连续激光与单脉冲纳秒激光对CMOS的损伤效应

针对前照式有源型可见光互补金属氧化物半导体（CMOS）器件,开展了1080 nm连续激光与1064 nm单脉冲ns激光损伤效应的对比研究,观察到了CMOS出现点损伤、半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤三个典型的硬损伤阶段,并分析了损伤机理。在连续激光辐照下,损伤效应主要是热效应的影响。当辐照时间小于稳态时间时,辐照时间越长,损伤阈值越低,当辐照时间大于稳态时间时,损伤阈值趋于稳定值。对损伤后的CMOS器件的微观结构进行了显微观察,结合CMOS电路结构深入分析了各种典型实验现象的损伤机理,半边黑线损伤与十字交叉黑线损伤主要是不同层金属线路熔断导致信号断路。在单脉冲ns激光作用下, CMOS像元表面的硬损伤主要是激光加热作用和等离子体冲击波作用引起的。     

拟常曲率Riemann流形中的伪脐点子流形

研究了拟常曲率Riemann流形中具有平行平均曲率向量的伪脐点子流形,得到了一个Simons型公式．     

复杂网络中带有应急恢复机理的级联动力学分析

提出带有应急恢复机理的网络级联故障模型,研究模型在最近邻耦合网络,Erdos-Renyi随机网络,Watts-Strogatz小世界网络和Barabasi-Albert无标度网络四种网络拓扑下的网络级联动力学行为.给出了应急恢复机理和网络效率的定义,并研究了模型中各参数对网络效率和网络节点故障率在级联故障过程中变化情况的影响.结果表明,模型中应急恢复概率的增大减缓了网络效率的降低速度和节点故障率的增长速度,并且提高了网络的恢复能力.而且网络中节点负载容量越大,网络效率降低速度和节点故障率的增长速度越慢.同时,随着节点过载故障概率的减小,网络效率的降低速度和节点故障率的增长速度也逐渐减缓.此外,对不同网络拓扑中网络效率和网络节点故障率在级联故障过程中的变化情况进行分析,结果发现网络拓扑节点度分布的异质化程度的增大,提高了级联故障所导致的网络效率的降低速度和网络节点故障率的增长速度.以上结果分析了复杂网络中带有应急恢复机理的网络级联动力学行为,为实际网络中级联故障现象的控制和防范提供了参考.     

THz干涉测量用于障碍物后振动传感的研究

为探索THz干涉技术用于障碍物后振动传感的可行性,采用工作波长214.58 μm （对应频率约1.4 THz）的CO2激光器泵浦气体太赫兹源搭建了一套基于迈克尔逊干涉仪结构的THz干涉测量装置,实验研究了薄纸板遮挡后敲击目标镜产生的微小振动,利用相位分析法和频谱分析法对振动干涉信号进行处理,得到了振动位移随时间的变化以及不同时段振动频率的分布情况,测得的峰峰值振幅最小为7.98 μm,最大为17.54 μm,振动峰值速度为2.7 mm/s,振动频率最小21 Hz,最大58 Hz.研究结果表明THz干涉测量技术能有效克服传统振动传感技术无法穿透障碍物的缺点,是一种简便有效的障碍物后振动传感的新型手段,预示了THz技术在振动检测相关领域的广阔应用前景.     

一类新的非线性比式和问题的分枝定界算法(英文)

对一类新的非线性比式和问题(SNR)提出分枝定界算法,该问题的研究还很少.首先,通过两层线性化技术,构造一个松弛线性规划,求解该线性规划问题,得到问题(SNR)最优值的下界.其次,介绍新的下界更新技术,证明所给算法的收敛性.数值试验显示了算法的可行性和有效性     

HL-2M装置环向场线圈的磁场和波纹度计算

本文对HL-2M装置系统改造的磁场形态进行了分析，利用毕奥-萨华尔定律计算了环向场线圈的磁场和波纹度，该波纹度数值对等离子体的放电不会构成影响，对研究边缘物理问题可能会有影响。     

取向和非取向In2O3纳米线的场发射研究

用自制的设备制备了取向和无取向氧化铟纳米线，并研究了In₂O₃纳米线的场发射性质，发现取向纳米线比非取向纳米线有着更好的场发射特性.取向纳米线的开启和阈值场强明显低于非取向纳米线，这可能是由于取向纳米线之间的场屏蔽效应较弱以及取向纳米线有较多的顶部发射端的缘故. 关键词： 场发射 纳米线 取向 非取向     

含取代嘧啶环的苯磺酰脲的合成和生物活性测定

报道了１２种含不同取代嘧啶环的苯磺酰脲的合成及初步的生物活性测定结果，其中１０种为新化合物，结构经＾１ＨＮＭＲ，ＩＲ和元素分析等证实。     

海涂柑桔缺铁敏感性差异机理研究

通过田间调查取样和砂培试验，分别测定不同桔苗砧穗组合的根系还原力和铁吸收动力学由，对比研究了海涂不同砧木柑桔缺铁失绿的敏感性差异。试验证明，抗缺铁能力较强的构头橙砧（Ｃ．ａｕｒａｎｔｉｕｍＬｉｎｎ）的桔苗的叶片中的“全铁”和“活性铁”含量和根系还原力均高于抗缺铁能力弱的枳砧（Ｐ．ｔｒｉｆｏｌｉａｔｅＬ．）桔苗；同时，其铁吸收动力学曲线表现出具有较大的Ｖｍａｘ和较小的Ｋｍ值；在ＨＣＯ３－逆境条件下，枳砧苗的Ｖｍａｘ下降较为明显，而构头橙砧的变化幅度相对比较小。     

甘草次酸及其衍生物的质谱研究

本文通过应用ＥＩ质谱和高分辨质谱对甘草次酸及其衍生物进行研究，阐明了分子离子的各种裂解、重排机理，讨论了主要离子的形成过程以及不同取代基对分子离子峰强度的影响。并用软电离手段──快原子轰击正、负离子（ＰＦＡＢ和ＮＦＡＢ）质谱，使ＥＩ谱上不出现分子离子峰的两个化合物而获得满意结果。