NdBa2Cu3-xMnxOy体系的结构和声子振动

利用X光衍射、红外光谱、电子顺磁共振等实验手段对多晶样品NdBa2Cu3-xMnxOy(0≤x≤0.3)的结构、声子振动和自旋关联情况进行了研究.结果表明:随着Mn掺杂浓度的增加,样品由四方结构转变为正交结构.红外谱的研究发现:所有样品在580cm-1附近都有一个峰,强度随着掺杂浓度的增加而增强,振动膜逐渐软化这和样品的微结构变化密切有关.ESR研究表明: NdBa2Cu3-xMnxOy体系在不掺杂或低掺杂浓度时只有很弱的自旋共振信号,进一步增加Mn含量,自旋信号增强,线宽降低,显示Mn掺杂浓度增加引起Mn离子的自旋局域化程度增强.本文讨论了掺杂对结构、红外谱和自旋关联的影响.     

自旋极化电子显微术及蒙特卡罗模拟

简述了与自旋相关的电子的弹性散射和非弹性散射过程，综述了极化电子束的表征，获得，探测及其在低能电子显微学中的应用，介绍了对自旋极化电子进行电子散射过程的蒙特卡罗模拟的一种简单模型。     

LaBa2Cu3-xCoxOy体系中声子振动和自旋关联的研究

我们用X射线衍射,红外光谱以及电子顺磁共振等实验手段,对LaBa2Cu3-xCoxOy (0≤x≤1.0)系列样品进行了研究.研究表明:所有样品皆为单相正交结构.对于不掺杂的样品在535cm-1和585cm-1附近有两个显著的吸收峰,分别相应于Cu(1)-O(1) 和Cu(2)-O(2) 的伸缩振动.在低掺杂区(0≤x≤0.5)535cm-1处的红外峰随x增加向低频方向移动,而585cm-1处的红外峰位置基本不变.当x＞0.5时,这两个峰逐渐宽化,最后变成单个宽峰(x=1.0).掺杂样品在657cm-1处的声子振动模随掺杂量增加向高频方向移动,该峰为Cu(1)-O(4)的伸缩振动模.本文分析了晶体结构和声子振动以及自旋关联变化的相互关系.     

Mott散射和电子极化术

文章回顾了Mott散射过程及其物理图像，介绍了Sherman函数的定义、计算和测量，简述了探测自旋极化电子的仪器——Mott电子极化仪的一般设计，列举了获得自由极化电子的几种方法和原理．     

CeO2:Eu3+反蛋白石的制备与性质研究

以自组装法制备的面心立方结构的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)蛋白石为模板,采用溶胶凝胶法制备二氧化铈(CeO2)掺杂铕离子(Eu3+)的反蛋白石结构光子晶体.利用XRD,SEM,UV-Vis等测量手段研究了光子禁带特性,样品在低温下的发光特性也被研究.结果表明CeO2:Eu3+反蛋白石的光子禁带是413nm,PMMA蛋白石的光子禁带是612nm,与理论计算结果十分吻合.且随着温度的降低,Eu3+离子所处晶体场的对称性下降.     

Al掺杂志LaBa2Cu3Oy体系的物理性质的影响

利用红外光谱,电子顺磁共振以及电阻率等实验手段,对LaBa2Cu3-xAlxOy(0≤x≤0.7)系列样品进行了研究.结果表明：Al掺杂导致了体系电荷的重新分布.随着Al掺杂量的增加,超导电性被很快地抑制,电阻率逐渐增大.随着Al掺杂量的增加,Cu(1)O(1)(530cm-1)的伸缩振动模的强度逐渐增大,并向低频方向移动,而Cu(1)O(4)(590cm-1)的震动模逐渐向高频方向移动.电子顺磁共振实验(EPR)揭示了不同含量的Al掺杂对Cu2＋的自旋关联行为的影响.本文对不同掺杂区的声子振动、自旋关联变化和输运性质进行了分析讨论.     

LaBa2Cu3-xZnxOy体系的结构和输运性质研究

我们用固相反应法合成了LaBa2Cu3-xZnxOy（0≤x≤1．0）系列样品．X-光衍射分析显示，在整个掺杂区内皆为正交结构，晶格常数α，b和c随掺杂量的增加略有增大．Zn含量的增加使体系正常态的电阻率上升．红外光谱（限）表明：对于不掺杂的样品，在531cm^-1和583cm^-1附近有两个显著的吸收峰，随掺杂量x的增加前者基本不移动，后者则向高频移动，强度略有减小．电子顺磁共振实验（EPR）揭示了Zn掺杂对Cu^2＋的自旋关联行为的影响．本文讨论了掺杂对结构、输运性质和自旋关联的影响．     

Mott散射和电子极化术

文章回顾了Mott散射过程及其物理图像,介绍了Sherman函数的定义、计算和测量,简述了探测自旋极化电子的仪器——Mott电子极化仪的一般设计,列举了获得自由极化电子的几种方法和原理.     

26种材料能量损失函数的计算研究

计算拟合了26种块体材料的能量损失函数,包括18种单质材料（Ag、Al、Au、C、Co、Cs、Cu、Er、Fe、Ge、Mg、Mo、Nb、Ni、Pd、Pt、Si、Te）和8种化合物（AgCl、Al₂O₃、AlAs、CdS、SiO₂、ZnS、ZnSe、ZnTe）.基于Drude-Lindhard模型,将实验测得的能量损失函数拟合为有限个解析函数,通过求和规则验证了拟合结果的准确性.基于拟合结果,模拟了反射电子能量损失谱,模拟结果与实验结果一致.所有材料能量损失函数的拟合参数均在线公开,地址为http：//micro.ustc.edu.cn/ELF/ELF.html.     

电子束光刻的邻近效应及其模拟

用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素——邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响，并与实验结果进行了比较，发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大；衬底原子序数越大，衬底越厚，入射电子束能量越低，邻近效应越大. 关键词： 电子束光刻 邻近效应 Monte Carlo