The effects of ⁶⁰Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of enhancement-mode AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

The effects of 60Co γ-ray irradiation on the DC characteristics of AlGaN/GaN enhancement-mode high-electron-mobility transistors (E-mode HEMTs) are investigated. The results show that having been irradiated by 60Co γ-rays at a dose of 3 Mrad (Si), the E-mode HEMT reduces its saturation drain current and maximal transconductance by 6% and 5%, respectively, and significantly increases both forward and reverse gate currents, while its threshold voltage is affected only slightly. The obvious performance degradation of E-mode AlGaN/GaN HEMTs is consistent with the creation of electronegative surface state charges in the source-gate spacer and gate-drain spacer after being irradiated.     

氧化镍中非化学计量氧在乙烷氧化脱氢中的作用

以纯ＮｉＯ为模型催化剂考察了乙烷氧化脱氢（ＯＤＨＥ）性能，发现非化学计量氧的存在与反应的活性及选择性密切相关．ＴＧＡ研究结果表明，５００℃制备的样品具有ｘ≈６％的非化学计量氧．Ｈ２ＴＰＲ结果表明，非化学计量氧与晶格氧的可还原性明显不同；Ｏ２ＴＰＤＭＳ又把非化学计量氧区分为两个氧物种，Ｏ－２和Ｏ－（或Ｏ２－２）．脉冲试验结果表明，非化学计量氧对ＯＤＨＥ制乙烯是选择性反应的活性氧物种，晶格氧是完全氧化反应的活性氧物种．一旦催化剂中非化学计量氧耗尽并动用晶格氧时，催化剂便有Ｎｉ０生成，表现出自催化性能，使反应活性迅速提高，但产物均为ＣＯ２，ＣＯ，ＣＨ４等完全燃烧或裂解产物．为保持有较高的乙烯收率，反应处于稳态时Ｎｉ必须处于高价态．电导测定结果表明，优良的ＯＤＨＥ催化剂应有Ｐ型半导性．     

润滑剂作用能力的分子轨道指数判据——润滑剂分子极性基团与金 …

采用分子轨道指数研究润滑剂分子与金属表面间相互作用的能力,通过比较键合原子净电荷以及分子间相互作用的最高占据轨道能级和最低空轨道能级的大小发现,醇和羟基化金属表面的氢键力大于酯与羟基化金属表面的氢键力。根据分子轨道能量近似原则和反应性能指数大小指数大大判断,酯和裸露的金属原子之间的作用强于醇,醇和酯复配的润滑剂通过发挥各自的优势而强化润滑剂分子与金属表面之间的作用,从而表现出协同减摩效应。     

可动氧与载体对钴基催化剂的乙烷氧化脱氢性能的影响

 报道了未担载的氧化钴与担载在SiO2和Al2O3上的氧化钴的乙烷氧化脱氢行为,发现未担载的氧化钴在150℃的低温下就有活性．XRD研究表明,Co3O4为活性晶相组分,其含量与催化剂的焙烧温度密切相关,经500℃和1000℃焙烧的未担载的氧化钴中Co3O4晶相分别占100％和66％．对于担载型氧化钴催化剂,载体与氧化钴间的相互作用以及不同的氧化钴担载量导致催化性能发生明显改变．氧化钴与载体间的作用越强,催化活性越低．Co3O4也是担载型氧化钴催化剂的活性晶相．催化剂的O2－TPD－MS和H2－TPR研究结果表明,反应的活性氧物种为在低温下易脱除和易还原并具有较高流动性的可动氧．     

常规退火与光退火固相晶化的对比

为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.     

CHEMISTRY OF THE PERFLUORO AND POLYFLUORO ORGANIC COMPOUNDS——THE RELATIVE EASE OF FORMATION OF TWO PERFLUOROALKYL R ADICALS

The relative rates of formation of perfluoro iso-propyl radicals (i—C_3F_7,5(i)) and perfluoro n-propyl radicals (n—G_3F_7, 5(n)) are reported. The relative rate constants of β-scission and of bromine abstraction by perfluoro-(α-alkoxyethyl)radicals(RFOCFCF_3:R_F=i—C_3F_7, 3(i); R_F=C_3F_, 3(n)), designated as kr(i) and k,(n), were measured at 7 temperatures in the range of 50—80℃, thence the ratio of the relative rate constants of formation of perfluoro iso-propyl radicals (5(i) and perfluoro n-propyl radicals (5(n)), K_β(i):K_β(n), were obtained. These ratios range from 540—680 at 50℃ to 400—590 at 80℃, much larger than those of the corresponding hydrocarbon radicals. Finally, the differences of activation-free-energy differences between 3(i) and 3 (n), △G~≠(i—n), together with the corresponding enthalpy and entropy terms, △H~≠(i—n), △S~≠(i- n), were calculated. These kinetic parameters indicate that the much higher rate of formation of the perfluoro iso-propyl radicals is caused     

连续馈料硅单晶拉制法

常规CZ法拉制的晶体中的各种不均匀性,主要是由于晶体生长中熔休体积变化引起的生长动力学的非稳态性质造成的.美国siltee公司提出了一种从小量等体积熔体中生长晶体的连续馈料晶体拉制法,并用这种方法从8公斤熔体中拉制出直径为150毫米的P型<100>硅单晶[1].这种装置的关键部件包括:多晶熔化器、熔体输运系统和生长室中的熔体液面位置控制机构.液面控制机构的分辨率为0.02时.多晶馈料机构适于供给棒、块或粉末.补充熔体的精确的温度调节也是很重要的.由于存在大的表面张力,使输运系统不能精确地定量(0.2-0.3毫升/秒)输运熔融硅,应用虹吸原…     

逐步回归分析在交通运输企业成本控制中的应用

本文阐明企业在改革承包的大趋势下，必然加速推行现代化管理．而强化成本控制是现代化成本管理的关键一环．运用逐步回归分析法强化日常成本控制具有重要的现实意义。 文中给出了逐步回归分析的经济应用数学模型，编写了计算机程序文本．把经济管理科学的数学模型和利用计算机相结合在一起． 文中通过实例介绍了该模型的应用方法．检验结果证明很具有实用价值．从而进一步介绍说明了在实施日常成本控制时的具体方法及应注意的问题．     

6.8MeV/A—5.1MeV/A 14N+59Co, 51V发射α粒子的研究

用ΔE-E半导体望远镜测量了6.8MeV/A—5.1MeV/A的¹⁴N轰击⁵⁹Co和⁵¹V产生的α粒子, 得到了发射α粒子, 得到了发射α粒子的能谱、角分布和E-θ平面上的d²σ/dΩdE等高图, 区分了直接机制α及复合核蒸发α粒子, 并对直接机制α粒子的来源作了讨论.     

高温核的奇异衰变过程

本文简要评述了中能重离子碰撞中可能存在的奇异密度分布形成－气泡核和环形核的形成，并论述了实验观测方面的可能特征。