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141.
数论变换(二) 总被引:1,自引:0,他引:1
数丁 《数学的实践与认识》1977,(4)
计算模为M=2~b+1(b=2~t)的一个数论变换就叫做一个Fermat数变换,简记为FNT.现在我们就来讨论几个具体的FNT. 1)当0≤t≤4时,F_t全是素数.这样.O(F_t)=2~(2~t),0≤t≤4.故对于任意的 相似文献
142.
143.
本文将前人对硅烷类分子中Si—H红外吸收光谱实验结果和我们对其键长、键级的量子化学计算结果进行综合分析,得到了一个计算Si—H伸缩振动频率的半经验公式:v~2=1.635×10~7·P·R~(-3/2)+7.458×10~(-2)。用该公式对七种硅烷类分子的计算得到了满意的结果,平均偏差不超过0.4%。 相似文献
144.
丁春华 《数学年刊B辑(英文版)》1983,(1)
In this paper we prove the following theorem.It is a generalization of Tenchel's theorem on theintegral curvature of curve.Theorem.If 1 is the length of a curve C=AB and φ is the angle between the tangent vectors ofC at A,B,then the integral curvature of C 相似文献
145.
利用等离子体增强化学气相沉积法制备Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜,分别使用热退火和激光辐照技术对多层膜进行退火,以构筑三维限制、尺寸可控、有序的硅纳米晶.实验结果表明,经退火后,纳米硅晶粒在Si-rich SiNx子层内形成,其尺寸可由Si-rich SiNx子层厚度调控.实验还发现,激光辐照技术相比于热退火能更有效地改善多层膜的微结构,提高多层膜的晶化率,以激光技术诱导晶化的Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜作为有源层构建电致发光器件,在室温下观察到了增强的电致可见发光,并且发光效率较退火前提高了40%以上.
关键词:
氮化硅
多层膜
限制结晶
纳米晶硅 相似文献
146.
在蓝宝石衬底上生长了以AlN/GaN超晶格准AlGaN合金作为势垒的HEMT结构材料,并与传统AlGaN合金势垒样品进行了对比.在高Al组分(≥40%)情况下,超晶格势垒样品的表面形貌明显改进,电学性能特别是2DEG面电子浓度也有所改进.对超晶格势垒生长参数进行了初步优化,使得HEMT结构薄层电阻进一步降低,最后获得了251 Ω/□的薄层电阻.
关键词:
AlGaN/GaN 结构
AlN/GaN超晶格
二维电子气
高电子迁移率晶体管 相似文献
147.
148.
利用双温方程对激光烧蚀Si靶的过程进行了数值模拟,并结合合适的初始条件和边界条件,研究了在飞秒、皮秒激光作用下,脉冲波形(矩形、梯形、三角形和高斯形)对Si靶表面载流子和晶格温度分布的影响。结果表明:激光功率密度是影响载流子温升的主要因素,矩形脉冲激光烧蚀Si靶表面载流子的峰值温度最高,而高斯分布的脉冲引起靶面载流子峰值温度最低。可见,激光脉冲波形对Si靶表面载流子的温度分布具有重要影响。所得结果可为制备高质量的薄膜提供理论依据。 相似文献
149.
实验——物理教学的点睛之笔 总被引:1,自引:0,他引:1
近几年调查发现,有超过80%的学生对实验有浓厚兴趣,只有不足20%的学生害怕做实验.这充分说明了实验以真实直观、形象和生动的特点吸引了广大学生.由于,学生实验的机会很少,从而使得中国学生与其它国家学生相比,动手能力明显较弱.江苏今年实行教育改革,大大增加了学生自主学习的时间,教师应增加学生动手实验的机会, 相似文献
150.
从90年代中后期风行美国,如今已被世界很多国家所采用的“问题学习法”,到我国目前所强调的“研究型课程”、“研究性学习”,其本质都是为了培养学生解决实际问题的能力.学生在经过问题驱动后,进入了探究阶段,一个完整的探究过程不可能只通过一个问题就可以完成,而是需要一系列的问题,包括知识性问题与互动性问题,把探究过程充分地展开, 相似文献