SnO分子的X~1∑~+,a~3Π和A~1Π态的势能曲线与光谱性质

对O原子以aug-cc-pvTZ为基组,Sn原子以aug-cc-pvTZ-PP为基组,分别采用多参考组态相互作用方法(MRCI)及运用Davidson修正的多参考组态相互作用方法对SnO分子基态X~1Σ~+及两个激发态a~3Π和A~1Π态的势能曲线进行计算,进而得到了各态的平衡键长R_e,谐振频率w_2,非谐振常数ω_ex_e,转动常数B_r,垂直跃迁能T_e以及离解能D_e,通过群论原理确定了各电子状态和离解通道,计算结果表明:3个电子态有共同的离解通道,即Sn(~3p)+O(~3p);利用Level程序对势能曲线进行拟合得到的光谱数据表明,MRCI方法的计算结果与实验值符合更好;通过求解核运动的Schrodinger方程得到了J=0时这三个电子态的前30个振动态的B_v和D_v等分子常数和振动能级E。     

微波腔镀银实现漫反射冷却的实验研究

观测到了使用镀银微波腔产生漫反射光场冷却原子的信号,完成了微波腔与积分球一体化的最后一步。这种冷却方式结构更加简单,且没有涂料,不会对微波场场型造成影响,有利于钟信号的信噪比及对比度提高。同时测试了微波腔冷却在不同冷却光注入方案、漫反射系数及腔表面开孔尺寸下的冷却性能。结果表明端面注入冷却光是目前获得更多冷原子数目的方法,提高腔表面的漫反射系数,可以显著提高冷原子数目。为了充分利用积分球内的冷原子,采用了10mm的通光孔径,测试了不同通光孔径对冷原子信号的影响,证实了目前较大的通光孔径不会影响到冷原子数。     

基于微流控技术的新型可调光衰减器

基于微流控技术提出了一种新型可调光衰减器核心芯片结构,利用微流体和可压缩空气实现光衰减的可控调节,并基于此核心芯片设计了两种应用不同驱动技术的微流控光衰减器。通过高斯光束传播理论、亥姆霍兹方程、光场耦合理论与Mathematics软件分析了光衰减器内部光场分布特性,考虑了流体端面衍射影响,给出了流体端面位置与衰减量的关系及响应时间等性能参数。理论表明基于微流控技术的可调光衰减器衰减范围大于50dB,系统响应时间约为0.01s,具有衰减范围大、响应快、插入损耗小、回波损耗大的优点。所提出的光衰减器为寻求小体积、高性能、易集成、灵活可调的新型光通讯器件提供了新的思路。     

KTX�����֧��ϵͳǿ�ȷ������Ż����

对反场箍缩核聚变实验装置KTX真空室支撑结构强度进行理论分析,利用有限元方法进行了分析计算,并且根据分析结果,对支撑柱、螺栓组和支撑环板进行了优化。理论计算和有限元分析的结果均证明了真空室支撑系统的可靠性,同时优化结果也为KTX真空室支撑系统的实施提供技术参考。     

The enhancement of light-emitting efficiency using GaN-based multiple quantum well light-emitting diodes with nanopillar arrays

The quest for higher modulation speed and lower energy consumption has inevitably promoted the rapid development of semiconductor-based solid lighting devices in recent years. GaN-based light-emitting diodes （LEDs） have emerged as promising candidates for achieving high efficiency and high intensity, and have received increasing attention among many researchers in this field. In this paper, we use a self-assembled array-patterned mask to fabricate InGaN/GaN multi- quantum well （MQW） LEDs with the intention of enhancing the light-emitting efficiency. By utilizing inductively coupled plasma etching with a self-assembled Ni cluster as the mask, nanopillar arrays are formed on the surface of the InGaN/GaN MQWs. We then observe the structure of the nanopillars and find that the V-defects on the surface of the conventional structure and the negative effects of threading dislocation are effectively reduced. Simultaneously, we make a comparison of the photoluminescence （PL） spectrum between the conventional structure and the nanopillar arrays, achieved under an experimental set-up with an excitation wavelength of 325 mm. The analysis demonstrates that MQW-LEDs with nanopillar arrays achieve a PL intensity 2.7 times that of conventional LEDs. In response to the PL spectrum, some reasons are proposed for the enhancement in the light-emitting efficiency as follows： 1） the improvement in crystal quality, namely the reduction in V-defects; 2） the roughened surface effect on the expansion of the critical angle and the attenuated total reflection; and 3） the enhancement of the light-extraction efficiency due to forward scattering by surface plasmon polariton modes in Ni particles deposited above the p-type GaN layer at the top of the nanopillars.     

用反应48Ca+254Es合成119号元素的可能性研究

利用最近发展起来的两步模型分析重离子核反应48Ca+254Es 的熔合过程。在这个模型中,熔合过程被分为前后独立的两个过程,即粘连过程和形成过程。本研究组计算了对应的粘连概率和形成概率,并结合适用于蒸发过程的统计蒸发模型,计算了该反应合成119 号超重元素的剩余截面,即当Elab = 250:2 MeV时,得到最大剩余截面为0.7 pb。Two-step model is adopted to analyze the fusion process of heavy-ion reaction 48Ca+254 Es. Based on this model, the fusion process is divided into two consecutive steps, i.e., the sticking step and the formation step, and corresponding sticking probability and formation probability are calculated. Combining the statistical evaporation model for the evaporation stage, the maximum evaporation residue cross section for reaction 48Ca+254 Es is 0.7 pb at 4n, Elab =250.2 MeV.     

硅基硒纳米颗粒的发光特性研究

由于尺寸缩小引起的量子效应, 硒(Se) 材料的低维纳米结构具有更高的光响应和低的阈值激射等特性, 因此成为纳米电子与纳米光电子器件领域一个重要的研究方向. 本文通过对非晶硒薄膜的快速热退火来制备硒纳米颗粒, 退火温度在100–180℃之间时, 结晶后的硒纳米颗粒均为三角晶体结构, 其颗粒尺寸随退火温度的增加而线性增大. 光致发光谱测试发现三个发光峰, 分别位于1.4eV, 1.7eV和1.83eV. 研究发现位于1.4eV处的发光峰来源于非晶硒缺陷发光, 位于1.83eV处的发光峰来源于晶体硒的带带跃迁发光; 而位于1.7eV处的发光峰强度随激发功率增强而指数增大, 且向短波长移动, 该发光峰应该来源于非晶硒与硒纳米颗粒界面处的施主-受主对复合发光. 关键词： 硅基 硒纳米颗粒 光致发光 施主-受主对     

外场下SnS分子结构及其特性

对S原子采用6-311++G**基组,Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,利用密度泛函(B3P86)方法对SnS分子进行了基态结构优化,并研究了外场作用下SnS基态分子键长、能量、能级分布、电荷布居分布、谐振频率和红外谱强度的影响规律.然后利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SnS分子在外场下的激发特性.结果表明,在所加的电场范围内(-0.04 a.u.-0.04 a.u.),随着正向电场的增大,分子键长和红外谱强度均是先减小后增大;总能E,SnS基态分子的最高已占据轨道能量EH和谐振频率均是先增大后减小;分子的最低未占空轨道能量EL和能隙Eg均随正向电场的增大而减小.随着正向电场的增大,SnS分子由基态至前9个单重激发态跃迁的波长增大,激发能则减小.     

5,7′-(亚甲胺基)-二-8-羟基喹啉及其金属有机配合物的密度泛函和自然键轨道及电子密度拓扑理论研究

采用密度泛函理论, 在B3LYP/6-31G水平上对5,7′-(亚甲胺基)-二-羟基喹啉及其3种金属M(M=Zn, Mg, Be)有机配合物M(5,7′-Iminomethylq2)2的结构进行了全优化, 并用TDDFT方法计算了吸收光谱. 同时, 利用自然键轨道理论(NBO)和电子密度拓扑分析(AIM)方法对分子内氢键进行了分析. 结果表明, 光谱计算值与实验值基本符合, 该类化合物均具有较大的电子亲和能, 改变中心金属原子对配合物吸收光谱性质的影响不大. 和5,7′-Iminomethylq2相比, M(5,7′-Iminomethylq2)2的吸收光谱产生明显红移. 5,7′-Iminomethylq2及其M(5,7′-Iminomethylq2)2分子内存在较强的氢键, 可形成三元环, 五元环和六元环. 分子内氢键的存在使分子的稳定性增加.     

硫的取代对基态硫代乙酸单分子解离反应影响的理论研究

应用B3LYP方法,结合6-31G**、cc-pVDZ、aug-cc-pVDZ和cc-pVTZ基组对硫代乙酸的两种异构体CH3C(O)SH和CH3C(S)OH在基态势能面上的9个单分子反应进行了研究。本文计算预测硫代乙酸主要以CH3C(O)SH的形式存在,两种异构体均以顺式构象为优势构象。通过对比CH3C(O)SH、CH3C(S)OH和 CH3C(O)OH的反应性差异,我们可以得出结论：CH3C(O)OH中-OH基团的O被S取代后,只有当-SH作为一个整体参加反应时才对分子解离过程有较大影响;而C=O或C=S对反应性影响较小。