具有形状记忆性能的P(MMA-co-HEA)/PDMS-OH氢键复合物的研究

选择低分子量端羟基聚二甲基硅氧烷(PDMS-OH)与聚(甲基丙烯酸甲酯-co-丙烯酸β-羟乙酯)P(MMA-co-HEA)共聚物原位复合形成氢键复合物,该复合物表现出良好的形状记忆效应.通过FTIR,SEM对材料的结构和形貌进行表征,DMA表征材料的动态力学行为,并通过弯曲实验对材料的形状记忆性能进行了表征及比较.FTIR分析证明PDMS-OH与P(MMA-co-HEA)共聚物形成氢键缔合作用;SEM分析显示,随着PDMS-OH含量的升高,氢键复合物由"海-岛"相分离结构向反转相分离结构转变;DMA分析结果表明,氢键的引入有利于复合物获得更高的模量比;形状记忆性能测试结果显示该氢键复合物具有良好的形状记忆性能,形状记忆固定率超过98%、形变恢复率超过99%,并且与聚(甲基丙烯酸甲酯-co-丙烯酸乙酯)/PDMS-OH(P(MMA-co-EA)/PDMS-OH)复合物相比,氢键复合物显示出更快的形变回复速率.     

自然图像认知阈值的度量

提出了图像认知阈限的概念及其度量方法．通过计算机实验和心理物理学实验，在一个自然图像数据库上研究了不同图像色彩模式和变换方式下的图像认知阈值问题．使用的图像变换方法有尺度变换、高斯噪声变换和运动模糊变换．得出的初步结论是：在自然图像认知的过程中存在一个认知闽限；可以用图像熵和图像分维数来度量图像认知阈值；图像认知过程中存在类似Weber定理所描述的规律；差别阈限图像及其原始图像度量值的比值和图像内容无关，而与图像的色彩模式和变换方法有关．     

K2CO3/Ni(OAc)2催化下的以苯甲酰胺和N，N-二溴苯甲酰胺为氮溴源的胺溴化反应

本文报道了一个高效的以苯甲酰胺和N, N-二溴苯甲酰胺为氮溴源的胺溴化反应。这个反应有广泛的底物适应性、很好的产率及较高的非对映选择性。本文报道的胺溴化反应用金属无机盐和碱作为共同催化剂,与作者们以前报道的胺卤化反应不同。     

Photoluminescence Investigation of Two-Dimensional Electron Gas in an Undoped AlxGa1-xN／GaN Heterostructure

Low-temperature photoluminescence measurement is performed on an undoped AlxGa1-xN/GaN heterostructure. Temperature-dependent Hall mobility confirms the formation of two-dimensional electron gas (2DEG) near the heterointerface. A weak photoluminescence (PL) peak with the energy of - 79meV lower than the free exciton (FE) emission of bulk GaN is related to the radiative recombination between electrons confined in the triangular well and the holes near the fiat-band region of GaN. Its identification is supported by the solution of coupled one-dimensional Poisson and Schr6dinger equations. When the temperature increases, the red shift of the 2DEG related emission peak is slower than that of the FE peak. The enhanced screening effect coming from the increasing 2DEG concentration and the varying electron distribution at two lowest subbands as a function of temperature account for such behaviour.     

基于言语工作记忆内容的视觉注意捕获

摘要：工作记忆内容对于解决视场中多个物体之间的注意资源竞争可能起着重要作用.本研究旨在考察保持在言语工作记忆中的特征值信息对于视觉选择性注意的自动引导作用.实验1要求被试在言语工作记忆保持阶段完成1个探测区分任务,结果发现有记忆匹配项条件下的探测反应时要显著慢于无匹配项条件下的反应时,而在实验2中没有记忆要求时却没有发现这种效应.实验结果表明,言语工作记忆中的特征值信息能够自动引导注意选择视场中与之匹配的物体特征.     

从青藤碱制备具有(＋)-C-Normorphinan骨架的化合物

对青藤碱进行Mitsunobu甲基化反应, 得到O-甲基青藤碱(2); 2经过酸性水解、硼氢化还原以及高碘酸钠氧化开环得到O-甲基青藤碱二醛(5); 在哌啶存在下对5进行羟醛缩合反应, 区域选择性地闭环生成具有(＋)-C-normorphinan骨架的化合物(8S,12S,13R)-6,7-didehydro-3,4-dimethoxy-16-methyl-C-normorphinan-7-carboxaldehyde (7); 经过以上五步反应, 7的总收率约35%. 对7进行硼氢化还原得到化合物8; 化合物8以醋酐进行酯化得到化合物9. 化合物7以5% Pd/C为催化剂、1.01×105 Pa下与氢气作用发生双键氢化反应, 立体定向地得到化合物10, 从化合物10出发获得化合物11和12. 通过对化合物11的1H NMR, 13C NMR, 2D-NMR及NOESY等核磁共振分析确定化合物10, 11和12具有7S绝对构型.     

菲涅耳单缝衍射动态演示实验

通过设计简单扩束系统获得近似匀强球面波,并利用计算机技术,开发出一个可以动态显示菲涅耳单缝衍射光强分布的演示实验。     

二(10-羟基苯并(h)喹啉)·四乙基合二铟(Ⅲ)的合成及晶体结构

通过１０－羟基－苯并（ｈ）喹啉与三乙基铟在苯中反应,合成了二〔１０－羟基苯并（ｈ）喹啉〕·四乙基合二铟（Ⅲ）。用元素分析、质子核磁共振谱、质谱以及Ｘ－射线单晶衍射等分析方法确定了化合物的结构。该化合物晶体属于单斜晶系,空间群为Ｐ２１／ｎ,化学式为： Ｃ１７Ｈ１８ＮＯＩｎ 。晶胞参数： ａ＝ １０．７３８（６）, ｂ＝ ９．２５５（３）, ｃ＝ １５．８６７（３）,β＝ １０８．５２（３）°, Ｖ＝ １４９５．２４０（３） ３, Ｍｒ＝ ３６７．１６, Ｚ＝ ２, Ｄｃ＝ １．６３１ ｇ／ｃｍ ３,μ（ＭｏＫα）＝ １５．７４ｃｍ － １, Ｆ（０００）＝ ７３６．００, Ｒ＝ ０．０５６, ＲＷ ＝ ０．０７５。化合物中铟原子以五配位形式存在,呈变形三角双锥构型,其中２ 个铟原子和２ 两个氧原子构成中心四员环结构,整个分子是由２ 个以氧原子为桥的单核分子组成的二聚体,除与铟相连的乙基（Ｃ（１４）、Ｃ（１５）、Ｃ（１６）、Ｃ（１７）、及Ｃ（１４）、Ｃ（１５）、Ｃ（１６）、Ｃ（１７））外,其余原子组成一大平面结构。     

超强分凝含氟嵌段共聚物的RAFT合成及其自组装行为

单羟基聚乙二醇(mPEG)与端羧基链转移剂S-十二烷基-S-′(α,α′-二甲基-α″-乙酸)三硫代碳酸酯[DDMAT(1)]经酯化反应制得大分子链转移剂[mPEG-DDMAT(2)];以2为链转移剂,用AIBN引发1H,1H,2H,2H-全氟癸基丙烯酸酯(FA)的可逆加成-断裂链转移聚合(RAFT),合成了嵌段间强烈不相容的亲水/亲氟双亲嵌段共聚物[mPEG-b-PFA(3a~3k)。3在溶液中的自组装行为研究结果表明,3 f在D2O中PFA聚集形成核,mPEG形成冠层;3 j在正丙醇中自组装得到伸直状的珍珠项链状聚集体。     

A Comparison between AIN Films Grown by MOCVD Using Dimethylethylamine Alane and Trimethylaluminium as the Aluminium Precursors

Aluminium nitride （AIN） films grown with dimethylethylamine Mane （DMEAA） are compared with the ones grown with trimethylaluminium （TMA）. In the high-resolution x-ray diffraction Ω scans, the full width at half maximum （FWHM） of （0002） AIN films grown with DMEAA is about 0.70 deg, while the FWHM of （0002） AIN films grown with TMA is only 0.11 deg. The surface morphologies of the films are different, and the rms roughnesses of the surface are approximately identical. The rms roughness of AIN films grown with DMEAA is 47.4nm, and grown with TMA is 69.4nm. Although using DMEAA as the aluminium precursor cannot improve the AIN crystal quality, AIN growth can be reached at low temperature of 673 K. Thus, DMEAA is an alternative aluminium precursor to deposit AIN film at low growth temperatures.