Si(111)分子束外延生长时RHEED强度振荡的观察

本文报道用反射式高能电子衍射的强度振荡测量来观察Si(111)衬底上分子束外延的生长行为,观察到了双原子层的振荡模式。振荡的衰减和恢复特性不同于Si(100)衬底上的生长行为,而同GaAs分子束外延时的特性非常相似。 关键词：     

全氟和多氟酰基过氧化物的合成及热分析动力学研究预报

有机酰基过氧化物[RCOO]_2被广泛地作为引发剂用在自由基反应中。由于其反应的多样性,对这一类化合物反应的理论研究迄今未衰。其中一部分理论研究的兴趣集中于它们在液相和气相热分解反应的途径——自由基型的同步或分步均裂机理,或经过离子型中间体的分步机理,以及烷基结构和环境因素(溶剂特性、初始浓度和反应压力等)对分解反应途径的影响等。全氟和多氟酰基过氧化物的合成可用过氧化钡、过氧化钠和过氧化氢等方法。我们曾比较了后两法。当使用过氧化钠水溶液与全氟和多氟羧酸酰氯反应制备相应酰基过氧化物时,对诸影响因素如反     

半导体中光的相干传播理论(Ⅰ)

本文是半导体中光的相干传播理论的第一部分。在不考虑电子-电子间的相互作用时,我们得到了相干光作用下描述半导体带间跃迁矩阵元满足的布洛赫方程。半导体的带间跃迁形式上可类比于一个非均匀展宽的二能级系统能级间的跃迁;但是在强光的作用下会有一种特殊的多光子过程发生。 关键词：     

Cu2+在厌氧培养过程中对异化铁（Ⅲ）的影响

为探究Cu2+对异化铁还原的抑制程度,以鄱阳湖沉积物浸提液作微生物接种液,人工合成的Fe（OH）3为唯一电子受体,研究测定了厌氧培养过程中Fe（Ⅱ）浓度的变化,探讨了添加不同浓度Cu2+对异化铁还原过程的影响。结果表明,厌氧培养过程中不同浓度Cu2+对异化铁还原有不同程度的抑制作用,主要表现在随着Cu2+浓度的增加,异化铁还原开始所需的时间增长,当Cu2+浓度增加到一定程度时几乎不发生异化铁还原。异化铁还原的速率越慢,铁还原量越小,铁还原量抑制量越大。     

聚合酶链反应(PCR)的热性能对乙型肝炎病毒检测的影响

聚合酶链式反应(PCR)是由变性、退火及延伸三个步骤反复循环的DNA体外扩增技术.本文实验研究了PCR仪的三个阶段的热性能.结果显示,PCR实际温度与程序设置温度之间存在着较大的偏差;在变性阶段的温度差达3 K以上;而且处于平台温度±1℃范围内的时间也比设置的要短得多.本文同时用3.3 kb(扩增区150 bp)的乙型肝炎病毒(HBV-DNA)为试验材料(模板),实验研究了变性温度及变性时间对PCR扩增结果的影响.用电泳法分离PCR产物结果表明:当变性温度低于91℃,变性温度高于95℃,或者变性时间超过30 s都会导致乙型肝炎病毒PCR检验结果的假阴性.     

约里奥·居里夫妇获诺贝尔奖道路的启示

约里奥.居里夫妇因发现人工放射性物质而获1935年诺贝尔化学奖,但他们也一度错失了发现中子和正电子的良机.从约里奥.居里夫妇获诺贝尔奖的道路中,可以获得很多方法论意义上的启示:注重理论思维,重视学术交流的作用,对传统观念要有敢于质疑的精神,正确处理理论与实验的关系,重视实验手段的作用和有准备捕捉机遇的头脑.     

全球变暖背景下温室效应的光谱能量分布分析

利用一维辐射传递方程及LBLRTM逐线积分模式建立计算模型,对工业革命前与目前大气构成情况下温室效应的能量分布及其光谱吸收机理进行分析,在保持温室气体浓度为当前水平的基础上,研究温室效应能量分布与地表温度之间的相互耦合机理.结果表明:工业革命前地球的温暖环境主要来自于大气温室气体的(100~370)cm^-1、(640~710)cm^-1以及(1370~2000)cm^-1三个强吸收带对于地球长波辐射的吸收,而地球当前的变暖则源自于大气的(370~640)cm^-1和(710~1370)cm^-1两个弱吸收带的作用,其对工业革命以来所额外增加的温室效应贡献分别达到了25%和55%;地表温度升高,温室效应在全波段范围内也会随之增强,但不同谱带处的温室效应贡献以地球平均温度所对应的辐射峰值波数为界线,峰值波数右侧的温室效应贡献将会增加,在其左侧的贡献比例则会减小.     

基于光电校正惯性导航系统的光电桅杆方位角度的修正

针对驻车情况下光电桅杆系统的工作特殊环境,提出基于光电校正INS的光电桅杆方位角度修正方法。采用光电系统定时瞄准某一固定目标,获得参考方位角修正光电系统中惯性导航系统(INS)的方位角误差,然后采用该误差修正INS的方位角,实现抑制INS的方位角误差发散,提高长时间工作情况下光电系统方位角精度。实验表明,在桅杆摆动造成光电系统瞄准目标时的等效方位角误差为0.06°的情况下,以STIM300作为IMU的INS,采用提出的修正方案在60 min内的方位角误差为0.059°,而没有进行修正时在31 min内的误差发散到1.14°。     

珠坛当记此十年

与珠算打交道几十年了,珠算书籍与刊物是我们之最爱。近十年来,《珠算与珠心算》自然而然成了我们最喜欢的读物。这本杂志能挑起大梁、砥柱中流,令人歆慕、让人钦佩。该刊物的最大特点是信息量大:算理算法、算史算具,选精集粹;经验心得、随笔教案,卓有创建;会议专集、科学创新,与时俱进;珠坛春秋、中华珠星,动人心弦;争鸣园地、百家之言,任人驰骋;课题研究、专家论坛,探索发展。     

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode A1GaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of ^60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron- mobility transistors （E-mode HEMTs） are investigated. The results show that having been irradiated by^60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad （Si）, the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode A1GaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.