三维自由射流缩流及扩散的数值研究

由于非定常多相流特性,大气下水自由射流的水力性能相当复杂.本文依据弯管二次流机理确定的最优湍流模型,以六喷嘴冲击式水轮机最术端的喷嘴射流作为研究对象,进行了三维非定常自由射流的数值模拟解析.定量分析了三维自由射流在不同空间方向沿程变化的两相流流态.能量构造及射流形状,为水斗提供了真实的入流条件,确认了最未端喷嘴射流水力效率较差的原因:由于最末端喷管的急剧弯道使得射流产生了大幅度的膨胀扩散.     

差分吸收光谱技术监测气溶胶消光系数的误差分析

给出了在利用差分吸收光谱技术监测大气气溶胶消光系数时确定测量误差的方法。分析了光源变化、探测器积分时间间隔、大气湍流、系统参数校正、测量系统位移以及粒子后向散射等可能对测量结果产生影响的因素,通过理论分析和实际测量确定气溶胶消光系数误差为0.03 km-1。     

差分吸收光谱技术监测气溶胶光学厚度及大气能见度的研究

介绍了一种基于闪烁氙灯光源、利用差分光谱吸收(DOAS)技术监测大气气溶胶的新方法。提出用大气能见度确定系统校正参量的可行做法,解决了差分光谱吸收探测气溶胶领域原始光强难以测量的难题。并对350~650 nm范围内的气溶胶光学厚度进行反演,通过与多道太阳光度计的对比证实方法的可行性,实验中发现气溶胶光学厚度与悬浮颗粒物(SPM)浓度具有很好的相关性。同时,利用气溶胶550 nm处的消光系数确定大气能见度。     

牙鲆群体Idh-1基因座位杂合型个体选择性优势

利用淀粉凝胶水平电泳法分析了人工牙鲆种苗群体的异柠檬酸脱氢酶同工酶 (IDH) .对牙鲆材料分析得知 Idh- 1基因座位只存在 A、B两个等位基因 ,而且在 2 3个样品群中 ,有 19个样品群呈现 A、B这两个等位基因所决定的基因型的杂合型个体过剩现象 ,表现出杂合基因型的选择性优势 .设定这 19个呈杂合型过剩样品群的死亡率为零 ,即以杂合型 A/ B的成活率为 10 0 %来计算其纯合型的成活率 ,得到纯合型个体 A/ A和 B/ B的成活率分别为 6 9.2 %和 75 .2 % ;从个体的标准体长上看 ,在表现为杂合型个体过剩的 19个样品群中 ,15个样品群的杂合型个体 (A/ B)大于纯合型个体 (B/ B) .其结果反映了牙鲆人工养殖放流群体的 Idh- 1的基因型与成活率及生长存在相关性 .     

自由射流缩流机理研究

与喷到水中的水喷流(潜喷流 submerged jet)不同,喷到大气中水的喷流(自由喷流 free jet)从喷嘴喷出后会发生缩流,然后再渐渐扩散,但这种缩流的流动机理迄今都没有被非常清楚的描述。本文对喷管喷出的射流进行了详细的非定常粘性流动解析,究明了产生缩流时准自由射流区域内压能转化为动能的机理,并用数值计算方法对自由射流的缩流直径进行了预测。     

α-quartz型GeO2高压相变的分子动力学研究

采用在经典离子晶体作用势中附加Ｍｏｒｓｅ势,并进行必要的量子化修正,对α－ｑｕａｒｔｚ型ＧｅＯ２结构随压力变化特性,进行分子动力学计算模拟,获得了在压力高于６．０ＧＰａ,α－型ＧｅＯ２从晶相向非晶相相变的模拟结果,并利用其摩尔体积变化,键角、径向分布１、配位数等重要信息对模拟结果作了深入的探讨,相变后的非晶相,由占体积６６％的八面体结构和３３％的四面体结构组成的非晶体,其中还有极少量的α－ｑｕａｒｔｚ型ＧｅＯ２存在。     

天然和修饰环糊精的不对称光化学

用修饰的α-,β-,γ-环糊精(CDs)的包结增感作用研究(Z)-环辛烯(1Z)向手性(E)-异构体(1E)的超分子对映差向光异构反应。建立定量圆二色(CD)和差圆二色(DCD)公式, 研究修饰α-,β-,γ-环糊精衍生物与1Z包结反应的构象、化学量和稳定常数。 实验发现结合诱导的CD光谱变化是温度和修饰环糊精浓度的临界函数。同时发现光稳态E/Z随照射时间增长而增加最后达到光稳定状态, 但明显依赖于增感剂结构和溶液中甲醇含量,它与环糊精手性空腔被客体1Z占有率有直接关系。考查含o-,m-,p-羧酸甲酯基团的苯甲酸β-环糊精酯衍生物的光增感和对映差向能力,更好地认识到在CDs空腔内的有效光能转换是怎样发生的。用邻苯二甲酸β-环糊精酯的对映体过剩（ee）从2.9% 增加到24%。有趣的是产物的ee值与取代基常数（Hammett,σ）间没有明显的关系,却与某些苯甲酸β-CD酯的主体占有率有直接关系,即是通过分析在不同甲醇含量的水溶液中被一些β-CD衍生物增感的对映差向光异构反应中的ee,得出被底物1Z占有主体空腔的百分率 。     

可积量子系统的能谱涨落统计特征

运用简单的模型，进行了数值计算和研究了可积量子系统的能谱涨落统计特征，揭示了其特征可能出现的低或高Ｐｏｉｓｓｏｎ律行为。     

退火处理对掺铒氢化非晶硅悬挂键密度和光致荧光的影响

采用磁控溅射技术制备了铒掺杂的氢化非晶硅(a-Si∶H(Er))样品.进一步通过200—500℃温度递增的后退火处理，获得了不同的Si悬挂键(Si-DBs)密度，并在此基础上研究了Si-DBs密度改变对其Er光荧光(Er-PL)的影响.退火温度低于350℃时，Er-PL强度持续增加，但Si-DBs密度的变化显得较复杂；350℃以上时，Er-PL强度随Si-DBs密度的增加而减小.在200—250℃的退火温度范围内，Si-DBs是由于结构弛豫而减少；在250—500℃的退火温度范围内，可能由于Si—H键的断 关键词： 氢化非晶硅 铒掺杂 Si悬挂键 光荧光