Be~9(d,p),(d,t),(d,a)反应研究

本文在E_d=0.1—2.5MeV能量范围内,研究了Be~9(d,p_0)Be~(10)(0),Be~9(d,p_1)Be~(10)(3.368MeV),Be~9(d,t_0)Be~8(0),Be~9(d,α_0)Li~7(0)及Be~9(d,α_1)Li~7(0.478MeV)诸反应。在E_d=0.150,0.220,0.401,0.706,1.005,1.301,1.484,1.750,2.000,2.250和2.500MeV共十一个能量上分别测量了这五群出射粒子在θ_L=10—155°区间的角分布。在θ_L=135°,E_d=0.1—2.5MeV,在θ_L=95°,E_d=0.1—2.2MeV,和在θ_L=112.5°,E_d=0.5—2.5MeV测量了Be~9(d,p_0)Be~(10)的激发函数。在θ_L=135°和112.5°,E_d=1.2MeV,用较厚靶(100—300μg/cm~2)测量了Be~9(d,p_0)Be~(10)(0)反应的截面绝对值,结果为σ_p_0(θ_L=135°)=1.60mb/sr,σ_p_0(θ_L=112.5°)=1.55mb/sr。这样就得到了在此能区内,这五群出射粒子的截面情况。对所得结果进行了一些讨论。     

半导体中光的相干传播理论(Ⅰ)

本文是半导体中光的相干传播理论的第一部分。在不考虑电子-电子间的相互作用时,我们得到了相干光作用下描述半导体带间跃迁矩阵元满足的布洛赫方程。半导体的带间跃迁形式上可类比于一个非均匀展宽的二能级系统能级间的跃迁;但是在强光的作用下会有一种特殊的多光子过程发生。 关键词：     

锗中隧道电流过程的理论(Ⅰ)——杂质引起的隧道电流

这工作是对锗中杂质散射引起的隧道电流的理论分析。说明在高掺杂(～10¹⁹厘米^-3时杂质散射隧道电流是重要的,可以与联系着声子的隧道电流比拟或更大。不同杂质的作用是不同的,AS和P比Sb的强。锗中杂质隧道过程主要是二级过程,由导带底穿入禁带的电子先被杂质场散射到对应于导带(0,0,0)谷的电子状态,然后,再在结势垒场的作用下跃迁到价带。提出了这种过程的理论,得到杂质隧道电流的表达式,说明只有处在势垒区中一定区域(大致是20?左右厚度)中的杂质原子对这个过程有显著贡献。虽然导带底是各向异性的,但这过程的几率却几乎是各向同性的。在附录Ⅱ中还提供了一个在任意形式位垒下直接隧道过程的普遍理论。 关键词：     

中重核14.5MeV (n,2n),(n,3n)反应截面的系统学计算

本文从中子核反应机制出发,讨论(n,2n),(n,3n)反应过程,给出约化截面的计算公式.按照系统学方法计算z=58—83的53个中重核的14.5MeV (n,2n),(n,3n)反应截面,计算结果与实验值符合较好.     

80.6MeV 16O轰击27Al反应的弛豫过程的研究

从80.6MeV ¹⁶O+²⁷Al出射类弹碎片的测量实验结果导出了角分布衰减系数、电荷分布及电荷分布的一次矩和二次矩随TKEL的变化. 对该反应中的弛豫过程进行了分析. 并讨论了势能面对电荷分布的一次矩和二次矩的影响.     

低温真空冷冻干燥室内温度特性的研究

真空冷冻干燥设备广泛应用于药品、食品等的干燥领域,该干燥方式能避免药品、微生物等产生变性或失去生物活力,但是能耗较大,且干燥室内的温度在真空条件下,比较难于控制。文中从三个方面对其温度特性进行了实验研究:真空度对温度特性的影响;板面温度对于冻干瓶内温度控制的影响;保护气对于冻干瓶内温度控制的影响。     

Effect of local atomic disorder on the half-metallicity of full-Heusler Co2FeSi alloy: a first-principles study

This paper investigates the effect of atomic disorder on the electronic structure, magnetism, and half-metallicity of full-Heusler Co2FeSi alloy by using the full-potential linearized augmented plane wave method within the generalized gradient approximation (GGA) and GGA+U schemes. It considers three types of atomic disorders in Co2FeSi alloy: the Co-Fe, Co-Si, and Fe-Si disorders. Total energy calculations show that of the three types of disorders, the Fe-Si disorder is more likely to occur. It finds that for the Co-Si disorder, additional states appear in the minority band-gap at the EF and the half-metallcity is substantially destroyed, regardless of the disorder level. On the other hand, the Co-Fe and Fe-Si disorders have little effect on the half-metallicity at a low disorder level. When increasing the disorder levels, the half-metallcity is destroyed at about 9 % of the Co-Fe disorder level, while that stays at 25 % of the Fe-Si disorder level.     

径向基无网格法在蒸发作用下一维排水问题中的应用

无网格方法是一种只需要节点信息而不需要划分网格的数值计算方法.利用径向基无网格法求解一维排水问题,导出了在地下水蒸发强度与埋深成线性关系时,一维不稳定流方程的无网格算法,通过迭代求其数值解.与常用的地下水位近似理论解、有限元解以及实测数据进行比较,均表明该算法误差小、收敛性好、实用性强,可以很好地应用于农田排水问题的计算.     

二维非饱和土壤水分运动方程的径向基配点差分法

针对二维非饱和土壤水分运动方程,将径向基配点法结合差分法构造了一种新的数值算法.该算法先采用差分法处理非线性项,再利用径向基函数配点法的隐格式求解方程,避免了因非线性项的存在导致不能直接使用配点法的现象,并且证明了该算法解的存在唯一性.通过对非饱和土壤水分运动的数值模拟,并采用试验数据对新算法进行了验证,模拟结果与试验结果非常吻合,表明该算法实用、有效.同时,比较分析了不同径向基函数以及不同算法的模拟精度,结果表明,与MQ函数和Guass函数相比,新的径向基函数具有更好的模拟精度,且相对于有限差分法和有限元法,本文提出的方法具有一定的优越性.     

The cryogenic control system of BEPCⅡ

A superconducting cryogenic system has been designed and deployed in the Beijing Electron-Positron Collider Upgrade Project (BEPCⅡ). The system consists of a Siemens PLC (S7-PLC, Programmable Logic Controller) for the compressor control, an Allen Bradley (AB) PLC for the cryogenic equipments, and the Experimental Physics and Industrial Control System (EPICS) that integrates the PLCs. The system fully automates the superconducting cryogenic control with process control, PID (Proportional-Integral-Differential) control loops, real-time data access and data storage, alarm handler and human machine interface. It is capable of automatic recovery as well. This paper describes the BEPCⅡ cryogenic control system, data communication between S7-PLC and EPICS Input/Output Controllers (IOCs), and the integration of the flow control, the low level interlock, the AB-PLC, and EPICS.