm. In the cw mode, the maximum output power of 8.6 W is achieved when the incident pump power is 40.3 W, leading to a slope efficiency of 33.3% and an optical-optical efficiency of 21.3%. To the best of our knowledge, this is the highest cw laser power at 912nm obtained with the conventional Nd:GdVO4 crystal. Pulsed operation of 912nm laser has also been realized by inserting a small aeousto-optie (A-O) Q-Switch inside the resonator. As a result, the minimal pulse width of 20ns and the average laser power 1.43 W at the repetition rate of lOkHz are obtained, corresponding to 7.1 kW peak power. We believe that this is the highest laser peak power at 912nm. Furthermore, duration of 65ns has also been acquired when the repetition rate is 100 kHz.  相似文献   
90.
 硼在高压下具有复杂的结构和多样的物理性质,对其结构和性质的深入研究具有很重要的意义,一直引起理论和实验研究领域的关注。高压下进行电学性质测量是获得物质物理性质的有效手段,利用集成在金刚石对顶砧上的微电路,在高压下和两个不同温度范围内对β相硼进行了电导率测量,分析了导电机制随压力的变化规律。在0~28.1 GPa范围内,β相硼的电导率随着压力的增大是逐渐增大的,卸压后样品的电导率不能回到最初的状态,是一个不可逆的变化过程;由室温到423 K的范围内,β硼的电导率随着温度的不断增加有明显的上升趋势,并且随着压力的升高,电导率变化逐渐加快。此外,对样品在14.5 GPa和18.6 GPa压力下,用溅射到金刚石对顶砧上的氧化铝薄膜做绝热层,对样品进行了激光加热实验,最高温度达到2 224 K,电导率随着温度的上升而增大,结果显示,β相硼的电学特征仍然属于半导体的特征范围内。  相似文献   
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